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美光出樣DDR5內存：1Znm工藝、性能提升85%
- 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì )支持DDR4內存，但是下一代DDR5內存已經(jīng)近在眼前，2021年就會(huì )正式上市。今天美光宣布開(kāi)始向客戶(hù)出樣最新的DDR5內存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。與DDR4內存相比，DDR5標準性能更強，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時(shí)每通道32/40位（ECC）、總線(xiàn)效率提高、增加預取的Bank Group數量以改善性能等。美光現在出樣的DDR5內存使用了最新的1Znm工藝
- 關(guān)鍵字： 美光 內存 DDR5
儒卓力與愛(ài)普科技簽署全球分銷(xiāo)協(xié)議
- 儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)和中國臺灣證券交易所上市企業(yè)，全球領(lǐng)先的IoT RAM、利基型DRAM和AI存儲解決方案供應商愛(ài)普科技簽署全球分銷(xiāo)協(xié)議。這項分銷(xiāo)協(xié)議涵蓋了愛(ài)普科技的全部產(chǎn)品，并且已經(jīng)生效。根據此分銷(xiāo)合作關(guān)系協(xié)議，儒卓力是愛(ài)普科技IoT RAM產(chǎn)品在歐洲市場(chǎng)的獨家分銷(xiāo)商。愛(ài)普科技的產(chǎn)品范圍包括各種各樣的存儲解決方案，重點(diǎn)產(chǎn)品則是具有低引腳數的超低功耗IoT RAM和具有長(cháng)壽命支持的標準DRAM產(chǎn)品。在物聯(lián)網(wǎng)和邊緣AI市場(chǎng)，存儲器是系統性
- 關(guān)鍵字： RAM DRAM
美光推出面向移動(dòng)應用、堪稱(chēng)業(yè)內容量最高的單片式內存
- 新聞?wù)? 16Gb LPDDR4X改進(jìn)了能耗、速度和業(yè)內最高容量的單片式裸晶，它的推出進(jìn)一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量，從而使手機設計更加輕巧美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今天宣布推出業(yè)內容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數據率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個(gè)智能手機中提供高達 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，顯示了美光為當前和下一代
- 關(guān)鍵字： LPDDR4X 批量生產(chǎn)進(jìn)入1z 納米 DRAM 工藝節點(diǎn)
日韓貿易戰與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢，長(cháng)期須關(guān)注原廠(chǎng)庫存水位
- Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開(kāi)始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導體、智能手機與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲器產(chǎn)業(yè)下游模組廠(chǎng)出現提高報價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長(cháng)，短期結構性供需反轉的可能性低。日韓貿易戰的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價(jià)格將反轉，集邦咨詢(xún)分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續三個(gè)季度快速下滑，下游
- 關(guān)鍵字： 日韓貿易戰 東芝 DRAM/NAND
國際半導體遭遇寒冬 中國存儲方隊逆勢擴張
- 在中美貿易摩擦有所緩和之際，日前紫光集團宣布組建DRAM集團，讓市場(chǎng)注意力集中到國內存儲器布局上。當前國際存儲寡頭壟斷的格局下，國內存儲方隊既要面對技術(shù)、團隊等方面的疊代差距，又要面對當前國際半導體市場(chǎng)勢弱，存儲大幅降價(jià)的風(fēng)險，迎難而上，逆勢擴張?！ H半導體產(chǎn)業(yè)降溫 6月30日晚間，紫光集團宣布了組建DRAM事業(yè)群的計劃，并配套部署人事安排，深化和完善紫光集團“從芯到云”產(chǎn)業(yè)鏈的建設。而如果放眼國際，此時(shí)紫光集團布局DRAM可謂迎難而上，逆勢擴張?！ 绹雽w行業(yè)協(xié)會(huì )官網(wǎng)最新統計，5月全球半
- 關(guān)鍵字： 半導體 存儲 DRAM
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