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high na euv 文章 進(jìn)入high na euv技術(shù)社區
英特爾計劃與日本 AIST 合作建立芯片研究中心
- IT之家 9 月 3 日消息，日經(jīng)報道稱(chēng)，英特爾將與日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（AIST）在日本建立芯片研發(fā)基地，新設施將在三到五年內建成，配備極紫外線(xiàn)光刻（EUV）設備?！?圖源：英特爾設備制造商和材料公司將付費使用該設施進(jìn)行原型設計和測試。據介紹，這將是日本第一個(gè)行業(yè)成員能夠共同使用極紫外光刻設備的中心。IT之家查詢(xún)獲悉，產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所隸屬經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省，是日本一家設法使用集成科學(xué)和工程知識來(lái)解決日本社會(huì )和經(jīng)濟發(fā)展需要的研究機構，總部位于東京，2001 年成為獨立行政機構的一個(gè)新設計的法律機構。
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imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實(shí)驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動(dòng)態(tài)隨機存取內存（DRAM）專(zhuān)用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線(xiàn)制程。透過(guò)這些研究成果，imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系
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極紫外光刻新技術(shù)問(wèn)世，大幅降本增效
- 日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)設計了一種極紫外（EUV）光刻技術(shù)，超越了半導體制造業(yè)的標準界限。
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臺積電不用當盤(pán)子了？日本開(kāi)發(fā)出更便宜EUV 撼動(dòng)芯片業(yè)
- 荷商艾司摩爾（ASML）是半導體設備巨頭，臺積電等龍頭公司制造先進(jìn)芯片，都需采用ASML制造商生產(chǎn)的昂貴極紫外光曝光機（EUV），根據《Tom's Hardware》報導，日本科學(xué)家已開(kāi)發(fā)出簡(jiǎn)化的EUV掃描儀，可以大幅降低芯片的生產(chǎn)成本。報導指出，沖繩科學(xué)技術(shù)學(xué)院（OIST）Tsumoru Shintake教授提出一種全新、大幅簡(jiǎn)化的EUV曝光機，相比ASML開(kāi)發(fā)和制造的工具更便宜，如果該種設備大規模量產(chǎn)，可能重塑芯片制造設備產(chǎn)業(yè)的現況。值得關(guān)注的是，新系統在光學(xué)投影設定中只使用兩面鏡子，與傳統的
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價(jià)值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機
- 8月6日消息，在近日的財報電話(huà)會(huì )議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價(jià)值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著(zhù)提升芯片的晶體管密度和性能，是實(shí)現2nm以下先進(jìn)制程大規模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設備即將進(jìn)入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠(chǎng)，預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
- 關(guān)鍵字： Intel High NA EUV 光刻機 晶圓 8納米
ASML第二臺High-NA設備，即將導入英特爾奧勒岡廠(chǎng)
- 英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設備。根據英特爾8/1財報電話(huà)會(huì )議紀錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開(kāi)始接收第一臺大型設備，安裝時(shí)間需要數月，預計可帶來(lái)新一代更強大的電腦英文。Gelsinger在電話(huà)中指出，第二臺High NA設備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠(chǎng)房。由于英特爾財報會(huì )議后股價(jià)表現不佳，因此這番話(huà)并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開(kāi)始出貨第二臺High NA設備給一位未具名客戶(hù)，今年只記錄第一臺的收入。不過(guò)
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臺積電：仍在評估 High NA EUV 光刻機，采用時(shí)間未定
