紅「芯」勢力崛起 三星DRAM事業(yè)的危機與中轉

半導體無(wú)所不在，舉凡汽車(chē)、家電、手機到戰斗機，皆少不了半導體這玩意。半導體為韓國最具代表性產(chǎn)業(yè)，占外銷(xiāo)總金額的20%。然而2018年底存儲器榮景告終、價(jià)格走跌，除了讓三星電子(Samsung Electronics)存儲器事業(yè)陷入危機外，韓國經(jīng)濟前景也跟著(zhù)蒙上陰影。面對中國大陸DRAM力拚崛起，及工業(yè)4.0革命可能帶來(lái)的爆炸性需求，三星半導體事業(yè)將采取何種策略令人好奇。

DRAM陷價(jià)格風(fēng)暴　三星庫存資產(chǎn)飆升

2018年三星電子全年營(yíng)收243兆韓元(約2,169億美元)，營(yíng)業(yè)利益59兆韓元，其中半導體事業(yè)占三星營(yíng)收的35%，但營(yíng)業(yè)利益卻占76%，半導體等于撐起三星大多數獲利，然2018年底三星存儲器營(yíng)收季減24%，營(yíng)業(yè)利益季減43%，危機隱憂(yōu)浮現。

三星半導體事業(yè)分為存儲器(DRAM、NAND Flash)與非存儲器(系統IC及晶圓代工)。2018年三星半導體事業(yè)營(yíng)收86兆韓元，存儲器占比84%，非存儲器占比16%，半導體事業(yè)營(yíng)業(yè)利益44兆韓元，存儲器占97%，非存儲器僅占3%，半導體事業(yè)獲利極端依賴(lài)存儲器。

從存儲器部門(mén)營(yíng)收與營(yíng)業(yè)利益來(lái)看，2018年三星存儲器營(yíng)收72兆韓元，64%營(yíng)收來(lái)自DRAM，36%營(yíng)收來(lái)自NAND Flash，存儲器營(yíng)業(yè)利益43兆韓元，75%營(yíng)業(yè)利益來(lái)自DRAM，25%營(yíng)業(yè)利益來(lái)自NAND Flash，三星存儲器事業(yè)獲利也不均衡，DRAM可說(shuō)是三星最大獲利金雞母，重要性可見(jiàn)一斑。

1983年三星發(fā)表著(zhù)名的「東京宣言」，正式開(kāi)啟DRAM事業(yè)序曲，DRAM成為三星王國版圖中最重要的產(chǎn)品。2000年代全球DRAM市場(chǎng)經(jīng)歷多次膽小鬼賽局，業(yè)者從十多家變成個(gè)位數，逐漸形成三星、SK海力士(SK Hynix)與美光(Micron)三巨頭寡占局面，三星與SK海力士(SK Hynix)合計市占率超過(guò)7成，韓國稱(chēng)霸全球DRAM市場(chǎng)。

2016年以來(lái)受惠于PC、智能型手機需求擴大，存儲器市場(chǎng)進(jìn)入榮景循環(huán)，直至2018年底DRAM價(jià)格走跌。市調機構預估，2019年第1季DRAM價(jià)格年跌幅，將從原本的25%擴大至30%，這對高度依賴(lài)存儲器的三星自然不是好消息。預料隨著(zhù)存儲器價(jià)格持續走跌，2019年三星恐讓出全球半導體龍頭企業(yè)寶座，英特爾(Intel)有望重登王位。

最近也傳出三星庫存資產(chǎn)飆升情況嚴重，相較于產(chǎn)品價(jià)格下滑，庫存資產(chǎn)升高背后的原因更值關(guān)注。因為這表示，三星存儲器主要客戶(hù)，美國與中國大陸等的服務(wù)器業(yè)者訂單大幅減少。盡管三星預測2019年下半市況將會(huì )好轉，但韓國業(yè)界則比較悲觀(guān)，認為短期內三星降低庫存資產(chǎn)水位并非易事。

稍早傳出三星已帶頭在NAND Flash市場(chǎng)大幅砍價(jià)，應驗先前存儲器市場(chǎng)膽小鬼賽局，將從NAND Flash開(kāi)始的預言，由于DRAM市場(chǎng)已形成寡占局面，三巨頭合計市占率高達95%，DRAM市場(chǎng)再掀膽小鬼賽局的可能性相對較低。

