EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
ddr5 dram
ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區
HBM2E 和GDDR6： AI內存解決方案
- 前言人工智能/機器學(xué)習（AI/ML）改變了一切，影響著(zhù)每個(gè)行業(yè)并觸動(dòng)著(zhù)每個(gè)人的生 活。人工智能正在推動(dòng)從5G到物聯(lián)網(wǎng)等一系列技術(shù)市場(chǎng)的驚人發(fā)展。從2012年到 2019年，人工智能訓練集增長(cháng)了30萬(wàn)倍，每3.43個(gè)月翻一番，這就是最有力的證 明。支持這一發(fā)展速度需要的遠不止摩爾定律所能實(shí)現的改進(jìn)，摩爾定律在任何情況下都在放緩，這就要求人工智能計算機硬件和軟件的各個(gè)方面都需要不斷的快速改進(jìn)。從2012年至今，訓練能力增長(cháng)了30萬(wàn)倍內存帶寬將成為人工智能持續增長(cháng)的關(guān)鍵焦點(diǎn)領(lǐng)域之一。以先進(jìn)的駕駛員輔助系
- 關(guān)鍵字： ADAS ML DRAM 內存
三星電子平澤工廠(chǎng)第二生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)始量產(chǎn)
- 實(shí)現DRAM量產(chǎn)后，預計生產(chǎn)新一代VNAND與超精細制程的晶圓代工產(chǎn)品 憑借更快更薄的產(chǎn)品搶占移動(dòng)設備市場(chǎng)，下一步進(jìn)軍汽車(chē)電裝市場(chǎng) 韓國首爾2020年8月30日 /美通社/ -- 三星電子平澤工廠(chǎng)第二生產(chǎn)線(xiàn)正式開(kāi)工，首發(fā)量產(chǎn)產(chǎn)品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光刻）制程的16Gb（吉字節）LPDDR5移動(dòng)DRAM，開(kāi)創(chuàng )業(yè)界先河。 ? ? 三星電子 16GB LPDDR5 ? ?三星電子平澤工廠(chǎng)第二生產(chǎn)線(xiàn)的建筑面積達12.89萬(wàn)平方米（
- 關(guān)鍵字： EUV10 納米級 LPDDR5 DRAM
三星宣布其全球最大半導體生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)始量產(chǎn)16Gb LPDDR5 DRAM
- 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產(chǎn)線(xiàn)已開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動(dòng)DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當下最高的移動(dòng)產(chǎn)品內置內存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業(yè)提升到了一個(gè)新的門(mén)檻，克服了先進(jìn)節點(diǎn)下DRAM擴展的主要發(fā)展障礙。"三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號線(xiàn)占地超過(guò)128900平方米，相當于約16個(gè)足球場(chǎng)，是迄今為止全
- 關(guān)鍵字： 三星 LPDDR5 DRAM
7nm、24核心、DDR5、PCIe 4.0：Intel一下子都有了！
- 早在2019年初的CES大展上，Intel就宣布了基于10nm工藝、面向5G無(wú)線(xiàn)基站的Snow Ridge SoC處理器，直到今年2月底才正式發(fā)布，定名凌動(dòng)Atom P5900，但沒(méi)有公布具體規格。根據最新消息，Snow Ridge的繼任者代號為“Grand Ridge”，而這次，詳細的規格參數提前一覽無(wú)余。Grand Ridge將采用7nm工藝制造，BGA封裝面積47.5×47.5平方毫米，而且特別強調是Intel自家的7nm HLL+工藝，這意味著(zhù)它可能要到2023年才會(huì )面世。但等待是值得的，除了先進(jìn)
- 關(guān)鍵字： 7nm 24核心 DDR5 PCIe 4.0 Intel
第四代低功耗動(dòng)態(tài) DRAM 與其延展版的車(chē)輛應用解決方案
