外媒：存儲大廠(chǎng)正在加速3D DRAM商業(yè)化
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據外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會(huì )議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202303/444477.htm三星電子半導體研究所副社長(cháng)兼工藝開(kāi)發(fā)室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認為是半導體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)增長(cháng)動(dòng)力。
考慮到目前DRAM線(xiàn)寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。
與現有的DRAM市場(chǎng)不同，3D DRAM市場(chǎng)上目前還沒(méi)有絕對的領(lǐng)導者，因此快速量產(chǎn)才是至關(guān)重要的。隨著(zhù)ChatGPT等人工智能（AI）應用產(chǎn)品的活躍，市場(chǎng)對高性能、大容量存儲半導體的需求將會(huì )增加。
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