美光正在為DDR5擴大產(chǎn)能 并迅速轉向更先進(jìn)工藝技術(shù)

在近日與投資者和金融分析師召開(kāi)的收益電話(huà)會(huì )議上，美光對其長(cháng)期未來(lái)及對其產(chǎn)品的強勁需求表示了信心，該公司還概述了擴大產(chǎn)能的計劃，并迅速轉向更先進(jìn)的工藝技術(shù)。

美光表示，“我們相信，受人工智能、自動(dòng)駕駛汽車(chē)、5G和物聯(lián)網(wǎng)等廣泛的長(cháng)期趨勢驅動(dòng)，記憶和存儲的長(cháng)期需求前景引人注目”美光公司首席執行官桑杰·梅赫特拉(Sanjay Mehrotra)說(shuō)?！懊拦夤疽褱蕚浜美眠@些趨勢，創(chuàng )新產(chǎn)品，快速響應的供應鏈，與全球客戶(hù)建立良好關(guān)系?！?/p>

由于供應超過(guò)需求，近幾個(gè)季度DRAM價(jià)格大幅下跌。為了降低成本并為內存的新應用的出現做好準備，DRAM制造商正在積極地轉向更新的工藝技術(shù)。與此同時(shí)，雖然承認他們需要平衡DRAM的供需，但他們實(shí)際上已經(jīng)制定了積極的產(chǎn)能擴張計劃，因為他們需要更多的潔凈室用于即將到來(lái)的制造技術(shù)。

美光公司在制造工藝方面擁有積極的路線(xiàn)圖，現在又增加了4個(gè)10納米級節點(diǎn)(總共6個(gè)10納米級技術(shù))，該公司正在研究最終向極紫外光刻(EUVL)的過(guò)渡。美光還在擴大其生產(chǎn)能力，以便為下一代應用生產(chǎn)下一代存儲器，即為消費級準備32 GB內存模塊，為服務(wù)器準備64 GB DIMM。

本月早些時(shí)候，我們報道了美光的16 Gb DDR4內存芯片，該芯片采用該公司的第二代10納米級制造工藝(也稱(chēng)為1Y nm)生產(chǎn)。這些DRAM芯片已經(jīng)在用于威剛和英睿達的32 GB DDR4內存條中，這些產(chǎn)品也將不久后上市。

早在4月份，為了應對DRAM和新工藝技術(shù)需求的增加，美光存儲臺灣(前雷克斯光電半導體)新潔凈室破土動(dòng)工。

美光儲存(臺灣)早已在使用美光的第一代10納米級制造技術(shù)(也稱(chēng)為1X nm)制造DRAM產(chǎn)品，并將在不久的將來(lái)直接進(jìn)入第3代10納米級工藝(又名1Z nm) 。與此同時(shí)，去年美光在臺中附近開(kāi)辟了一個(gè)新的測試和包裝設施，創(chuàng )造了世界上唯一的垂直集成DRAM生產(chǎn)設施之一。

此外，美光公司宣布計劃在日本廣島附近的公廠(chǎng)內投入20億美元用于新的潔凈室。據報道，新的產(chǎn)能將用于制造美光13納米工藝技術(shù)的DRAM。

總的來(lái)說(shuō)，美光將擁有多個(gè)10納米級節點(diǎn)。除了目前使用的第一代和第二代10納米級工藝技術(shù)外，美光還計劃推出至少四種10納米級制造工藝：1Z，1α，1β和1γ。

目前，美光公司正在生產(chǎn)第二代10納米級制造工藝(即1Y nm)，包括該公司的12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4存儲器件。

該公司的下一代1Z nm目前已獲得客戶(hù)的認可(即，他們正在測試使用該工藝生產(chǎn)的各種芯片)，預計將在近期宣布，該技術(shù)將用于生產(chǎn)16 Gb LPDDR5存儲器件以及DDR5存儲器件。

繼1Z nm節點(diǎn)之后，美光計劃開(kāi)始使用其1αnm制造技術(shù)以獲得更高的產(chǎn)量，這意味著(zhù)它正處于后期開(kāi)發(fā)階段。之后是1βnm制造工藝，該工藝也是處于早期開(kāi)發(fā)階段。

美光沒(méi)有說(shuō)明在1γnm工藝之后是否會(huì )直接進(jìn)入EUV。該公司正在評估ASML的Twinscan NXE步進(jìn)掃描功能以及使用極紫外光刻技術(shù)生產(chǎn)所需的其他設備，并正在評估這些工具何時(shí)可用于制造DRAM。