日前SK海力士宣布，斥資120兆韓打造4座半導體廠(chǎng)，美光則決定加碼中國臺灣建封測廠(chǎng)，三星也積極興建平澤二廠(chǎng)。放眼未來(lái)DRAM市場(chǎng)，三星、SK海力士與美光的擴產(chǎn)競爭仍將持續，而中國大陸何時(shí)加入與如何加入？恐成DRAM市場(chǎng)最大變量。

三星DRAM堅守韓國　EUV制程拚2020年投產(chǎn)

中國大陸目前有SK海力士無(wú)錫DRAM廠(chǎng)、英特爾(Intel)大連NAND Flash廠(chǎng)、美光西安DRAM廠(chǎng)，及三星西安NAND Flash廠(chǎng)。至今，三星并未將DRAM生產(chǎn)移至大陸。三星DRAM生產(chǎn)工廠(chǎng)主要以華城為主，最近也擴及至平澤園區。

2019年三星DRAM產(chǎn)線(xiàn)計有5條：華城13、華城15、華城16及華城17及平澤P1。原本華城11產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)DRAM，但2018年決定轉換生產(chǎn)CMOS影像傳感器(CIS)，華城16產(chǎn)線(xiàn)中的2D NAND Flash產(chǎn)線(xiàn)，則是轉換生產(chǎn)DRAM彌補產(chǎn)能。

DRAM從20納米進(jìn)入10納米1x制程已相當不容易，接下來(lái)10納米1y及1z制程更為困難。2017年11月三星率先量產(chǎn)1y納米制程DRAM，2019年3月21日三星宣布完成開(kāi)發(fā)1z納米制程，預計2019年下半進(jìn)入量產(chǎn)。

美光2018年底量產(chǎn)1y納米制程Mobile DRAM，SK海力士則是宣布2019年第1季起量產(chǎn)1y納米制程DRAM，三星領(lǐng)先對手1~2年，預料2019年三家業(yè)者的10納米級DRAM制程競爭，勢將更為白熱化。

三星傳計劃2020年初，啟用極紫外光(EUV)設備試產(chǎn)新一代DRAM。事實(shí)上，導入EUV設備制程的舉動(dòng)，將讓以美國為首的全球半導體制造地位更為鞏固，墊高日后中國大陸業(yè)者進(jìn)入先進(jìn)制程的難度。

盡管大陸已在IC設計、封測及晶圓代工領(lǐng)域有所進(jìn)步，但在半導體制造領(lǐng)域大部分仍由中國臺灣、韓國業(yè)者掌握，中國臺灣、韓國身為美國半導體同盟成員，未來(lái)是否可能與大陸合作？頗值得玩味與觀(guān)察。

半導體的政治經(jīng)濟學(xué)　紅芯崛起的辯證思考

從國際政治經(jīng)濟學(xué)來(lái)看，中國大陸半導體崛起別具意義。美國向來(lái)視半導體為國家安全戰略的一環(huán)，美蘇冷戰時(shí)期，蘇聯(lián)高層誤信半導體抗輻射能力不如真空管，在發(fā)展半導體的黃金期敗下陣來(lái)，全球半導體產(chǎn)業(yè)就以美國為中心揭開(kāi)序幕。

蘇聯(lián)敗下陣后，美國也開(kāi)始拉邦結友，半導體產(chǎn)業(yè)于是以美國及其「盟友」為中心開(kāi)始發(fā)展。例如，DRAM有三星、SK海力士等盟友，NAND Flash有三星、SK海力士、東芝等盟友，及美光、威騰(WD)、英特爾等美國業(yè)者，CPU則由英特爾及超微(AMD)掌握。

隨著(zhù)大陸經(jīng)濟與科技不斷猛進(jìn)，科技發(fā)展逐漸擴及半導體，進(jìn)一步計劃半導體自給率從目前的15%，提升至2025年的70%。此舉自然引起美國警戒，美國總統川普為防堵中國大陸半導體勢力崛起，日前對福建晉華祭出禁售令，聯(lián)電自然也得急忙撇清關(guān)系。

在此之前，美國曾經(jīng)禁止英特爾出售高階芯片予大陸，也曾阻礙中國大陸企業(yè)收購美國半導體公司。雖然美國可能也有意牽制所有中國大陸的存儲器業(yè)者，但暫時(shí)還無(wú)法有正當理由對NAND Flash發(fā)動(dòng)攻勢。

