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high na euv 文章 進(jìn)入high na euv技術(shù)社區
英特爾認為浸入式光刻能延伸到11納米
- 英特爾的先進(jìn)光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無(wú)掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補者,并聲稱(chēng)11納米可能發(fā)生在2015年。 Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術(shù)可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。 在Nikon的年會(huì )上許多其它的專(zhuān)家似乎對于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機設計部總經(jīng)理Masato Hamatani認為,當EUV達到所有的預定目標時(shí),進(jìn)入量產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 英特爾 11納米 EUV
半導體能支撐未來(lái)的發(fā)展
- 相比于2009年今年全球半導體業(yè)的態(tài)勢好了許多，但是仍有少部分人提出質(zhì)疑，2010年有那么好嗎?即具備條件了嗎? 在今年1月由SEMI主辦的工業(yè)策略年會(huì )上(ISS)，有些演講者表示一些擔憂(yōu)，認為雖然半導體業(yè)正在復蘇的路上，但是制造商們仍缺少激情，不肯繼續大幅的投資，以及不太愿意重新擴大招慕員工。 恐怕更大的擔心來(lái)自全球半導體業(yè)間的兼并與重組到來(lái)，以及產(chǎn)業(yè)能否支持得起22納米及以下技術(shù)的進(jìn)步。 IBS的CEO Handle Jones認為，雖然工業(yè)正在復蘇，但是在半導體業(yè)運營(yíng)中仍面臨成
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臺積電取得ASML超紫外光微影設備以研發(fā)新世代工藝
- TSMC與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司今日共同宣布，TSMC將取得ASML公司TWINSCAN™ NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設備，是全球六個(gè)取得這項設備的客戶(hù)伙伴之一。 這項設備將安裝于TSMC的超大晶圓廠(chǎng)(GigaFab™)-臺積十二廠(chǎng)，用以發(fā)展新世代的工藝技術(shù)。TSMC也將成為全球第一個(gè)可以在自身晶圓廠(chǎng)發(fā)展超紫外光微影技術(shù)的專(zhuān)業(yè)集成電路制造服務(wù)業(yè)者。 相較于現行浸潤式微影技術(shù)以193納米波長(cháng)當作光源，超
- 關(guān)鍵字： 臺積電 EUV 微影設備 ASML
三項半導體新技術(shù)投入使用的時(shí)間將后延至2015-2016年
- 半導體技術(shù)市場(chǎng)權威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報告顯示，按照他們的估計，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)(EUV)投入實(shí)用的時(shí)間點(diǎn)將再度后延。 據IC Insights預計，基于450mm技術(shù)的芯片廠(chǎng)需要到2015-2016年左右才有望開(kāi)始實(shí)用化建設--比預期的時(shí)間點(diǎn)后延了兩年左右。另外，預計16nm級別制程技術(shù)中也不會(huì )應用EUV光刻技術(shù)，這項技術(shù)會(huì )被后延到2015年，在13nm級別的工藝制程中投入實(shí)用。 另外一項較新的半導體制造技術(shù)，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(shù)(TS
- 關(guān)鍵字： EUV 光刻 450mm
EUV: 一場(chǎng)輸不起的賭局
- 2010年， ASML將有5臺最先進(jìn)的EUV設備整裝發(fā)往全球的5家客戶(hù)。業(yè)界傳言，最新的NXE3100系統將發(fā)送給3家頂級存儲器廠(chǎng)商和2家頂級邏輯廠(chǎng)商。EUV勝利的曙光正在向我們招手，雖然目前工程師們還在荷蘭Veldhoven專(zhuān)為EUV新建的大樓中忙碌，在設備出廠(chǎng)前，解決正在發(fā)生的問(wèn)題，并預測著(zhù)各種可能發(fā)生的問(wèn)題及解決方案。 人們談?wù)揈UV的各種技術(shù)問(wèn)題已歷時(shí)數年，因為其波長(cháng)較目前的193nm縮短10倍以上，EUV一直是通往22nm的實(shí)力派參賽選手之一。與此同時(shí)，延伸immersion技術(shù)，用其
