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3d x-dram
3d x-dram 文章 進(jìn)入3d x-dram技術(shù)社區
郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因
- 11 月 6 日消息，天風(fēng)證券分析師郭明錤昨日（11 月 5 日）在 Medium 上發(fā)布博文，深入分析了英特爾 Lunar Lake 失敗的前因后果。IT之家此前報道，是英特爾近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后，將不再把 DRAM 整合進(jìn) CPU 封裝。雖此事近來(lái)成為焦點(diǎn)，但業(yè)界早在至少半年前就知道，在英特爾的 roadmap 上，后續的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther Lake 與 Wildcat La
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鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng )新研究成果
- 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創(chuàng )新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會(huì )（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱(chēng)，鎧俠旨在不斷創(chuàng )新以滿(mǎn)足未來(lái)計算和存儲系統的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng )新技術(shù)：氧化物半導體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開(kāi)發(fā)，通過(guò)改進(jìn)制造工藝，開(kāi)發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應用前景。高容量交叉點(diǎn)MRAM（磁阻隨機存取存儲器
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HBM對DRAM廠(chǎng)的貢獻逐季攀升
- TrendForce指出，隨著(zhù)AI服務(wù)器持續布建，高帶寬內存（HBM）市場(chǎng)處高成長(cháng)階段，平均售價(jià)約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴張，營(yíng)收貢獻將逐季上揚。TrendForce指出，HBM市場(chǎng)仍處于高成長(cháng)階段，由于各大云端廠(chǎng)商持續布建AI服務(wù)器，在GPU算力與內存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動(dòng)HBM規格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著(zhù)
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三星開(kāi)發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能計算
- 三星電子今日宣布，已成功開(kāi)發(fā)出其首款24Gb GDDR7[1]?DRAM（第七代圖形雙倍數據傳輸率存儲器）。GDDR7具備非常高的容量和極快的速率，這使得它成為眾多下一代應用程序的理想選擇之一。三星半導體24Gb GDDR7 DRAM憑借高容量和卓越性能，24Gb GDDR7將廣泛應用于需要高性能存儲解決方案的各個(gè)領(lǐng)域，例如數據中心和人工智能工作站，這將進(jìn)一步擴展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機和自動(dòng)駕駛等傳統應用領(lǐng)域之外的應用范圍。三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團隊執行副總裁裴永哲（Bae YongCh
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臺積電OIP推3D IC設計新標準
- 臺積電OIP（開(kāi)放創(chuàng )新平臺）于美西當地時(shí)間25日展開(kāi)，除表?yè)P包括力旺、M31在內之業(yè)者外，更計劃推出3Dblox新標準，進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統創(chuàng )新，并提高EDA工具的通用性。 臺積電設計構建管理處負責人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構中的物理挑戰，幫助共同客戶(hù)利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實(shí)現優(yōu)化的設計。臺積電OIP生態(tài)系統論壇今年由北美站起跑，與設計合作伙伴及客戶(hù)共同探討如何通過(guò)更深層次的合作，推動(dòng)AI芯片設計的創(chuàng )新。 Dan Kochpa
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TrendForce：內存下半年價(jià)格恐摔
- 根據TrendForce最新調查，消費型電子需求未如預期回溫，中國大陸地區的智能型手機，出現整機庫存過(guò)高的情形，筆電也因為消費者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買(mǎi)，市場(chǎng)持續萎縮。此一現象，導致以消費型產(chǎn)品為主的內存現貨價(jià)走弱，第二季價(jià)格較第一季下跌超過(guò)30％。盡管現貨價(jià)至8月份仍與合約價(jià)脫鉤，但也暗示合約價(jià)可能的未來(lái)走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠(chǎng)在消費類(lèi)NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費性?xún)却媸袌?chǎng)正遭遇嚴峻挑戰。內存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
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SK海力士成功開(kāi)發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
- 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開(kāi)發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術(shù)。SK海力士強調：“隨著(zhù)10納米級DRAM技術(shù)的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過(guò)業(yè)界最高性能得到認可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準備，從明年開(kāi)始供應產(chǎn)品，引領(lǐng)半導體存儲器市場(chǎng)發(fā)展?！惫疽?b DRAM
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第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季增24.8%，預期第三季合約價(jià)將上調
