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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區
MRAM技術(shù)新突破！臺灣清大團隊發(fā)表新磁性翻轉技術(shù)
- 全球各半導體大廠(chǎng)如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)，準備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學(xué)研究團隊最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?！ RAM為非揮發(fā)性存儲器技術(shù)，斷電時(shí)利用納米磁鐵所存儲的數據不會(huì )流失，是“不失憶”的存儲器。其結構如三明治，上層是自由翻轉的鐵磁層，可快速處理數據，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲數據，兩層中則有氧化層隔開(kāi)?！ ∑?/li>
- 關(guān)鍵字： MRAM DRAM
集邦咨詢(xún)：DRAM均價(jià)受庫存尚未去化完成影響，跌勢恐將持續至下半年
- Mar. 25, 2019 ---- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，受庫存過(guò)高影響，DRAM第一季合約價(jià)跌幅持續擴大，整體均價(jià)已下跌逾20%。然而價(jià)格加速下跌并未刺激需求回溫，預計在庫存尚未去化完成的影響下，DRAM均價(jià)跌勢恐將持續至第三季?！ 「鶕﨑RAMeXchange調查，DRAM供應商累積的庫存水位在第一季底已經(jīng)普遍超過(guò)六周 (含wafer bank)，而買(mǎi)方的庫存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減，但平均至少達五周，在服務(wù)器以及PC客戶(hù)端甚至超過(guò)七周?！ ∵M(jìn)
- 關(guān)鍵字： 集邦咨詢(xún) DRAM
中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，因素在于美國管制與韓國壟斷
- 根據韓國媒體《BusinessKorea》的報導指出，中國一直企望發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)，但在近期受到韓國存儲器大廠(chǎng)三星與SK海力士在市場(chǎng)壟斷與持續技術(shù)精進(jìn)下，加上美國對知識產(chǎn)權的嚴密保護，其目的將難以達成?！ 髮е赋?，2018年10月份，在中國NANDFlash快閃存儲器技術(shù)上領(lǐng)先的長(cháng)江存儲(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后，當時(shí)就宣布將在2020年時(shí)跳過(guò)64層及96層堆疊的產(chǎn)品，直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國的存儲器龍頭廠(chǎng)三星，早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
- 關(guān)鍵字： DRAM NANDFlash
DRAM價(jià)格暴跌 韓國前景“一片烏云”
- 根據據韓媒《韓鮮日報》報導，DRAM的價(jià)格接連下跌，零售的計算機用DRAM價(jià)格最終也下跌到5萬(wàn)韓元以下，這樣的走勢比預期要快許多，預計今年出口的前景也不樂(lè )觀(guān)?！ ≡陧n國電子產(chǎn)品價(jià)格比較網(wǎng)“Danawa”上，本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價(jià)格是4萬(wàn)8900韓元，已經(jīng)下跌到5萬(wàn)韓元以下，與去年4月9萬(wàn)9270韓元的高點(diǎn)相比下跌了50.7%?！ 2B(企業(yè)間交易)市場(chǎng)價(jià)格指標也呈暴跌的趨勢，據市調公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易價(jià)格是比起今年1月
- 關(guān)鍵字： DRAM SK海力士
DRAM大幅跌價(jià) 三星的半導體老大位置懸了
- 據市調機構DRAMeXchange公布的調查報告指，今年以來(lái)DRAM內存價(jià)格大幅下跌，其估算一季度的跌幅從預期的25%擴大至30%，這對于依靠存儲芯片取得了全球半導體老大位置的三星來(lái)說(shuō)顯然不是好消息，其或因存儲芯片價(jià)格持續下跌導致位置不保?！ 〈鎯π酒瑑r(jià)格持續上漲助三星取代Intel 自2016年以來(lái)，受PC、智能手機等產(chǎn)品對存儲芯片需求不斷擴大，PC正將機械硬盤(pán)轉換為速度更快的SSD硬盤(pán)、DRAM內存的容量在不斷增大，智能手機的閃存和內存容量也在不斷擴大，存儲芯片價(jià)格進(jìn)入了快速上漲的階段?！ ∽鳛?/li>
