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hkmg 文章 進(jìn)入hkmg技術(shù)社區
Gate-first HKMG工藝不行了？IBM技術(shù)聯(lián)盟成員辟謠忙
- 以IBM公司為首的芯片制造技術(shù)聯(lián)盟，即GlobalFoundries，三星等公司組成的團體最近駁斥了有關(guān)該聯(lián)盟在開(kāi)發(fā)high-k+金屬柵極(HKMG)工藝時(shí)遇到困難的傳言。 風(fēng)波的起因在于近日Barclays的分析師Andrew Lu的一份報告，這份報告指出：“HKMG技術(shù)的目的在于減小柵極尺寸變小時(shí)的柵漏電量。”文章指出，在如何實(shí)現HKMG技術(shù)方面，業(yè)界分為兩大流派，其一是Intel，臺積電為首的Gate-last派，Gate last工藝將生成金屬柵極的工步放在漏源極
- 關(guān)鍵字： IBM HKMG
先柵極還是后柵極 業(yè)界爭論高K技術(shù)
- 隨著(zhù)晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術(shù)幾乎已經(jīng)成為45nm以下級別制程的必備技術(shù).不過(guò)在制作HKMG結構晶體管的 工藝方面，業(yè)內卻存在兩大各自固執己見(jiàn)的不同陣營(yíng)，分別是以IBM為代表的Gate-first(先柵極)工藝流派和以Intel為代表的Gate-last(后柵極)工藝流派，盡管兩大陣營(yíng)均自稱(chēng)只有自己的工藝才是最適合制作HKMG晶體管的技術(shù)，但一般來(lái)說(shuō)使用Gate-first工藝實(shí)現HKMG結構的難點(diǎn)在于如何控制 PMOS管的Vt電壓(門(mén)限電壓);而Gate-la
- 關(guān)鍵字： Intel 45nm HKMG
整裝待發(fā)：GlobalFoundries德累斯頓Fab1工廠(chǎng)探秘
- 對GlobalFoundries公司設在德國德累斯頓的Fab1工廠(chǎng)的總經(jīng)理Udo Nothelfer和他的員工來(lái)說(shuō)，今年可以說(shuō)是任務(wù)繁重的一年。今年， 他管理的這間工廠(chǎng)要實(shí)現產(chǎn)能的翻倍，其月晶圓產(chǎn)能要從3萬(wàn)片增加到6萬(wàn)片。同時(shí)，Fab1工廠(chǎng)的生產(chǎn)任務(wù)也將從過(guò)去單單為AMD公司代工MPU芯片，轉為 現在的還需要為其它多家公司代工芯片產(chǎn)品。不僅如此，今年Fab1還要盡量提升采用新款32/28nm HKMG制程技術(shù)制作的芯片產(chǎn)品的產(chǎn)量。 Udo Nothelfer 不過(guò)挑戰正
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries HKMG MPU
半導體業(yè)界的HKMG攻防戰：詳解兩大工藝流派之爭
- 隨著(zhù)晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術(shù)幾乎已經(jīng)成為45nm以下級別制程的必備技術(shù).不過(guò)在制作HKMG結構晶體管的 工藝方面，業(yè)內卻存在兩大各自固執己見(jiàn)的不同陣營(yíng)，分別是以IBM為代表的Gate-first工藝流派和以Intel為代表的Gate-last工藝流派，盡管兩大陣營(yíng)均自稱(chēng)只有自己的工藝才是最適合制作HKMG晶體管的技術(shù)，但一般來(lái)說(shuō)使用Gate-first工藝實(shí)現HKMG結構的難點(diǎn)在于如何控制 PMOS管的Vt電壓(門(mén)限電壓);而Gate-last工藝的難點(diǎn)則在于
- 關(guān)鍵字： 半導體 HKMG
臺積電老將再出山 蔣尚義領(lǐng)命戰研發(fā)
- 不知是否是因為Global Foundries的步步威脅，臺積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔任研究發(fā)展資深副總經(jīng)理，他將直接對張忠謀董事長(cháng)負責。 這是繼張忠謀6月重新執政臺積電以來(lái)，又一次重大的人事調整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺積電擔任研究發(fā)展副總經(jīng)理，帶領(lǐng)研發(fā)團隊一路順利開(kāi)發(fā)完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個(gè)世代的先進(jìn)工藝技術(shù)，成果斐然。但是三年多前因為要照顧年邁生病的父親而暫時(shí)離開(kāi)，如今因父親仙逝而能再度回到臺積，相信蔣資深副總的回任，
