國際半導體遭遇寒冬 中國存儲方隊逆勢擴張

　　在中美貿易摩擦有所緩和之際，日前紫光集團宣布組建DRAM集團，讓市場(chǎng)注意力集中到國內存儲器布局上。當前國際存儲寡頭壟斷的格局下，國內存儲方隊既要面對技術(shù)、團隊等方面的疊代差距，又要面對當前國際半導體市場(chǎng)勢弱，存儲大幅降價(jià)的風(fēng)險，迎難而上，逆勢擴張。

　　國際半導體產(chǎn)業(yè)降溫

　　6月30日晚間，紫光集團宣布了組建DRAM事業(yè)群的計劃，并配套部署人事安排，深化和完善紫光集團“從芯到云”產(chǎn)業(yè)鏈的建設。而如果放眼國際，此時(shí)紫光集團布局DRAM可謂迎難而上，逆勢擴張。

　　據美國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )官網(wǎng)最新統計，5月全球半導體銷(xiāo)售額為331億美元，同比2018年同期減少14.6%，環(huán)比4月有所少量增長(cháng)；而且相比去年同期，全球所有區域市場(chǎng)的半導體銷(xiāo)售均出現下降，其中美洲下降最多，達到27.9%，日本下降13.6%，中國下降9.8%，亞太其他地區下降12.6%。

　　美國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )總裁兼首席執行官約翰·諾伊弗表示：“全球半導體銷(xiāo)售額今年5月沒(méi)有達到去年同月的銷(xiāo)售額，這是連續第五個(gè)月出現同比負增長(cháng)?！苯衲甏鎯ζ骺芍^遭遇“寒冬”。其中DRAM（動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器）雖然位居半導體存儲領(lǐng)域市占率第一的地位，2017年迎來(lái)銷(xiāo)售環(huán)比大增，但今年情況發(fā)生逆轉。

　　TrendForce旗下內存儲存研究已連續指出，受到美國禁用華為事件持續發(fā)酵，華為智能型手機以及服務(wù)器產(chǎn)品在未來(lái)的兩至三個(gè)季度可能將持續遭受?chē)乐氐某鲐涀璧K，下半年DRAM產(chǎn)品的旺季需求將遭受沖擊，行業(yè)見(jiàn)底時(shí)間或延長(cháng)。

　　據預測，第三季DRAM價(jià)格展望跌幅由原先預估的10%將擴大至10%到15%?？紤]國際存儲三家大廠(chǎng)的競爭態(tài)勢，加上DRAM制程技術(shù)已經(jīng)面臨物理極限，預估DRAM價(jià)格要跌破供貨商的生產(chǎn)總成本可能性極低，但是，中美貿易戰升溫恐使得今年下半年需求急凍，不確定性氛圍提高使得數據中心的資本支出放緩，在今年年底前，體質(zhì)較弱的DRAM供貨商恐怕將遭受庫存損失，財務(wù)報表可能轉虧；預計DRAM價(jià)格可能將到2020年有機會(huì )出現止跌回升。

　　國際存儲巨頭的情況也不容樂(lè )觀(guān)，雖然占據了全球90%以上的DRAM市場(chǎng)份額，但營(yíng)收普遍下滑。據統計，今年一季度，龍頭公司三星受到報價(jià)下跌影響，營(yíng)收較上季下滑26.3%；而SK海力士的營(yíng)收位出貨下滑約8%，第一季營(yíng)收較上季衰退31.7%；美光營(yíng)收也下滑了約三成。臺系廠(chǎng)商也不容樂(lè )觀(guān)。南亞科第一季營(yíng)收位出貨下跌超過(guò)20%，營(yíng)業(yè)利益率幾乎減半；力晶科技生產(chǎn)的標準型DRAM產(chǎn)品第一季出貨量上升，帶動(dòng)營(yíng)收逆勢成長(cháng)5.7%，涵蓋DRAM代工業(yè)務(wù)，營(yíng)收則下滑近15%。

　　國內企業(yè)逆勢擴展

　　國金證券分析師樊志遠在研報中指出，今年一季度后，存儲器大廠(chǎng)處于高成本庫存，導致二季度、三季度運營(yíng)成本高于市場(chǎng)預期；預計全球存儲器行業(yè)今年衰退30%～35%，牽動(dòng)全球半導體衰退14%。

　　在此背景下，國內主要存儲方隊選擇了逆勢布局。本次紫光集團組建的DRAM事業(yè)部，紫光集團表示這標志著(zhù)集團DRAM戰略正式起航，將進(jìn)一步拓寬在存儲器領(lǐng)域的相關(guān)布局。人事配備上，委任刁石京為紫光集團DRAM事業(yè)群董事長(cháng)，高啟全擔任紫光集團DRAM事業(yè)群CEO。其中，刁石京曾擔任工信部電子信息司司長(cháng)等職位；高啟全現擔任紫光集團全球執行副總裁、長(cháng)江存儲執行董事及代行董事長(cháng)、武漢新芯CEO，有“臺灣存儲教父”之稱(chēng)。

　　經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，紫光集團在存儲器的設計制造領(lǐng)域已形成一定基礎，積累了從設計、生產(chǎn)、測試、方案構建到全球量產(chǎn)銷(xiāo)售等研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。在DRAM領(lǐng)域，紫光旗下西安紫光國芯自主創(chuàng )新出全球首系列內嵌自檢測修復DRAM存儲器產(chǎn)品；開(kāi)發(fā)的存儲器芯片產(chǎn)品中有二十余款產(chǎn)品實(shí)現全球量產(chǎn)和銷(xiāo)售。