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
集邦咨詢(xún)：第一季DRAM合約價(jià)大幅下修，創(chuàng )8年以來(lái)最大跌幅
- Mar. 5, 2019 ---- 根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查，由于供過(guò)于求的市況，DRAM產(chǎn)業(yè)大部分交易已經(jīng)改為月結價(jià)(Monthly Deals)，2月份更罕見(jiàn)出現價(jià)格大幅下修。目前季跌幅從原先預估的25%調整至逼近30%，是繼2011年以來(lái)單季最大跌幅?！ RAMeXchange指出，從市場(chǎng)面來(lái)觀(guān)察，整體合約價(jià)自去年第四季開(kāi)始下跌，隨后庫存水位持續攀升。近期DRAM原廠(chǎng)庫存(含wafer bank)普遍來(lái)到至少一個(gè)半月的高水位。同時(shí)，Intel低
- 關(guān)鍵字： DRAM
中國將增加在美半導體采購量？韓媒：不太容易
- 據businesskorea報道，中國計劃在未來(lái)六年內將在美國的半導體采購增加到2000億美元(約合225.9萬(wàn)億韓元)，大約是目前水平的五倍?！ ∪欢?，許多專(zhuān)家表示，美國急于遏制中國的半導體野心，不太可能接受中國的提議，因為它將增加對中國的半導體依賴(lài)?！ №n國企業(yè)對該計劃持謹慎態(tài)度，主要有兩個(gè)原因?！ ∈紫?，中國沒(méi)有提及將購買(mǎi)哪一種半導體。一家韓國半導體公司的高級官員表示:“中國沒(méi)有說(shuō)明將進(jìn)口何種半導體芯片，無(wú)論是內存、中央處理器(CPU)還是系統半導體芯片。在這種情況下，很難預測對韓國企業(yè)的影響。
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
DRAM技術(shù)再一次實(shí)現突破，DDR6火速殺到：速度飛天
- 據外媒消息，第二大DRAM芯片廠(chǎng)商SK海力士已著(zhù)手第六代DDR內存即DDR6的研發(fā)，預期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000?！ 〗邮懿稍L(fǎng)時(shí)，SK海力士研發(fā)Fellow Kim Dong-kyun前瞻，DDR6將在5~6年內發(fā)展起來(lái)?！ im Dong-kyun透露，“后DDR5”產(chǎn)品已經(jīng)有幾套技術(shù)概念成型，其中一套延續現有的數據傳輸規范，另一套則是將DRAM和CPU等片上系統的處理技術(shù)結合?！ ≠Y料顯示，去年11月，SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開(kāi)發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的DD
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR6
非易失性存儲器和易失性存儲器的對比
- 非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時(shí)候數據不會(huì )丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節尋址兩類(lèi)?！ ≡诤芏嗟拇鎯ο到y的寫(xiě)操作程序中，內存作為控制器和硬盤(pán)之間的重要橋梁，提供更快速的性能，但是如果發(fā)生突然間斷電的情況，如何保護內存中的數據不丟失，這是存儲系統中老生常談的議題。易失性存儲器就是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時(shí)候，里面的數據會(huì )丟失，就像內存。非易失性存儲器在上面的情況下數據不會(huì )丟失，像硬盤(pán)等外存。RRAM是一
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
2019年第一季DRAM合約價(jià)跌幅擴大至近20%
- 根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2018年12月正值歐美年節時(shí)期，DRAM成交量清淡，因此不列入合約價(jià)計算，意味著(zhù)12月份合約價(jià)與11月份大致持平。主流模組8GB均價(jià)仍在60美元左右，而4GB約在30美元水位，但兩種模組的最低價(jià)分別已跌破60與30美元關(guān)卡。DRAMeXchange指出，2019年第一季合約價(jià)已于去年12月開(kāi)始議定，綜合庫存過(guò)高、需求比原先預估更為疲弱，以及短中期經(jīng)濟展望不明朗等因素，買(mǎi)賣(mài)雙方已有8GB均價(jià)降至55美
- 關(guān)鍵字： DRAM，價(jià)格
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