- IT之家 7 月 30 日消息，《電子時(shí)報》昨日報道稱(chēng)，臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術(shù)。對此，臺積電海外營(yíng)運資深副總經(jīng)理暨副共同營(yíng)運長(cháng)張曉強表示，仍在評估 High NA EUV 應用于未來(lái)制程節點(diǎn)的成本效益與可擴展性，目前采用時(shí)間未定?！?nbsp;ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機，圖源：ASML上個(gè)月，ASML 透露將在 2024 年內向臺積電交付首臺 High NA EUV 光刻機，價(jià)值達 3.8
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臺積電大舉拉貨EUV光刻機
- 臺積電依然是 EUV 設備的最大買(mǎi)家。臺積電 2nm 先進(jìn)制程產(chǎn)能將于 2025 年量產(chǎn)，設備廠(chǎng)正如火如荼交機，尤以先進(jìn)制程所用之 EUV（極紫外光刻機）至為關(guān)鍵，今明兩年共將交付超過(guò) 60 臺 EUV，總投資金額上看超過(guò) 4000 億元新臺幣。在產(chǎn)能持續擴充之下，ASML 2025 年交付數量增長(cháng)將超過(guò) 3 成，臺廠(chǎng)供應鏈沾光，其中家登積極與 ASML 攜手投入下一代 High-NA EUV 研發(fā)，另外帆宣、意德士、公準、京鼎及翔名等有望同步受惠。設備廠(chǎng)商透露，EUV 設備供應吃緊，交期長(cháng)達 16~20
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ASML或將Hyper-NA EUV光刻機定價(jià)翻倍，讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決
- ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機，業(yè)界準備從EUV邁入High-NA EUV時(shí)代。不過(guò)ASML已經(jīng)開(kāi)始對下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究，尋找合適的解決方案，計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。據Trendforce報道，Hyper-NA EUV光刻機的價(jià)格預計達到驚人的7.24億美元，甚至可能會(huì )更高。目前每臺EUV光刻機的價(jià)格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機的價(jià)格大概為3.8億美元，是EUV光刻機的兩倍多
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獨擁四大連續制程設備 TEL成EUV出貨大贏(yíng)家
- 國際設備大廠(chǎng)東京威力科創(chuàng )（TEL）為全球唯一擁有沉積、涂布／顯影、蝕刻、清洗四大連續制程設備之公司，是晶圓片進(jìn)入EUV曝光前重要步驟。TEL宮城總裁神原弘光指出，隨著(zhù)芯片設計演進(jìn)，蝕刻技術(shù)不斷朝著(zhù)3D化方向演進(jìn)，垂直堆棧發(fā)展、更有效利用空間，然而堆棧層數的增加，在成膜次數跟蝕刻時(shí)間、次數也會(huì )隨之增加，所需的機臺數量同步成長(cháng)。 EUV大廠(chǎng)擁有近乎100％市占率，TEL在涂布／顯影與之緊密配合，同樣近乎獨占；換言之，只要EUV出貨，TEL亦將同步受惠。TEL更透露，早已在臺設置研發(fā)中心，近期更會(huì )擴增潔凈室規模
- 關(guān)鍵字： 制程設備 EUV TEL
臺積電EUV大舉拉貨 供應鏈集體狂歡
- 臺積電2納米先進(jìn)制程產(chǎn)能將于2025年量產(chǎn)，設備廠(chǎng)正如火如荼交機，尤以先進(jìn)制程所用之EUV（極紫外光曝光機）至為關(guān)鍵，今明兩年共將交付超過(guò)60臺EUV，總投資金額上看超過(guò)4,000億元。在產(chǎn)能持續擴充之下，ASML2025年交付數量成長(cháng)將超過(guò)3成，臺廠(chǎng)供應鏈沾光，其中家登積極與ASML攜手投入次世代High-NA EUV研發(fā)，另外帆宣、意德士、公準、京鼎及翔名等有望同步受惠。 設備業(yè)者透露，EUV機臺供應吃緊，交期長(cháng)達16至20個(gè)月，因此2024年訂單大部分會(huì )于后年開(kāi)始交付；據法人估計，今年臺積電EUV訂
- 關(guān)鍵字： 2納米 先進(jìn)制程 ASML EUV 臺積電
可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機：死胡同不遠了
- 6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機，同時(shí)正在研究更強大的Hyper NA EUV光刻機，預計可將半導體工藝推進(jìn)到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機孔徑數值只有0.33，對應產(chǎn)品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來(lái)的4000F、4200G、4X00。該系列預計到2025年可以量產(chǎn)2nm，再往后就得加入多重曝光，預計到2027年能實(shí)現1.4nm的量產(chǎn)。High NA光刻機升級到了
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