3d x-dram 文章進(jìn)入3d x-dram技術(shù)社區

1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠(chǎng)先進(jìn)技術(shù)競賽仍在繼續

盡管由于經(jīng)濟逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲大廠(chǎng)對于先進(jìn)技術(shù)的競賽仍在繼續。對DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著(zhù)高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級別目前來(lái)到了第五代，美光稱(chēng)之為1β DRAM，三星稱(chēng)之為1b DRAM。美光去年10月開(kāi)始量產(chǎn)1β DRAM之后，計劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠(chǎng)，因此1γ制程勢必會(huì )先在臺中廠(chǎng)量產(chǎn)，未來(lái)日本廠(chǎng)也有望導入EUV
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面對美國的護欄最終規則，韓國半導體公司被建議改變中國市場(chǎng)戰略

面對美國的護欄最終規則，韓國半導體公司被建議改變中國市場(chǎng)戰略據韓國新聞媒體報道，隨著(zhù)拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護欄，韓國半導體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務(wù)，并利用其在那里的成熟節點(diǎn)能力來(lái)針對國內需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見(jiàn)。但有一點(diǎn)是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設定的條件，并在未來(lái)10年內避免在中國進(jìn)行實(shí)質(zhì)性產(chǎn)能擴張。商務(wù)部的新聞稿顯示，補貼接受者在
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集邦咨詢(xún)：2023Q4 NAND 價(jià)格預估增長(cháng) 3-8%，DRAM 要開(kāi)啟增長(cháng)周期

IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來(lái)最長(cháng)的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場(chǎng)復蘇的希望。根據集邦咨詢(xún)報道，伴隨著(zhù)主要存儲制造商的持續減產(chǎn)，已經(jīng)市場(chǎng)去庫存效果顯現，預估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后，DRAM 價(jià)格也會(huì )上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損，2023 年以來(lái)已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現，消息稱(chēng) 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現反彈，9 月繼續上漲。行業(yè)巨頭三星繼續減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
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為什么消費類(lèi)DRAM無(wú)法滿(mǎn)足工業(yè)應用需求？

消費類(lèi)DRAM廣泛普及，而且往往物美價(jià)廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費類(lèi)DRAM 在工業(yè)應用中的真正危險和缺陷。在本文中，我們將探討消費類(lèi)DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風(fēng)險。固定BOM的重要性消費類(lèi) DRAM 模塊沒(méi)有固定的 BOM（物料清單）；這意味著(zhù)模塊中使用的材料可能會(huì )發(fā)生變化，而且經(jīng)常會(huì )在用戶(hù)未知的情況下發(fā)生變化，另外用戶(hù)可能會(huì )在一月份訂購兩個(gè) DIMM 用于測試，在三月份再訂購五百個(gè)用于生產(chǎn)，但無(wú)法保證一月份訂購的模塊與三月份訂購的模塊包含相同的材料。即使是物料
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美光訂價(jià)能力升營(yíng)運露曙光

內存大廠(chǎng)美光即將于27日盤(pán)后公布最新財報，鑒于美光對DRAM的訂價(jià)能力提升，市場(chǎng)高度期待美光獲利進(jìn)一步改善，預期產(chǎn)業(yè)最壞情況已過(guò)。由于內存大廠(chǎng)近期積極減產(chǎn)，部分市場(chǎng)需求轉強，AI服務(wù)器需求尤為強勁，致使DRAM報價(jià)逐漸改善。美光財務(wù)長(cháng)Mark Murphy先前透露，若供應鏈持續保持自制力、預測價(jià)格有望于2023年下半轉強。美光營(yíng)運有望改善，帶動(dòng)股價(jià)逐漸走強，該公司年初迄今股價(jià)已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商，紛紛上調美光投資評等及目標價(jià)。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評等，目標價(jià)從75美元調高到
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存儲廠(chǎng)商持續減產(chǎn)，市場(chǎng)何時(shí)迎來(lái)供需平衡？

