2023年內存芯片趨勢
2022 年,存儲芯片無(wú)疑是半導體下行周期中受影響最嚴重的芯片品類(lèi)。進(jìn)入 2023 年,存儲芯片的下滑趨勢仍在繼續,何時(shí)止跌仍是未知數。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202303/445095.htm從 2021 年下半年至今,存儲芯片價(jià)格下跌的時(shí)長(cháng)已經(jīng)超過(guò) 18 個(gè)月。DRAM 和 NAND Flash 兩大內存芯片價(jià)格已經(jīng)下跌長(cháng)達 20 個(gè)月之久。盡管各大分析師認為,目前存儲芯片價(jià)格已接近底部,跌幅有所收窄,但下行趨勢仍在繼續。
Utmel 表示,2023 年 2 月全球智能手機出貨量(批發(fā))和銷(xiāo)售額(零售)分別同比下降 11% 和 5%。作為存儲芯片終端需求的三大驅動(dòng)力,智能手機市場(chǎng)的低迷無(wú)疑讓存儲芯片需求回暖雪上加霜。
當然,存儲芯片也出現在一些細分領(lǐng)域的利好信息中,比如 ChatGPT 對高帶寬存儲芯片的需求猛增,汽車(chē)智能化、高端制造信息化升級也將帶動(dòng)存儲芯片需求的增長(cháng)。不過(guò),這些細分需求能否對沖存儲芯片整體下滑的趨勢,目前還是一個(gè)未知數。
存儲芯片作為占集成電路第二大比重的產(chǎn)業(yè)占據著(zhù)核心地位,半導體和消費電子產(chǎn)業(yè)的景氣度有重要的支撐作用。而 2023 年的減單、減產(chǎn)、價(jià)格暴跌持續影響著(zhù)存儲芯片行業(yè)。
2022 年下半年開(kāi)始,三星、美光科技、西部數據、海力士、鎧甲俠等存儲芯片巨頭紛紛通過(guò)減產(chǎn)去庫存應對市場(chǎng)疲軟態(tài)勢。2023 年一季度,鎧甲俠、美光產(chǎn)線(xiàn)持續承壓,西部數據、SK 海力士跟進(jìn)減產(chǎn),力圖跨過(guò)行業(yè)寒冬。
從有分析人士的數據來(lái)看,主要廠(chǎng)商的努力對于減緩存儲芯片價(jià)格的下滑起到了不小的作用。2022 年第四季度全球 DRAM 和 NAND 閃存價(jià)格下跌約 20%-25%,預計 2023 年第一季度 DRAM 價(jià)格跌幅收窄至 13%-18%,NAND 閃存價(jià)格下跌約 10%-15%。這也使得業(yè)內普遍預期行業(yè)反彈的時(shí)間表越來(lái)越近。
由于存儲芯片固有的周期性,作為最主要產(chǎn)品的 DRAM 和 NAND Flash 的市場(chǎng)規模也具有明顯的周期性波動(dòng),通常遵循 3-4 年的波動(dòng)周期。按照這個(gè)規律,存儲芯片的最后一個(gè)景氣高點(diǎn)是 2021 年,預計到 2023 年底恢復增長(cháng)趨勢。
有業(yè)內專(zhuān)家分析,2023 年存儲芯片行業(yè)走勢有望呈現兩極分化:一方面,低端芯片產(chǎn)品庫存持續高企,價(jià)格大幅回落;另一方面,部分高端芯片市場(chǎng)需求日益旺盛,但由于產(chǎn)能回升緩慢等原因,供需矛盾依然突出,甚至面臨「一芯難求」的局面。其中,最具代表性的是高帶寬存儲芯片訂單的大增。
ChatGPT 的出現將推動(dòng) AI 在地面的應用,同時(shí)也催生了對高性能芯片的需求。受益于 ChatGPT,三星電子和 SK 海力士的 HBM 訂單自 2023 年初以來(lái)大幅增加,價(jià)格大幅反彈。
ChatGPT 發(fā)布后迅速在全球引起廣泛關(guān)注,各大廠(chǎng)商紛紛公布各自的 GPT 模型開(kāi)發(fā)計劃。以 GPT 模型為代表的大模型的訓練和應用帶來(lái)了底層算力需求的大幅提升,相應地需要大量的 AI 芯片為其提供算力支持。訓練 AI 模型需要大規模的數據集,AI 芯片中存儲的數據越多,大型模型的訓練速度越快,訓練精度越高。因此,ChatGPT 的訓練量急劇增加,最底層的基礎設施需要大量的運算芯片和存儲芯片。
HBM 是一種基于 3D 堆疊工藝的 DRAM 內存芯片技術(shù),可顯著(zhù)提高數據處理速度,而 ChatGPT 的發(fā)展導致第三代 HBM 報價(jià)大幅增加。HBM 是一種基于 3D 堆疊工藝的 DRAM 內存芯片,安裝在 GPU、網(wǎng)絡(luò )交換設備、AI 和高性能服務(wù)器中。HBM 可以大幅提升數據處理速度,每瓦帶寬比 HBM 可以大幅提升數據處理速度,每瓦帶寬是 GDDR5 的三倍以上,HBM 比 GDDR5 節省了 94% 的表面積。以 HBM 為代表的超高帶寬內存技術(shù)世代級模型也將加速 HBM 內存進(jìn)一步提升容量和帶寬。第三代 HBM 提供了一個(gè)巨大的飛躍,
當然,汽車(chē)智能化的快速推進(jìn)和高端制造信息化升級,也將帶動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)、醫療等行業(yè)強勁的市場(chǎng)需求。雖然車(chē)載存儲芯片整體市場(chǎng)規模約為手機存儲市場(chǎng)的十分之一,但在智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)發(fā)展大趨勢下,車(chē)載存儲板塊的快速發(fā)展有望為存儲行業(yè)提供新的增長(cháng)動(dòng)力,根據 Utmel 的預測,2021 年至 2027 年的復合年增長(cháng)率為 18.6%。
此外,5G 基站、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、數據中心、智能家居、可穿戴設備等新興應用不斷涌現,將對功耗、安全、傳輸速率、體積、成本等提出更高要求。存儲芯片,也將為存儲芯片市場(chǎng)提供重要的驅動(dòng)力。
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