- 關(guān)鍵字： 臺積電 40納米 HKMG EUV
臺積電將低功耗高k金屬柵工藝納入28納米技術(shù)藍圖
- 臺積電24日宣布已將低耗電工藝納入28納米高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)工藝的技術(shù)藍圖，預計于2010年第三季進(jìn)行試產(chǎn)(Risk Production)。 臺積電自2008年九月發(fā)表28納米技術(shù)以來(lái)，技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)入量產(chǎn)的時(shí)程皆按預期計劃進(jìn)行。就試產(chǎn)時(shí)程順序而言，低耗電氮氧化硅(簡(jiǎn)稱(chēng)28LP)工藝預計于2010年第一季底進(jìn)行試產(chǎn)，高效能高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱(chēng)28HP)工藝則預計于2010年第二季底開(kāi)始試產(chǎn)，而低耗電高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱(chēng)28HPL)工藝的試產(chǎn)時(shí)程
- 關(guān)鍵字： 臺積電 28納米 HKMG
晶圓代工22納米競賽鳴槍 Global Foundries略勝臺積電一籌
- 晶圓代工業(yè)者Global Foundries來(lái)勢洶洶，除積極與臺積電爭搶兩大繪圖芯片客戶(hù)超微(AMD)與NVIDIA訂單，在技術(shù)上亦強調其將是目前晶圓代工廠(chǎng)最領(lǐng)先者，繼臺積電日前發(fā)表28納米制程技術(shù)，Global Foundries亦不甘示弱，對外發(fā)表22納米制程，預計最快2012年進(jìn)行生產(chǎn)，與臺積電互別苗頭意味濃。 臺積電日前在京都VLSI大會(huì )上發(fā)表28納米制程，是首代正式采用高k金屬柵(High-k Metal Gate;HKMG)制程技術(shù)，并將取代32納米成為全世代制程，多數晶圓廠(chǎng)包括Gl
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries 晶圓代工 繪圖芯片 28納米 HKMG
GLOBALFOUNDRIES介紹22納米及更小尺寸技術(shù)
- GLOBALFOUNDRIES日前介紹了一種創(chuàng )新技術(shù)，該技術(shù)可以克服推進(jìn)高 k金屬柵(HKMG)晶體管的一個(gè)主要障礙，從而將該行業(yè)向具有更強計算能力和大大延長(cháng)的電池使用壽命的下一代移動(dòng)設備推進(jìn)了一步。 眾所周知，半導體行業(yè)一直致力于克服似乎難以逾越的困難，以延續更小、更快、更節能的產(chǎn)品趨勢。研究是通過(guò)GLOBALFOUNDRIES參與IBM技術(shù)聯(lián)盟來(lái)與IBM合作的形式進(jìn)行的，旨在繼續將半導體元件的尺寸縮小到22納米節點(diǎn)及更小尺寸。 在2009年于日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會(huì )上，GLOB
- 關(guān)鍵字： GLOBALFOUNDRIES HKMG 電池
臺積電規劃32納米制程提供HKMG技術(shù)
- 據Chinatimes報道，臺積電年底40納米即將導入量產(chǎn)，對次世代32納米技術(shù)也有了新規劃，除了提供一般型及低功耗的32納米技術(shù)外，近期業(yè)內已傳出將提供高介電金屬柵電極（High-K Metal Gate，HKMG）技術(shù)，此舉等同于可提供中央處理器（CPU）代工服務(wù)，業(yè)內預期這是為了爭取AMD處理器訂單而先行鋪路。 臺積電于今年3月底正式推出40納米晶圓共乘服務(wù)，提供客戶(hù)泛用型制程（40G）及低耗電制程（40LP）等兩種制程，下半年亦有多個(gè)產(chǎn)品完成設計定案（tape-out），明年第二季將推出
- 關(guān)鍵字： 臺積電 40納米 HKMG CPU
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