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因PC需求激增 DRAM庫存下降至新低位
- iSuppli表示， DRAM芯片生產(chǎn)商的庫存量已下降至20個(gè)月來(lái)最低水準，因開(kāi)學(xué)季帶動(dòng)個(gè)人電腦銷(xiāo)售增長(cháng)?！?nbsp; 這家美國研究機構預期本月庫存量將持續下降，并在報告中調升短期DRAM市況評等，由原先的“中性”升至“正向”?！ ?nbsp; iSuppli在9月5日發(fā)表的報告中指出，8月初時(shí)，DRAM庫存為1.92周，較7月的平均水準下降18%，因新學(xué)年開(kāi)始前，PC銷(xiāo)售大幅增加?！?nbsp; 由于微處理器
- 關(guān)鍵字： DRAM PC 單片機 庫存 嵌入式系統 消費電子 需求 存儲器 消費電子
05年DRAM芯片銷(xiāo)售排名三星仍保持冠軍
- 據著(zhù)名市場(chǎng)調研機構 Gartner 公司最新公布的調查數據顯示，2005年全球DRAM儲存芯片的銷(xiāo)售收入比上年下滑了5%為250億美元，2004年全球DRAM儲存芯片的銷(xiāo)售收入為263億美元。在全球DRAM 儲存芯片行業(yè)銷(xiāo)售收入比2004年下滑5%的不利環(huán)境下，中國臺灣南亞科技公司（Nanya）和日本最大的DRAM儲存芯片制造商爾必達公司（Elpida）是全球最高前六個(gè)公司中銷(xiāo)售收入實(shí)現了增長(cháng)的公司。 調研公司表示，盡管這是自2001年以后DRAM儲存芯片
- 關(guān)鍵字： DRAM 銷(xiāo)售 芯片 存儲器
ST推出內置DRAM存儲器的微控制器
- 意法半導體（ST）日前公布了一款針對無(wú)線(xiàn)基礎設施設備開(kāi)發(fā)的多用途微控制器的細節。這個(gè)代號為"GreenFIELD"、產(chǎn)品編號為STW21000的新芯片整合了ARM926EJ-S 330 MIPS RISC處理器核心、16Mbit片上eDRAM內存、eFPGA（嵌入式現場(chǎng)可編程邏輯門(mén)陣列）模塊以及各種模擬和數字外設。GreenFIELD-STW21000是ST無(wú)線(xiàn)基礎設施產(chǎn)品部發(fā)布的第二款先進(jìn)的系統芯片產(chǎn)品。 GreenFI
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DRAM齊備庫存迎接下半年旺季作多心態(tài)濃厚
- 國際DRAM廠(chǎng)供應貨源不足因應旺季需求 OEM廠(chǎng)轉向臺廠(chǎng)尋求產(chǎn)能支應。由于OEM計算機大廠(chǎng)擔心進(jìn)入下半年產(chǎn)業(yè)旺季后，目前庫存貨源可能不敷使用，近期紛紛開(kāi)始增加對DRAM廠(chǎng)下單，惟國際DRAM廠(chǎng)已陸續轉移產(chǎn)能生產(chǎn)標準型DRAM顆粒以外的產(chǎn)品，因此供貨情況未能滿(mǎn)足國際OEM計算機廠(chǎng)需求，為此，OEM計算機廠(chǎng)也轉向臺灣DRAM廠(chǎng)尋求產(chǎn)能支應，且以過(guò)去主力供應現貨市場(chǎng)的DRAM廠(chǎng)為主，據傳訂單數量相當驚人。 TRI觀(guān)點(diǎn)：以產(chǎn)業(yè)鏈各廠(chǎng)商的動(dòng)態(tài)來(lái)觀(guān)察DRAM產(chǎn)業(yè)目前上下游市況如下：
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DRAM晶圓廠(chǎng)商態(tài)度轉硬 出貨報價(jià)決不妥協(xié)
- 進(jìn)入第二季底，多數DRAM廠(chǎng)原本為應對季底作帳而壓低DRAM報價(jià)，不過(guò)，由于日前合約價(jià)公布后竟逆勢上漲1～3%，讓所有DRAM廠(chǎng)吃下定心丸，不再擔心DRAM現貨價(jià)恐將因DRAM廠(chǎng)拋貨而產(chǎn)生跌價(jià)壓力。DRAM渠道商指出，現在DRAM廠(chǎng)態(tài)度可說(shuō)是相當強硬，客戶(hù)端若無(wú)法接受其報出價(jià)位，寧可不賣(mài)也不愿壓低報價(jià)。 全球DRAM最新合約價(jià)公布后，盡管無(wú)法達到DRAM廠(chǎng)原本希望上調到3～5%的幅度，但部份OEM電腦大廠(chǎng)已接受DRAM廠(chǎng)上調1～3%的事實(shí)，而DRAM廠(chǎng)之所以能順勢漲價(jià)，最重要因素在于目