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)調查，受惠主流產(chǎn)品出貨量擴張帶動(dòng)多數業(yè)者營(yíng)收成長(cháng)，2024年第二季整體DRAM（內存）產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達229億美元，季增24.8%。價(jià)格方面，合約價(jià)于第二季維持上漲，第三季因國際形勢等因素，預估Conventional DRAM（一般型內存）合約價(jià)漲幅將高于先前預期。觀(guān)察Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出貨表現，均較前一季有所增加，平均銷(xiāo)售單價(jià)方面，三大廠(chǎng)延續第一季合約價(jià)上漲情勢，加上臺灣地區四月初地震影響，以及HBM
- 關(guān)鍵字： DRAM TrendForce 集邦咨詢(xún)
imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實(shí)驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動(dòng)態(tài)隨機存取內存（DRAM）專(zhuān)用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線(xiàn)制程。透過(guò)這些研究成果，imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系
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外媒：三星推出超薄型手機芯片LPDDR5X DRAM
- 8月7日消息，隨著(zhù)移動(dòng)設備功能的不斷增強，對內存性能和容量的要求也日益提高。據外媒gsmarena報道，三星電子近日宣布，公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項，專(zhuān)為低功耗RAM市場(chǎng)設計，主要面向具備設備端AI能力的智能手機。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產(chǎn)品薄了9%。三星估計，這一改進(jìn)將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過(guò)優(yōu)化印刷電路板（PCB）和環(huán)氧樹(shù)脂封裝技術(shù)，將LPDDR5X的厚度
- 關(guān)鍵字： 三星 手機芯片 LPDDR5X DRAM
HBM排擠效應 DRAM漲勢可期
- 近期在智慧手機、PC、數據中心服務(wù)器上，用于暫時(shí)儲存數據的DRAM價(jià)格漲勢停歇，買(mǎi)家拉貨不積極，影響DRAM報價(jià)漲勢。 業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠(chǎng)HBM產(chǎn)能增開(kāi)，對一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應，加上產(chǎn)業(yè)旺季來(lái)臨，可帶動(dòng)DRAM重啟漲勢。 據了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價(jià)約2.10美元、容量較小的4GB合約價(jià)1.62美元左右，表現持平，主要是供需雙方對價(jià)格談判，呈現拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據傳有望通過(guò)輝達（NVIDIA）認證，輝達GB200將于2025年放量，其
- 關(guān)鍵字： HBM DRAM 美光
圓滿(mǎn)收官！紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現科技創(chuàng )新實(shí)力
- 圓滿(mǎn)收官！紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現科技創(chuàng )新實(shí)力2024年7月8日至10日，西安紫光國芯半導體股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)：紫光國芯，證券代碼：874451）精彩亮相慕尼黑上海電子展。紫光國芯聚焦人工智能、高性能計算、汽車(chē)電子、工業(yè)控制、消費電子等重點(diǎn)領(lǐng)域，為客戶(hù)提供全方面的存儲產(chǎn)品及相關(guān)技術(shù)解決方案。展會(huì )現場(chǎng)重點(diǎn)展示了DRAM存儲系列產(chǎn)品、SeDRAM?技術(shù)和CXL技術(shù)、新品牌云彣（UniWhen?）和SSD產(chǎn)品系列。128Mb PSRAM，新一代DRAM KGD產(chǎn)品系列DRAM KGD展區首次展示了紫
- 關(guān)鍵字： 紫光國芯 慕尼黑電子展 DRAM SeDRAM CXL
鎧俠公布藍圖：2027年實(shí)現1000層3D NAND堆疊
- 近日，據媒體報道，日本存儲芯片廠(chǎng)商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖，目標2027年實(shí)現1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來(lái)，3D NAND閃存的層數經(jīng)歷了顯著(zhù)的增長(cháng)，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實(shí)現了驚人的10倍增長(cháng)。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長(cháng)速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規劃較此前公布的時(shí)間早了近3年，據日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學(xué)會(huì )春季學(xué)術(shù)演講會(huì )上表示，公司計劃于2030至2031
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服務(wù)器支撐下半年需求，預估DRAM價(jià)格第三季漲幅達8-13%
- 根據全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查顯示，由于通用型服務(wù)器(general server)需求復蘇，加上DRAM供應商HBM生產(chǎn)比重進(jìn)一步拉高，使供應商將延續漲價(jià)態(tài)度，第三季DRAM均價(jià)將持續上揚。DRAM價(jià)格漲幅達8~13%，其中Conventional DRAM漲幅為5-10%，較第二季漲幅略有收縮。TrendForce集邦咨詢(xún)指出，第二季買(mǎi)方補庫存意愿漸趨保守，供應商及買(mǎi)方端的庫存水平未有顯著(zhù)變化。觀(guān)察第三季，智能手機及CSPs仍具補庫存的空間，且將進(jìn)入生產(chǎn)旺季，因此預計智能手機
- 關(guān)鍵字： 服務(wù)器 DRAM TrendForce
3d x-dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3d x-dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3d x-dram的理解，并與今后在此搜索3d x-dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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