DDR5加速滲透，封測龍頭帶來(lái)新消息

近日，封測龍頭長(cháng)電科技宣布，高性能動(dòng)態(tài)隨機存儲DDR5芯片成品實(shí)現穩定量產(chǎn)。

隨著(zhù)5G高速網(wǎng)絡(luò )、云端服務(wù)器、智能汽車(chē)等領(lǐng)域對存儲系統性能的要求不斷提升，DDR5芯片在服務(wù)器、數據中心等領(lǐng)域加速滲透。相比前代產(chǎn)品，DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢，給用戶(hù)帶來(lái)更佳的可靠性和擴展性，市場(chǎng)前景廣闊。

反映到芯片成品制造環(huán)節，包括DDR5在內的存儲芯片效能不斷提升，對芯片封裝提出更高集成度、更好電氣性能、更低時(shí)延，以及更短互連等要求。

為此，長(cháng)電科技通過(guò)各種先進(jìn)的2.5D/3D封裝技術(shù)，實(shí)現同尺寸器件中的高存儲密度性能，滿(mǎn)足市場(chǎng)的需求。

目前，長(cháng)電科技的工藝能力可以實(shí)現16層芯片的堆疊，單層芯片厚度為35um，封裝厚度為1mm左右。長(cháng)電科技包括DDR在內各類(lèi)存儲產(chǎn)品已實(shí)現量產(chǎn)。

長(cháng)電科技表示，隨著(zhù)PC端、服務(wù)器端、以及消費端等領(lǐng)域對存儲系統性能的要求不斷提升，市場(chǎng)對DDR5的需求有望加速釋放，為集成電路封測帶來(lái)新機遇。