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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區
三星一季度全球DRAM市場(chǎng)份額超過(guò)40% 但銷(xiāo)售額有下滑
- 三星電子一季度在全球DRAM市場(chǎng)的份額超過(guò)了40%，但銷(xiāo)售額在這一季度有下滑。外媒的數據顯示，一季度三星電子在全球DRAM市場(chǎng)的份額為44.1%，是第一大廠(chǎng)商，較第二大廠(chǎng)商SK海力士高出了近15個(gè)百分點(diǎn)，后者的市場(chǎng)份額為29.3%。雖然三星的市場(chǎng)份額超過(guò)了40%，但一季度三星DRAM的營(yíng)收其實(shí)有下滑，較上一季度下滑3%。DRAM市場(chǎng)份額僅次于三星的SK海力士，一季度的銷(xiāo)售額也下滑了4%，下滑幅度還高于三星。三星電子和SK海力士之后的第三大DRAM廠(chǎng)商是美光科技，其一季度的市場(chǎng)份額為20.8%，銷(xiāo)售額下滑1
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SK海力士公布DDR5內存規范：頻率高達8400MHz、今年量產(chǎn)
- 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì )尚未敲定DDR5內存標準的最終細節,但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細節公之于眾。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),DDR5內存頻率從3200MHz起跳(廠(chǎng)商一般都會(huì )從4800MHz出貨)、最高可達8400MHz(時(shí)序瑟瑟發(fā)抖……)。核心容量密度方面,SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說(shuō),DDR5時(shí)代單條內存最大可到128GB。其它參數也均有明顯改進(jìn),兩個(gè)關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和VPP分別從1.2V、2.5V將至1.1V、1.8V,可進(jìn)一步緩解
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SK海力士公布DDR5內存規范：頻率高達8400MHz、今年量產(chǎn)
- 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì )尚未敲定DDR5內存標準的最終細節，但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細節公之于眾?！ 『?jiǎn)單來(lái)說(shuō)，DDR5內存頻率從3200MHz起跳（廠(chǎng)商一般都會(huì )從4800MHz出貨）、最高可達8400MHz（時(shí)序瑟瑟發(fā)抖……）?！ 『诵娜萘棵芏确矫?，SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇，也就是說(shuō)，DDR5時(shí)代單條內存最大可到128GB?！ ∑渌鼌狄簿忻黠@改進(jìn)，兩個(gè)關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和
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漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別
- 從20nm技術(shù)節點(diǎn)開(kāi)始，漏電流一直都是動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現明顯的結構異常，DRAM設計中漏電流造成的問(wèn)題也會(huì )導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關(guān)重要的一個(gè)考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲單元；(b)單元晶體管中的柵誘導漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線(xiàn)接觸 (BLC) 與存儲節點(diǎn)接觸 (SNC) 之間的電介質(zhì)泄漏；(d) DRAM電容處的電介質(zhì)泄漏。DRAM存儲單元（圖1 (a)）在電
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Intel、AMD推遲支持：DDR5內存明年殺到
- 據外媒報道稱(chēng),由于種種原因所致,Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內存的平臺了。三星方面也已經(jīng)表示,2021年量產(chǎn)DDR5內存,并且使用EUV工藝,制作將會(huì )在韓國平澤的新工廠(chǎng)進(jìn)行,三星同時(shí)宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內存已經(jīng)出貨了100萬(wàn)。三星表示EUV技術(shù)減少了光刻中多次曝光的重復步驟,并提高了光刻的準確度,從而提高性能、提高產(chǎn)量,并縮短了開(kāi)發(fā)時(shí)間。三星估計,使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內存,其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會(huì )比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍。據悉,三星第四代10nm
- 關(guān)鍵字： 英特爾 內存 GDDR5 DDR5
三星率先為DRAM芯片導入EUV：明年將用于DDR5/LPDDR5大規模量產(chǎn)
- 當前在芯片制造中最先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內存顆粒的生產(chǎn)中。這家韓國巨頭今日宣布，已經(jīng)出貨100萬(wàn)第一代10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶(hù)評估，這為今后高端PC、手機、企業(yè)級服務(wù)器等應用領(lǐng)域開(kāi)啟新大門(mén)。得益于EUV技術(shù)，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復步驟，并進(jìn)一步提升產(chǎn)能。三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開(kāi)始全面導入EUV，明年基于D1a大規模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內存芯片，預計會(huì )使12
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM EUV