　　另外，在3D NAND閃存領(lǐng)域，紫光旗下長(cháng)江存儲成功研發(fā)并已小批量生產(chǎn)了32層3D NAND閃存芯片，其創(chuàng )新的Xtacking TM技術(shù)，實(shí)現了3D NAND閃存芯片結構的歷史性突破。紫光集團表示，基于西安紫光國芯和長(cháng)江存儲的成功經(jīng)驗，集團正探索出一條存儲器設計制造的產(chǎn)業(yè)發(fā)展之路。

　　芯謀研究首席分析師顧文軍指出，相對而言，DRAM更加成熟、高度集中和更加“標準”的產(chǎn)業(yè)特性，做DRAM的難度要遠超NAND Flash。任何新進(jìn)入者都面臨著(zhù)技術(shù)來(lái)源、團隊、專(zhuān)業(yè)化運營(yíng)和成本的幾大難題。目前來(lái)看，中國大陸做DRAM的幾家都沒(méi)有全面解決上述問(wèn)題；晉華去年的被禁，就是一個(gè)警示。

　　國內存儲產(chǎn)業(yè)原為三大陣營(yíng)，分別是紫光集團旗下長(cháng)江存儲，以及合肥長(cháng)鑫與晉華集成。但是去年10月美國商務(wù)部以國家安全為由，對晉華集成實(shí)施出口管制，并列入出口管制“實(shí)體清單”。

　　由兆易創(chuàng )新、合肥產(chǎn)投等投資的長(cháng)鑫存儲，目前來(lái)看進(jìn)展相對順利，預期最快將于今年底或明年初進(jìn)入量產(chǎn)。據報道，長(cháng)鑫存儲通過(guò)購買(mǎi)奇夢(mèng)達專(zhuān)利部分解決了知識產(chǎn)權問(wèn)題。

　　對于如何避免類(lèi)似晉華事件發(fā)生，集邦咨詢(xún)研究副總經(jīng)理郭祚榮向證券時(shí)報記者表示，只要保證技術(shù)來(lái)源沒(méi)問(wèn)題，列入實(shí)體列表機率就低了；而無(wú)論是NAND還是DRAM，發(fā)展難度都不低，本輪逆勢擴張取決于國家是否支持。

　　集邦咨詢(xún)指出，紫光并非首次計劃進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè)，早在2014年期間紫光就曾表達出研發(fā)DRAM的決心，但當時(shí)為了平衡產(chǎn)業(yè)與地方發(fā)展，確立紫光發(fā)展NAND Flash的路線(xiàn)，DRAM研發(fā)之路無(wú)疾而終。

　　此次紫光集團重返DRAM研發(fā)之路，除了晉華事件影響外，還有產(chǎn)業(yè)布局考慮。合肥長(cháng)鑫5月在上海參加全球半導體聯(lián)盟存儲器論壇時(shí)，預計今年底量產(chǎn)8Gb的DRAM產(chǎn)品，但僅有一家正在進(jìn)行的DRAM廠(chǎng)對中國自主開(kāi)發(fā)DRAM產(chǎn)品的目標是不夠的。目前紫光欠缺的是DRAM的制程技術(shù)，這部分預計可望借由其新任CEO的業(yè)界人脈進(jìn)行補強。

　　國產(chǎn)化機遇

　　從政策方面，國家對集成電路產(chǎn)業(yè)的重視可見(jiàn)一斑。6月14日晚間，證監會(huì )同意科創(chuàng )板IPO注冊，華興源創(chuàng )、睿創(chuàng )微納兩家集成電路企業(yè)拔頭籌；另外，科創(chuàng )板申請企業(yè)中，還有專(zhuān)注于企業(yè)級光存儲解決方案的紫晶存儲，目前在接受科創(chuàng )板第三輪問(wèn)詢(xún)。

　　5月份，財政部、稅務(wù)總局發(fā)布公告有關(guān)企業(yè)所得稅政策中，集成電路企業(yè)獲扶持。

　　資本市場(chǎng)也在孕育半導體國產(chǎn)化機遇。以太極實(shí)業(yè)為例，2018年6月傳聞落地，國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“大基金”）受讓控股股東6.17%股份，成為上市公司第二大股東。此后，太極實(shí)業(yè)屢次攬獲半導體工程承包訂單，包括“中國大陸半導體之父”張汝京所創(chuàng )辦的青島芯恩工程總承包訂單。

　　除了建造，半導體關(guān)鍵材料、設備也存在機遇。據介紹，目前各類(lèi)關(guān)鍵工藝設備國產(chǎn)化差異大，CMP、PVD、刻蝕、清洗設備、熱處理的國產(chǎn)化率處于10%～30%，而量測、光刻等設備全部依賴(lài)進(jìn)口。

　　郭祚榮向記者表示，隨著(zhù)紫光進(jìn)一步加碼存儲產(chǎn)業(yè)，對半導體設備國產(chǎn)化將會(huì )產(chǎn)生助益，關(guān)鍵在于國產(chǎn)設備能否滿(mǎn)足相關(guān)條件。

　　國泰君安研報指出，長(cháng)江存儲是目前對于國產(chǎn)設備最為友好的產(chǎn)線(xiàn)之一。2017年至2018年，長(cháng)江存儲共采購了17批共計約2000臺設備。其中，中微公司供應刻蝕設備，盛美半導體和北方華創(chuàng )等提供清洗設備等。后續隨著(zhù)產(chǎn)能爬坡，北方華創(chuàng )、中微公司等設備廠(chǎng)商有望加速實(shí)現供應。