- 關(guān)鍵字： ASML EUV 22nm
臺積電老將再出山 蔣尚義領(lǐng)命戰研發(fā)
- 不知是否是因為Global Foundries的步步威脅，臺積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔任研究發(fā)展資深副總經(jīng)理，他將直接對張忠謀董事長(cháng)負責。 這是繼張忠謀6月重新執政臺積電以來(lái)，又一次重大的人事調整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺積電擔任研究發(fā)展副總經(jīng)理，帶領(lǐng)研發(fā)團隊一路順利開(kāi)發(fā)完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個(gè)世代的先進(jìn)工藝技術(shù)，成果斐然。但是三年多前因為要照顧年邁生病的父親而暫時(shí)離開(kāi)，如今因父親仙逝而能再度回到臺積，相信蔣資深副總的回任，
- 關(guān)鍵字： 臺積電 40納米 HKMG EUV
EUV蓄勢待發(fā) Carl Zeiss向ASML出貨EUV光學(xué)系統
- 德國Carl Zeiss SMT AG已向半導體設備商ASML出貨首臺EUV光學(xué)系統。該公司已使EUV光學(xué)系統達到了生產(chǎn)要求。 光學(xué)系統是EUV設備的核心模塊，首臺EUV設備預計將在2010年出貨。幾周前，美國公司Cymer完成了EUV光源的開(kāi)發(fā)，EUV光源是EUV光刻設備另一個(gè)關(guān)鍵模塊。該技術(shù)將使芯片制造商進(jìn)一步縮小芯片的特征尺寸，提高生產(chǎn)效率。 據Carl Zeiss 介紹，目前出貨的光學(xué)系統已經(jīng)研發(fā)了約15年。
- 關(guān)鍵字： ASML EUV 光刻設備
半導體設備業(yè)研發(fā)經(jīng)費拮據 聯(lián)盟關(guān)系將成救星
- 市場(chǎng)研究機構Gartner警告，半導體設備產(chǎn)業(yè)的研發(fā)預算恐怕在接下來(lái)的五年內大幅削減80億美元，使該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域陷入危機。不過(guò)該機構資深分析師Dean Freeman也表示，研發(fā)聯(lián)盟的興起將成為救星。 缺乏適當的投資將導致技術(shù)藍圖延遲，而且公司恐怕無(wú)法做好迎接未來(lái)挑戰的準備;在目前營(yíng)收低迷的情況下，半導體設備業(yè)正面臨著(zhù)如此的危機點(diǎn)。不過(guò)Freeman卻認為，在這一輪不景氣中最大的不同，就是在過(guò)去十年來(lái)有不少產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的建立，而這些結盟關(guān)系在某些程度上減輕了業(yè)者因營(yíng)收減少對研發(fā)所帶來(lái)的沖擊。 Fr
- 關(guān)鍵字： 半導體設備 通孔硅 high-k金屬閘極
臺灣晶圓廠(chǎng)選擇 ASM 提供 High-k ALD工具
- ASM International N.V. 宣布一家臺灣晶圓廠(chǎng)為其28 納米節點(diǎn)high-k 閘極介電層量產(chǎn)制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(shù)(ALD)工具。 除此之外，此家晶圓廠(chǎng)也將與ASM針對最新世代的high-k閘極技術(shù)進(jìn)行制程開(kāi)發(fā)活動(dòng)。 ASM 在2009年第2季將針對進(jìn)階節點(diǎn)開(kāi)發(fā)計劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠(chǎng)在過(guò)去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設備來(lái)開(kāi)發(fā)其以鉿基材料為基礎的high-k 閘極制程。 納米節點(diǎn)上實(shí)現成功的high-K制程
- 關(guān)鍵字： ASM high-k 晶圓
EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道
