存儲器廠(chǎng)商Q1虧損恐難逃

由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續跌，加上庫存水位過(guò)高，終端消費支出持續放緩，據外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價(jià)導致?tīng)I收及毛利率持續下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。

據外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng )下歷史新高。其中，占三星營(yíng)收比重最高的半導體事業(yè)，去年第四季庫存金額達29.1兆韓元（約折合222億美元），與前年相較大幅增加12.6兆韓元。

SK海力士面臨相同困境，根據其申報文件，去年第四季整體庫存資產(chǎn)拉高至15.7兆韓元（約折合120億美元），較前年增加75％。由于DRAM及NAND Flash業(yè)務(wù)占SK海力士營(yíng)收比重高達9成以上，目前內存低迷市況讓SK海力士營(yíng)運更容易受到更大打擊。

根據FnGuide的數據，在內存價(jià)格下跌及庫存過(guò)高情況下，三星及SK海力士的芯片業(yè)務(wù)預估第一季會(huì )出現虧損。法人預估，三星半導體事業(yè)部的第一季營(yíng)收虧損預估介于1.91兆至4.47兆韓元，約介于14.6億至34.0億美元之間，而SK海力士第一季營(yíng)業(yè)虧損預估超過(guò)3兆韓元，約接近23億美元。

雖然各家內存廠(chǎng)自去年第四季開(kāi)始減產(chǎn)，但全球通膨導致消費者購買(mǎi)力大幅減退，疫情解封后仍未帶動(dòng)消費性電子需求回升，而美國及歐盟等主要經(jīng)濟體積極升息更壓抑終端消費力道。在內存供給過(guò)剩情況下，市調機構集邦預估第一季DRAM合約價(jià)將較上季續跌約13％～18％，NAND Flash合約價(jià)亦較上季續跌10％～15％，且第二季價(jià)格將續跌。

法人表示，內存價(jià)格續跌及市場(chǎng)需求仍疲弱，加上生產(chǎn)鏈庫存去化緩慢，內存市場(chǎng)景氣能否在第二季觸底仍有疑慮，臺灣內存廠(chǎng)南亞科、華邦電等亦面臨營(yíng)運壓力，第一季本業(yè)虧損恐在所難免，且虧損壓力將延續到第二季。