中國大陸自然不甘坐以待斃，2017年底~2018年初大陸國家發(fā)展改革委員會(huì )，傳曾經(jīng)約談三星半導體高層，2018年5月反壟斷局正式對三星、SK海力士及美光等三家業(yè)者展開(kāi)調查，施壓意味明顯。傳為了加速中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)崛起，中國大陸當局要求這些業(yè)者中斷對大陸企業(yè)提出專(zhuān)利侵權訴訟，交換條件是免除數十億美元罰金。

DRAM領(lǐng)域牽涉到的技術(shù)面訴訟，及軍事用途等敏感問(wèn)題，這些在NAND Flash身上都不存在，加上NAND Flash技術(shù)門(mén)檻較低，將使大陸NAND Flash產(chǎn)業(yè)成長(cháng)速度快過(guò)DRAM。盡管中國大陸的DRAM發(fā)展值得關(guān)注，但目前看來(lái)想追上三星、SK海力士等并非易事。

從需求層面來(lái)看，2018年全球前十大半導體客戶(hù)大陸進(jìn)榜4家，分別是華為、聯(lián)想、步步高及小米，中國大陸半導體崛起的最大助力，除政策金援外，其龐大的內需也不容忽視。如果從三星極度不均衡發(fā)展的半導體事業(yè)出發(fā)，三星或許也想利用這股紅芯崛起，修正半導體事業(yè)的不均衡。

三星DRAM的危與機　SDI高層跳槽為哪里樁

目前中國大陸力拚半導體崛起，對三星而言恐怕「感同身受」，因為過(guò)去三星也是從落后到追趕，終成一方霸主?；仡櫲前l(fā)展DRAM事業(yè)的當時(shí)，不少日本研究機構多給予負評，認為三星無(wú)法成功發(fā)展半導體事業(yè)。

2017年底，三星發(fā)布了一項不尋常的人事命令，讓三星存儲器事業(yè)部長(cháng)全永鉉出任三星SDI代表理事。全永鉉曾任樂(lè )金半導體DRAM開(kāi)發(fā)組，1999年轉任三星電子，先后擔任DRAM開(kāi)發(fā)室長(cháng)、Flash開(kāi)發(fā)室長(cháng)、策略營(yíng)銷(xiāo)組長(cháng)等職，2015年成為存儲器事業(yè)部長(cháng)，可說(shuō)是三星發(fā)展DRAM與NAND Flash的重要人物。

盡管不少人猜測，三星有意將三星電子的成功經(jīng)驗復制到三星SDI，但當時(shí)正值三星存儲器供不應求，價(jià)格不斷沖高之際，三星卻將存儲器核心人力調往三星SDI令人不解。

1970年成立的三星SDI，并非三星集團的主力公司，受關(guān)注程度不及三星電子，事業(yè)項目也進(jìn)行過(guò)多次調整。早期三星SDI生產(chǎn)映像管(CRT)，2014年整并第一毛織材料事業(yè)，能源解決方案與電子材料為目前的兩大發(fā)展主軸。

審視三星集團龐大且復雜的循環(huán)出資圖，可發(fā)現三星物產(chǎn)－三星電子－三星SDI－三星物產(chǎn)這條循環(huán)出資路徑，三星SDI對第三代繼承經(jīng)營(yíng)權轉移扮演關(guān)鍵角色，其背后最大股東則是三星電子。

據ET News報導，2018年底三星針對想轉赴大陸半導體企業(yè)任職的離職主管，提出禁止轉職假處分。2017年底三星發(fā)布定期人事異動(dòng)，曾將這名高層派至三星SDI策略營(yíng)銷(xiāo)室，不久后該名高層就以個(gè)人因素為由提出辭呈，隨即在2018年第3季進(jìn)入合肥長(cháng)鑫上海DRAM設計部門(mén)，這在韓國企業(yè)顯得極不尋常。

中國大陸喊出半導體崛起口號后，約從2~3年前開(kāi)始研發(fā)存儲器，最早先從同文同種的中國臺灣業(yè)界挖角，之后將延攬目標轉向韓國，逐漸以韓國工程師取代臺灣工程師，期透過(guò)挖角人才快速提升競爭力。

短期而言，中國大陸發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè)并不會(huì )對三星及韓國存儲器霸主地位構成威脅，反觀(guān)目前DRAM價(jià)格不斷下滑、需求縮減與庫存升高，恐怕才是三星應盡早解決的當務(wù)之急。展望未來(lái)，就算中國大陸DRAM順利量產(chǎn)，所要面對的智財權(IP)問(wèn)題恐怕相當棘手。