- 日本計劃在東京奧運會(huì )上展示無(wú)人駕駛技術(shù)，展現了近年來(lái)汽車(chē)智能化的成果。隨著(zhù)5G技術(shù)與人工智能（ AI）的發(fā)展，車(chē)載通訊技術(shù)已慢慢從早期的娛樂(lè )影音播放以及導航系統，發(fā)展到現在的深度學(xué)習與車(chē)聯(lián)網(wǎng)（ V2X），并朝著(zhù)無(wú)人駕駛的目標前進(jìn)。而實(shí)現此目標的關(guān)鍵因素正是半導體。目前，先進(jìn)駕駛輔助系統（ADAS）是車(chē)載通訊中最普遍的應用之一，它包含不同的子功能主動(dòng)式巡航控制、自動(dòng)緊急煞車(chē)、盲點(diǎn)偵測以及駕駛人監控系統等。車(chē)輛制造商一直試著(zhù)添加更多主動(dòng)式安全保護，以達到無(wú)人駕駛的最終目標。因此，越來(lái)越多的半導體產(chǎn)商與車(chē)輛制造
- 關(guān)鍵字： ADAS NOR DRAM AI V2X EM
DDR5內存標準確定，中國企業(yè)的標準沒(méi)能入選
- 都說(shuō)一流的企業(yè)定標準，可見(jiàn)能夠參與制定標準的企業(yè)，都是最頂尖的企業(yè)，所以我們能夠看到每當一項國際標準出爐時(shí)，各國的企業(yè)們都是打破頭的想把自己的標準定為國標標準。比如大家最熟悉的通信標準制定，從1G到5G標準的確定，那可是一項波瀾壯闊的通信技術(shù)競爭史，也是中國通信技術(shù)的崛起史。而不久前，跳票了近2年時(shí)間之后，JEDEC終于確定了JESD79-5 DDR5 SDRAM標準，這也是一項國際標準，有利于內存企業(yè)們盡快推出自己的DDR5內存。但與DDR4標準有中國企業(yè)參與不同，瀾起科技在DDR4F時(shí)代，發(fā)明的DDR
- 關(guān)鍵字： DDR5 內存標準
KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統
- 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統。該系統具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規光學(xué)或其他電子束檢測平臺無(wú)法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時(shí)間（包括那些依賴(lài)于極端紫外線(xiàn)（EUV）光刻技術(shù)的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構架，針對研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問(wèn)題而開(kāi)發(fā)出了多項突破性技術(shù)，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場(chǎng)上任何其他電子束系統都難以比擬的。KLA電子束部門(mén)總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
PC 新時(shí)代！DDR5 內存規范正式發(fā)布：最高速度達 6.4Gbps，單芯片密度達 64Gbit
- 作為計算機內存發(fā)展的重要里程碑，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )發(fā)布了下一個(gè)主流內存標準DDR5 SDRAM的最終規范。DDR5是DDR標準的最新迭代，DDR5再次擴展了DDR內存的功能，將峰值內存速度提高了一倍，同時(shí)也大大增加了內存容量?；谛聵藴实挠布A計將于2021年推出，先從服務(wù)器層面開(kāi)始采用，之后再逐步推廣到消費者PC和其他設備。外媒anandtech報道，和之前的每一次DDR迭代一樣，DDR5的主要關(guān)注點(diǎn)再次放在提高內存密度以及速度上。JEDEC希望將這兩方面都提高一倍，最高內存速度將達到6.4Gbps
- 關(guān)鍵字： PC DDR5 內存
DDR5 內存標準來(lái)了：頻率、帶寬提升，功耗降低