- 對于極紫外（EUV）光刻技術(shù)而言，掩膜版相關(guān)的一系列問(wèn)題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問(wèn)題最為關(guān)鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線(xiàn)具有極強的吸收能力。在Texas州Austin召開(kāi)的表面預處理和清洗會(huì )議上，針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問(wèn)題和挑戰，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開(kāi)了一次內部討論，并在會(huì )上向與會(huì )的同仁報告了在這一領(lǐng)域Intel和Dai Nippon Printin
- 關(guān)鍵字： 光刻 EUV 掩膜 CMOS
22納米后EUV光刻還是電子束光刻？市場(chǎng)看法存分歧
- 浸潤式微顯影雙重曝光能進(jìn)一步延伸摩爾定律的壽命至32納米，不過(guò)，22納米以下究竟哪種技術(shù)得以出頭，爭議不斷。據了解，臺積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫(xiě)式多重電子束(MEBDW)方案，并已有具體成果，但積極推動(dòng)深紫外光(EUV)的ASML則表示，目前已有數家客戶(hù)下單，最快2009年便可出貨，但哪種技術(shù)最終將「一統江湖」，尚未有定論。 ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波長(cháng)可達13.5納米，約是248波長(cháng)的KrF顯影設備的15分之1，盡管浸潤式顯
- 關(guān)鍵字： 消費電子 EUV 電子束 消費電子
凌華推出High Speed Link延伸模塊
- 凌華科技推出High Speed Link系統延伸模塊HSL-HUB3與HSL-Repeater。此產(chǎn)品可以為HSL用戶(hù)提供最長(cháng)可達2400公尺的長(cháng)距離使用及多點(diǎn)連接(multi-drop)接線(xiàn)架構，搭配高達十余種I/O及運動(dòng)控制模塊的組合，提供客戶(hù)實(shí)時(shí)控制的完整解決方案。 凌華的High Speed Link（HSL）技術(shù)是串列式遠程I/O實(shí)時(shí)控制的絕佳選擇。HSL-HUB3/Repeater基于HSL技術(shù)，針對接線(xiàn)的
- 關(guān)鍵字： High Link Speed 工業(yè)控制 凌華 汽車(chē)電子 通訊 網(wǎng)絡(luò ) 無(wú)線(xiàn) 延伸 模塊 工業(yè)控制
瑞昱推出High Definition 音訊轉換芯片
- 音訊內容保護 (Content Protection) 技術(shù)與透過(guò)傳統電話(huà)的Skype應用功能加速音訊轉換芯片在數字家庭的應用 瑞昱半導體在美國舊金山的Intel春季科技論壇推出最新一代的高精準音訊轉換芯片 (High Definition Audio Codecs; HD Audio Codecs) ALC885與ALC888 Telecom。瑞昱ALC885內建內容保護與防拷&nbs
- 關(guān)鍵字： High Definition 音訊轉換 瑞昱 通訊與網(wǎng)絡(luò ) 芯片
尼康NA超過(guò)1的液浸設備半導體商正式采用
- 尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導體廠(chǎng)商供應用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開(kāi)口數（NA）為1.07的液浸ArF曝光設備“NSR-S609B”。這是全球首次供應NA超過(guò)1的液浸ArF曝光設備。 這家大型半導體廠(chǎng)商的名字，尼康沒(méi)有公布，估計是過(guò)去在技術(shù)方面與之開(kāi)展合作的東芝。 作為全折射型液浸曝光設備，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技術(shù)，能夠實(shí)現很高的分辨率。對于液浸產(chǎn)生的缺陷和重合不穩定性的問(wèn)題，據稱(chēng)利用名為“Local-fill（局部
- 關(guān)鍵字： NA 尼康 嵌入式系統
high na euv介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條high na euv!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對high na euv的理解，并與今后在此搜索high na euv的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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