鎧俠公布藍圖：2027年實(shí)現1000層3D NAND堆疊

近日，據媒體報道，日本存儲芯片廠(chǎng)商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖，目標2027年實(shí)現1000層堆疊。

鎧俠表示，自2014年以來(lái)，3D NAND閃存的層數經(jīng)歷了顯著(zhù)的增長(cháng)，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實(shí)現了驚人的10倍增長(cháng)。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長(cháng)速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。

而這一規劃較此前公布的時(shí)間早了近3年，據日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學(xué)會(huì )春季學(xué)術(shù)演講會(huì )上表示，公司計劃于2030至2031年間推出1000層的3D NAND閃存芯片。

鎧俠是全球知名的存儲芯片廠(chǎng)商，不過(guò)為應對需求低迷的市場(chǎng)環(huán)境，2022年10月，鎧俠宣布將調整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠(chǎng)的生產(chǎn)，將晶圓生產(chǎn)量減少約30%。

最新消息是，鎧俠已結束了為期20個(gè)月的減產(chǎn)動(dòng)作，并將上述兩座NAND Flash工廠(chǎng)的產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工率提升至100%。此外，隨著(zhù)業(yè)務(wù)好轉，債權銀行已同意為6月份到期的5,400億日元貸款進(jìn)行再融資。他們還將設立總額為2,100億日元的新信貸額度。

除了公布最新3D NAND閃存發(fā)展藍圖外，鎧俠的IPO計劃似乎也迎來(lái)了新的進(jìn)展。

據媒體援引兩位知情人士的消息報道，鎧俠計劃在未來(lái)幾天提交一份在東京證交所上市的初步申請。知情人士稱(chēng)，這家芯片制造商計劃在8月提交一份完整的申請，并預計于10月底上市，不過(guò)上市時(shí)間有可能會(huì )推遲到12月。