- 去年下半年開(kāi)始，使用 LPDDR5 內存的手機陸續發(fā)布。雖然用于電腦的 DDR5 內存與用于手機的 LPDDR5 并不相同，但這也讓許多 DIY 玩家期待 DDR5 內存的到來(lái)，那么它今天真的來(lái)了。JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )最初計劃在 2018 年公布 DDR5 SDRAM 最終規范，但是很顯然跳票了。兩年后的今天，新規范正式公布，同時(shí)各大內存廠(chǎng)商也表示基于新規范的內存產(chǎn)品最快年內就能進(jìn)行量產(chǎn)，不過(guò)一開(kāi)始會(huì )用在服務(wù)器上，后來(lái)才是家用 PC 以及其他設備。本次的新標準主要提升了內存密度和頻率，其中
- 關(guān)鍵字： DDR5 內存
SK海力士開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’
- 7月2日，SK海力士宣布開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個(gè)pin 3.6Gbps的處理速度，通過(guò)1,024個(gè)I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術(shù)將8個(gè)16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
國產(chǎn)DRAM內存抱團發(fā)展 合肥長(cháng)鑫與3家公司合作
- 6月6日，長(cháng)三角一體化發(fā)展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行，合肥長(cháng)鑫與蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長(cháng)鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設。2019年國內存儲芯片取得了兩個(gè)突破——長(cháng)江存儲的3D閃存、合肥長(cháng)鑫的DRAM內存雙雙量產(chǎn)，其中內存國產(chǎn)化的意義更重要一些，畢竟這個(gè)市場(chǎng)主要就是美日兩大陣營(yíng)主導，門(mén)檻太高。合肥長(cháng)鑫的12英寸內存項目總計投資高達1500億，去年底量產(chǎn)了1Xnm級別（具體大概是19nm）的內存芯片，可以供應DDR4
- 關(guān)鍵字： 國產(chǎn) DRAM 內存 合肥長(cháng)鑫
南亞科：視歐美疫情定市場(chǎng) 10納米級產(chǎn)品試產(chǎn)
- 存儲器大廠(chǎng)南亞科28日召開(kāi)年度股東常會(huì )，會(huì )中董事長(cháng)吳嘉昭對于近期的產(chǎn)業(yè)狀況發(fā)表看法，指出2020年上半年DRAM市場(chǎng)的需求較2019年同期有小幅度的成長(cháng)，其主要原因是受惠于異地工作、遠端教育、視頻會(huì )議等各項需求所致。至于，2020年下半年市況，吳嘉昭則是表示，因為各項不確定因素仍多，因此目前仍必須要持續的觀(guān)察。吳嘉昭表示，2019年因中美貿易戰導致的關(guān)稅問(wèn)題，使得供應鏈面臨調整，加上全球經(jīng)濟放緩、英特爾處理器缺貨等因素，導致DRAM需求減少，使得平均銷(xiāo)貨較2018年減少超過(guò)45%，也使得南亞科在2019年
- 關(guān)鍵字： 存儲器 10nm 南亞科 DRAM
Intel拍胸脯：DDR5、PCIe 5.0明年見(jiàn)！
- 因為種種原因,Intel的產(chǎn)品規劃這兩年調整非常頻繁,路線(xiàn)圖經(jīng)常出現變動(dòng),無(wú)論是消費級還是企業(yè)級。在近日與投資者溝通時(shí),Intel公關(guān)總監Trey Campbell就保證說(shuō),將在今年第二季度末(最遲至6月底)發(fā)布代號Ice Lake-SP的下一代至強服務(wù)器平臺,明年某個(gè)時(shí)候則會(huì )帶來(lái)Sapphire Rapids。Ice Lake-SP將采用和移動(dòng)端Ice Lake-U/Y系列相同的10nm工藝、Sunny Cove CPU架構,并更換新的LGA4189封裝接口,核心數量和頻率暫時(shí)不詳(據說(shuō)最多38核心),
- 關(guān)鍵字： 英特爾 CPU處理器 服務(wù)器 DDR5 至強 PCIe 5.0 Sapphire Rapids
ddr5 dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
ddr5 dram相關(guān)帖子
ddr5 dram資料下載
ddr5 dram專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473