3d x-dram 文章進(jìn)入3d x-dram技術(shù)社區

美光宣布1γ DRAM開(kāi)始出貨：引領(lǐng)內存技術(shù)突破，滿(mǎn)足未來(lái)計算需求

美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生態(tài)系統合作伙伴及特定客戶(hù)出貨專(zhuān)為下一代?CPU?設計的?1γ（1-gamma）第六代（10?納米級）DRAM?節點(diǎn)?DDR5?內存樣品。得益于美光此前在?1α（1-alpha）和?1β（1-beta）DRAM?節點(diǎn)的領(lǐng)先優(yōu)勢，1γ DRAM?節點(diǎn)的這一新里程碑將推動(dòng)從云端、工業(yè)、消費應用到端側?AI?設備（如?AI PC、智能手
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消息稱(chēng)三星芯片部門(mén)負責人攜1b DRAM樣品訪(fǎng)問(wèn)英偉達

2 月 18 日消息，據 TheElec 報道，三星芯片部門(mén)的負責人上周親自前往美國英偉達總部進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)。此次訪(fǎng)問(wèn)的目的是向英偉達展示三星最新研發(fā)的 1b DRAM 芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內存（HBM）。消息人士透露，英偉達曾在去年要求三星改進(jìn)其 1b DRAM 的設計，此次展示的樣品正是基于英偉達的要求而改進(jìn)后的成果。通常情況下，三星設備解決方案（DS）部門(mén)的負責人親自向客戶(hù)展示樣品的情況較為罕見(jiàn)。IT之家注意到，三星在去年曾計劃使用 1b DRAM 生產(chǎn) HBM，但遭遇了良品率和過(guò)熱問(wèn)題。該
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紫光國微2.5D/3D先進(jìn)封裝項目將擇機啟動(dòng)

日前，紫光國微在投資者互動(dòng)平臺透露，公司在無(wú)錫建設的高可靠性芯片封裝測試項目已于2024年6月產(chǎn)線(xiàn)通線(xiàn)，現正在推動(dòng)量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導入工作，2.5D/3D等先進(jìn)封裝將會(huì )根據產(chǎn)線(xiàn)運行情況擇機啟動(dòng)。據了解，無(wú)錫紫光集電高可靠性芯片封裝測試項目是紫光集團在芯片制造領(lǐng)域的重點(diǎn)布局項目，也是紫光國微在高可靠芯片領(lǐng)域的重要產(chǎn)業(yè)鏈延伸。擬建設小批量、多品種智能信息高質(zhì)量可靠性標準塑料封裝和陶瓷封裝生產(chǎn)線(xiàn)，對保障高可靠芯片的產(chǎn)業(yè)鏈穩定和安全具有重要作用。
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國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

據媒體報道，近日，研究人員發(fā)現了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過(guò)調整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內存存儲奠定了基礎。這項研究是由來(lái)自L(fǎng)am Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實(shí)驗室（PPPL）的科學(xué)家通過(guò)模擬和實(shí)驗進(jìn)行的。根據報道，前PPPL研究員、現就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現的帶電粒子是創(chuàng )建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡(jiǎn)
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SK海力士實(shí)現1c nm制程DRAM內存量產(chǎn)

據韓媒報道，近日，SK海力士成功完成了1c納米制程DRAM的批量產(chǎn)品認證，連續多個(gè)以25塊晶圓為單位的批次在質(zhì)量和良率上均達到要求，預計SK海力士將在2月初正式啟動(dòng)1c納米DRAM的量產(chǎn)。據了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功實(shí)現1c納米工藝的 16Gb DDR5-8000 DRAM 內存開(kāi)發(fā)。SK海力士曾表示，1c工藝技術(shù)將應用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進(jìn)的DRAM主力產(chǎn)品群，進(jìn)一步鞏固其在內存市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。
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?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內存，美光成為首要供應商

三星Galaxy S25系列可能會(huì )選擇美光作為第一內存供應商，而非自家的產(chǎn)品。這一決定標志著(zhù)三星在旗艦智能手機中首次沒(méi)有優(yōu)先使用自家的內存解決方案，這也讓外界對三星內存技術(shù)的競爭力產(chǎn)生了質(zhì)疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機中的第二內存供應商，這次卻打敗三星成為了第一供應商，似乎折射出內部部門(mén)競爭的微妙行情。2024年9月就有報道指出因良率問(wèn)題，三星DS（設備解決方案）部門(mén)未能按時(shí)足量向三星MX（移動(dòng)體驗）部門(mén)交付Galaxy S25系列手機開(kāi)發(fā)所需的LPDDR5X內存樣品，導致MX部門(mén)的手
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買(mǎi)方采購策略調整，1Q25 DRAM合約價(jià)走跌

根據TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查，2025年第一季進(jìn)入淡季循環(huán)，DRAM市場(chǎng)因智能手機等消費性產(chǎn)品需求持續萎縮，加上筆記本電腦等產(chǎn)品因擔心美國可能拉高進(jìn)口關(guān)稅的疑慮，已提前備貨，進(jìn)而造成DRAM均價(jià)下跌。其中，一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅預估將擴大至8%至13%，若計入HBM產(chǎn)品，價(jià)格預計下跌0%至5%。PC DRAM價(jià)格估跌幅為8-13%，Server DRAM則跌5-10%TrendForce集邦咨詢(xún)表示，2024年第四季PC OEM在終端銷(xiāo)售疲弱，DRAM價(jià)格反
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李飛飛對計算機視覺(jué)的愿景：World Labs 正為機器提供 3D 空間智能