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DDRII需求過(guò)于樂(lè )觀(guān) 導致DDR供應出現缺口
- 5月26日消息，近幾個(gè)月以來(lái)，全球DRAM大廠(chǎng)為配合英特爾（Intel）及國際計算機大廠(chǎng)全力推動(dòng)DDRII成為下一世代的計算機主流架構，紛紛加速將產(chǎn)能轉換至DDRII，因而造成DDR產(chǎn)出量迅速下滑。也由于計算機大廠(chǎng)對于DDRII做出“過(guò)于樂(lè )觀(guān)”的錯誤判斷，反而需回頭向中國臺灣DRAM廠(chǎng)采買(mǎi)更多的DDR顆粒以因應市場(chǎng)需求。 DRAM廠(chǎng)指出，過(guò)去幾個(gè)月以來(lái)，戴爾（Dell）、惠普（HP）等個(gè)人計算機（PC）大廠(chǎng)，對于推升DDRII成為市場(chǎng)主流的態(tài)度越來(lái)越積
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臺灣DRAM晶圓產(chǎn)業(yè)高層人事變動(dòng)近期趨頻繁
- 近來(lái)臺灣DRAM晶圓廠(chǎng)人事異動(dòng)頻繁，包括華邦電（2344）原記憶體事業(yè)部資深高階主管王其國，以及力晶（5346）原創(chuàng )始元老曾邦助，都相繼轉換跑道，為其他DRAM業(yè)者效力，加上華邦電近半年來(lái)亦出現研發(fā)人員流動(dòng)率偏高情況，DRAM業(yè)界多認為，盡管人員流動(dòng)不至于影響DRAM廠(chǎng)既有運作，但仍凸顯出DRAM產(chǎn)業(yè)高度不確定及不穩定特性。 華邦電發(fā)言人溫萬(wàn)壽19日表示，王其國原任華邦電BG2（Business Group 2）事業(yè)群總經(jīng)
- 關(guān)鍵字： DRAM 其他IC 制程
300mm線(xiàn)建設今年掀高潮
- 2005年3月A版 盡管2005年世界半導體業(yè)的銷(xiāo)售值勢比上年大幅下降，但銷(xiāo)量將繼續快速增長(cháng)。為迎接這一需求，2005年300mm晶圓片生產(chǎn)線(xiàn)將加速建設。據iSuppli公司預測，當年將共建成16條生產(chǎn)線(xiàn)，比2003和2004年所建線(xiàn)加在一起還多。 2005年建設高潮是經(jīng)歷多年才形成的。早在1998年建成的300mm線(xiàn)，其回報在2001年經(jīng)濟衰退中受到嚴重打擊，可執著(zhù)堅持的公司卻在2004年半導體市場(chǎng)再創(chuàng )新高時(shí)獲得豐厚回報。
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英飛凌在DRAM溝槽技術(shù)中取得重大突破
- 英飛凌科技公司在2004年IEEE（電子和電氣工程師學(xué)會(huì ) 2004年12月13～15日于美國舊金山舉行）國際電子器件會(huì )議（IEDM）上，展示了該公司具有高生產(chǎn)性的、適合未來(lái)DRAM產(chǎn)品的70 nm工藝技術(shù)，此技術(shù)以在300 mm晶圓上的深溝（DT）單元為基礎。目前全球25％的DRAM生產(chǎn)都是以溝槽技術(shù)為基礎的。在其報告中，英飛凌闡述了全部集成計劃和主要技術(shù)特征――包括首次在基于溝槽技術(shù)的DRAM生產(chǎn)流程中使用高介電常數物質(zhì)。英飛凌70 nm DRAM程序堪稱(chēng)重大技術(shù)突破，顯示了溝槽技術(shù)的可伸縮性。
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dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]
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