美光出樣DDR5內存：1Znm工藝、性能提升85%

2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì )支持DDR4內存，但是下一代DDR5內存已經(jīng)近在眼前，2021年就會(huì )正式上市。今天美光宣布開(kāi)始向客戶(hù)出樣最新的DDR5內存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。

與DDR4內存相比，DDR5標準性能更強，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時(shí)每通道32/40位（ECC）、總線(xiàn)效率提高、增加預取的Bank Group數量以改善性能等。

美光現在出樣的DDR5內存使用了最新的1Znm工藝，大概是12-14nm節點(diǎn)之間，ECC DIMM規格，頻率DDR5-4800，比現在的DDR4-3200內存性能提升了87%左右，不過(guò)距離DDR5-6400還有點(diǎn)距離，后期還有挖掘的空間。

對DDR5內存來(lái)說(shuō)，平臺的支持才是最大的問(wèn)題，目前還沒(méi)有正式支持DDR5內存的平臺，AMD預計會(huì )在2021年的Zen4處理器上更換插槽，支持DDR5內存，而Intel這邊14nm及10nm處理器都沒(méi)有明確過(guò)DDR5內存支持，官方路線(xiàn)圖顯示2021年的7nm工藝Sapphire Rapids處理器才會(huì )上DDR5，而且是首發(fā)服務(wù)器產(chǎn)品，消費級的估計還要再等等。