斯坦福大學(xué)教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏(yíng)得了自己的地位。她在深度學(xué)習革命中發(fā)揮了重要作用，多年來(lái)努力創(chuàng )建 ImageNet 數據集和競賽，挑戰 AI 系統識別 1000 個(gè)類(lèi)別的物體和動(dòng)物。2012 年，一個(gè)名為 AlexNet 的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )在 AI 研究界引起了震動(dòng)，它的性能遠遠超過(guò)了所有其他類(lèi)型的模型，并贏(yíng)得了 ImageNet 比賽。從那時(shí)起，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )開(kāi)始騰飛，由互聯(lián)網(wǎng)上現在提供的大量免費訓練數據和提供前所未有的計算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
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美國商務(wù)部向美光科技提供 61 億美元資金，用于在該國生產(chǎn)芯片

12 月 11 日消息，美國商務(wù)部周二表示，作為2022 年《芯片和科學(xué)法案》的一部分，美光科技已獲得高達 61.65 億美元（當前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國制造半導體。該機構表示，這筆資金將支持美光的“二十年愿景”，即在紐約投資約 1000 億美元、在愛(ài)達荷州投資 250 億美元用于新工廠(chǎng)，并創(chuàng )造約 20,000 個(gè)新工作崗位。美國商務(wù)部還表示，美光將根據某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外，美國商務(wù)部還宣布已與美光科技達成初步協(xié)議，將額外提供 2.75 億美元資金，用于擴建
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谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型可一鍵生成超逼真3D互動(dòng)世界

12月5日消息，美國當地時(shí)間周三，谷歌旗下人工智能研究機構DeepMind推出了一款新模型，能夠創(chuàng )造出“無(wú)窮無(wú)盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2，是DeepMind在今年早些時(shí)候推出的Genie模型的升級版。僅憑一張圖片和一段文字描述，例如“一個(gè)可愛(ài)的機器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能構建出一個(gè)交互式的實(shí)時(shí)場(chǎng)景。在這方面，它與李飛飛創(chuàng )立的World Labs以及以色列新興企業(yè)Decart所開(kāi)發(fā)的模型有著(zhù)異曲同工之妙。DeepMind宣稱(chēng)，Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
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Teledyne推出用于在線(xiàn)3D測量和檢測的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具

Teledyne DALSA推出在線(xiàn)3D機器視覺(jué)應用開(kāi)發(fā)的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用，可簡(jiǎn)化生產(chǎn)線(xiàn)上的3D測量和檢測任務(wù)。Z-Trak 3D Apps Studio能夠處理具有不同表面類(lèi)型、尺寸和幾何特征的物體的3D掃描，是電動(dòng)汽車(chē)（電動(dòng)汽車(chē)電池、電機定子等）、汽車(chē)、電子、半導體、包裝、物流、金屬制造、木材等眾多行業(yè)工廠(chǎng)自動(dòng)化應用的理想之選。Z-Trak 3D Apps Studio具有簡(jiǎn)化的工具，用于
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三星大幅減少未來(lái)生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量

據韓媒報道，稱(chēng)三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。報道稱(chēng)，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過(guò)精確控制涂布機的轉速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個(gè)層，從而提高工藝效率，但同時(shí)也有均勻性問(wèn)題。東進(jìn)半導體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商，為三星第7代（11微米）和第
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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能

摘要隨著(zhù)傳統DRAM器件的持續縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會(huì )對器件性能產(chǎn)生負面影響，未來(lái)可能需要新的DRAM結構來(lái)降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪(fǎng)問(wèn)晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明，與6F2結構相比，4F2結構顯著(zhù)降低了節點(diǎn)接觸 (NC) 與位線(xiàn) (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們仍處于支持器件達成目標性能的合格水平。相比6F2器件，4F
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在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長(cháng)下，供應商需謹慎規劃產(chǎn)能以保持盈利

DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫存去化和價(jià)格回升，價(jià)格動(dòng)能于第四季出現弱化。TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應商在今年獲利后展開(kāi)新增產(chǎn)能規劃，預估2025年整體DRAM產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出將年增25%，成長(cháng)幅度較2024年大。根據TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查，DRAM產(chǎn)業(yè)結構越趨復雜，除現有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer DRAM外，又新增HBM品類(lèi)。吳雅婷指出，三大DRAM原廠(chǎng)中，SK hynix（SK海力士）因HBM產(chǎn)品
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北京君正：21nm DRAM新工藝預計年底推出

近日，北京君正在接受機構調研時(shí)就DRAM的新工藝情況表示，21nm和20nm都有在研，預計21nm的今年年底會(huì )推出，20nm預計將于明年中前后推出，后續還會(huì )繼續進(jìn)行更新工藝的產(chǎn)品研發(fā)。關(guān)于存儲中各類(lèi)市場(chǎng)的收入占比情況，北京君正表示，汽車(chē)市場(chǎng)占比大概40%以上，工業(yè)和醫療今年市場(chǎng)景氣度差一些，去年占比超過(guò)30%，今年大概不到30%，剩下大約20%多的是通信和消費等其他領(lǐng)域。存儲產(chǎn)品價(jià)格方面，北京君正的存儲產(chǎn)品主要面向行業(yè)市場(chǎng)，這個(gè)市場(chǎng)的價(jià)格變動(dòng)特點(diǎn)和消費類(lèi)市場(chǎng)不同，這幾年行業(yè)市場(chǎng)存儲價(jià)格高點(diǎn)是2022年，2
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