受高通貨膨脹、消費電子需求疲軟等因素影響，存儲市場(chǎng)發(fā)展“遇冷”，鎧俠、美光等原廠(chǎng)陸續于去年第四季度啟動(dòng)減產(chǎn)，2023年三星宣布加入減產(chǎn)行列。不過(guò)，由于市場(chǎng)需求持續衰弱，2023年存儲市況仍未復蘇，價(jià)格不斷下跌，廠(chǎng)商業(yè)績(jì)承壓。這一背景下，部分存儲廠(chǎng)商期望通過(guò)繼續減產(chǎn)維穩價(jià)格，推動(dòng)市場(chǎng)供需平衡。近日，臺灣地區《工商時(shí)報》等媒體報道，DRAM廠(chǎng)商南亞科將跟進(jìn)大廠(chǎng)減產(chǎn)策略，調整產(chǎn)能、降低稼動(dòng)率、彈性調整產(chǎn)品組合和資本支出，根據客戶(hù)需求和市場(chǎng)變化動(dòng)態(tài)調整，以應對市場(chǎng)疲軟，預計產(chǎn)能將動(dòng)態(tài)調降20％以?xún)?。此前，全球市?chǎng)
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3D DRAM 設計能否實(shí)現？

3D DRAM 的使用在未來(lái)或許是可能的。
關(guān)鍵字： DRAM

DRAM的變數

一路暴跌的半導體行業(yè)在 8 月終于傳來(lái)了好消息。TrendForce 集邦咨詢(xún)研究發(fā)布最新數據，第二季 DRAM 產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約 114.3 億美元，環(huán)比增長(cháng) 20.4%，終結連續三個(gè)季度的跌勢。存儲作為行業(yè)的風(fēng)向標，止跌是大家喜聞樂(lè )見(jiàn)的。這樣的好消息背后，不知道還有多少變數，又何時(shí)傳遞給整個(gè)半導體行業(yè)呢？經(jīng)歷低谷根據 TrendForce 發(fā)布報告，2022 年第三季度 DRAM 行業(yè)營(yíng)收為 181.9 億美元，環(huán)比下降 28.9%。2022 年第三季度，DRAM 供應商庫存快速堆積，為搶占第四季度的出貨市
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延續摩爾定律：先進(jìn)封裝進(jìn)入3D堆疊CPU/GPU時(shí)代

堆疊需求旺盛。
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美光 1-gamma 制程內存預計 2025 年上半年在臺量產(chǎn)

IT之家 9 月 4 日消息，據臺灣《中央通訊社》報道，臺灣美光董事長(cháng)盧東暉表示，美光有多達 65% 的 DRAM 產(chǎn)品在臺灣生產(chǎn)，其中臺日團隊一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺中廠(chǎng)量產(chǎn)，這是美光第 1 代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)。據悉，美光現在只有在臺中有 EUV 的制造工廠(chǎng)，1-gamma 制程勢必會(huì )先在臺中廠(chǎng)量產(chǎn)，日本廠(chǎng)未來(lái)也會(huì )導入 EUV 設備。盧東暉強調，臺灣和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多達 65% 的動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體（DRAM
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三星發(fā)布其容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品

2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術(shù)，開(kāi)發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數據率同步動(dòng)態(tài)隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開(kāi)始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開(kāi)發(fā)下一代DRAM內存技術(shù)領(lǐng)域中的地位，并開(kāi)啟了大容量?jì)却鏁r(shí)代的新篇章。三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級32Gb內存的基礎上，我們可以研發(fā)出實(shí)現1TB內存模組的解決方案
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3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過(guò) 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現 8 平面 3D NAND 設備以及超過(guò) 300 字線(xiàn)的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤(pán)的數據傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
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3D DRAM時(shí)代即將到來(lái)，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來(lái)架構

動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量?jì)却娴臄底蛛娮釉O備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術(shù)進(jìn)步驅動(dòng)了DRAM的微縮，隨著(zhù)技術(shù)在節點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動(dòng)存儲器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著(zhù)生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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