中國芯片工廠(chǎng)停擺、DDR5延期？美光辟謠：一切正常
- 韓媒報道稱(chēng)美國美光公司在中國地區的工廠(chǎng)及辦公室也受到了嚴重影響,生產(chǎn)中斷,拖累DDR5量產(chǎn),不過(guò)美光方面否認了相關(guān)報道。最近的疫情危機不僅影響了很多的生活,更重要的是導致一些工廠(chǎng)不能正常開(kāi)工。韓國媒體報道稱(chēng),春節期間,美光公司在中國地區不僅辦公室工作受到影響,生產(chǎn)線(xiàn)也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國區目前已經(jīng)開(kāi)始恢復生產(chǎn),但是臨時(shí)中斷產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)帶來(lái)嚴重損失,還推遲了DDR5內存量產(chǎn)的計劃,對客戶(hù)的供貨也會(huì )出現問(wèn)題。針對這些報道,美光公司下午發(fā)表聲明否認,聲稱(chēng)美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關(guān)注國際性新冠
- 關(guān)鍵字： 美光 內存 DDR5
中國芯片工廠(chǎng)停擺、DDR5延期？美光辟謠：一切正常
- 韓媒報道稱(chēng)美國美光公司在中國地區的工廠(chǎng)及辦公室也受到了嚴重影響,生產(chǎn)中斷,拖累DDR5量產(chǎn),不過(guò)美光方面否認了相關(guān)報道。最近的疫情危機不僅影響了很多的生活,更重要的是導致一些工廠(chǎng)不能正常開(kāi)工。韓國媒體報道稱(chēng),春節期間,美光公司在中國地區不僅辦公室工作受到影響,生產(chǎn)線(xiàn)也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國區目前已經(jīng)開(kāi)始恢復生產(chǎn),但是臨時(shí)中斷產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)帶來(lái)嚴重損失,還推遲了DDR5內存量產(chǎn)的計劃,對客戶(hù)的供貨也會(huì )出現問(wèn)題。針對這些報道,美光公司下午發(fā)表聲明否認,聲稱(chēng)美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關(guān)注國際性新冠
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存儲器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結束 ？
- 據IDC預測，2025年全球數據將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數據量，半導體存儲器將具有極大的市場(chǎng)。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類(lèi)型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場(chǎng)2017年的存儲器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營(yíng)收規模均成長(cháng)近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營(yíng)收頭把交椅。整體來(lái)說(shuō)，2017年全球半導體市場(chǎng)規模比2016年成長(cháng)22.2%，達4197.2億美元，存儲器的
- 關(guān)鍵字： 存儲器、NAND、DRAM
全球DRAM產(chǎn)業(yè)迎來(lái)大牛市 內存將連漲7個(gè)季度
- 最近的疫情危機給全球大多數電子產(chǎn)品的前景蒙上了陰影，智能手機Q1季度會(huì )是暴跌50%。不過(guò)內存廠(chǎng)商現在可以輕松下了，Q1季度開(kāi)始就進(jìn)入全球牛市，預計會(huì )連漲七個(gè)季度，也就是2020年底才可能穩下來(lái)。自從1月初的三星供電停電、東芝工廠(chǎng)起火之后，這兩家公司紛紛表態(tài)對生產(chǎn)基本沒(méi)影響，但是全球存儲芯片的市場(chǎng)依然像是打了雞血，內存及SSD硬盤(pán)的現貨價(jià)應聲而起，1月份就漲價(jià)高達30%。那這一波內存漲價(jià)要持續多久呢？UBS瑞銀分析師Timothy Acuri日前發(fā)表報告評估了內存市場(chǎng)的發(fā)展趨勢，他認為內存漲價(jià)將持續至少7個(gè)
- 關(guān)鍵字： DRAM、內存
美光交付全球首款量產(chǎn)的LPDDR5芯片
- 美光科技近日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM 芯片，并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機。
- 關(guān)鍵字： 美光科技 DDR5 DRAM 芯片
內存和存儲的應用熱點(diǎn)與解決方案
- Raj Talluri? （美光科技移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部 高級副總裁兼總經(jīng)理） 1 內存和存儲領(lǐng)域會(huì )出現哪些應用或技術(shù)熱點(diǎn) 數據爆發(fā)推動(dòng)了各個(gè)技術(shù)領(lǐng)域對內存和存儲的需求，而云和移動(dòng)是當前內存和存儲的最大需求來(lái)源?！ ≡谝苿?dòng)領(lǐng)域，基于視頻內容和游戲的需求不斷增長(cháng)，智能手機比以往需要更大的 DRAM ， 以 支持計算攝影、面部識別、增強現實(shí)等各種功能。根據客戶(hù)的需求趨勢判斷，美光認為2020年，智能手機的平均容量將達到5GB的DRAM和120 GB的NAND?！ ∨c此同時(shí)，5G網(wǎng)絡(luò )的普及將刺激對DRAM和N
- 關(guān)鍵字： 202002 內存 DRAM AI
2020年全球內存產(chǎn)業(yè)趨勢分析
- 張明花（集邦咨詢(xún)顧問(wèn)（深圳）有限公司 編輯，深圳 518000） 摘? 要：預估2020年全球內存市場(chǎng)的年成長(cháng)率僅為12.2%，這個(gè)數字在年成長(cháng)動(dòng)輒25%、甚至40%~50%的傳統內存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內存廠(chǎng)商2020年將以獲利為主要目標，資本支出也會(huì )減少?！ ￡P(guān)鍵詞：內存；DRAM；三星；SK海力士；美光 觀(guān)察全球內存（DRAM）市場(chǎng)供需格局以及價(jià)格走勢，在歷經(jīng)近5個(gè)季度的庫存調整后，2019年第4季 度DRAM市場(chǎng)仍處于微幅供過(guò)于求狀態(tài)，即便2020年 第1季度DRAM的
- 關(guān)鍵字： 202002 內存 DRAM 三星 SK海力士 美光
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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