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3d x-dram
3d x-dram 文章 進(jìn)入3d x-dram技術(shù)社區
第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)最新預估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%，全線(xiàn)產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢(xún)原先預估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當時(shí)從合約價(jià)先行指標的現貨價(jià)格就可看出，現貨價(jià)已出現連續走弱，上漲動(dòng)能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
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2025年HBM價(jià)格調漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預估將逾三成
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷(xiāo)售單價(jià)較傳統型DRAM（Conventional DRAM）高出數倍，相較DDR5價(jià)差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預估將超過(guò)10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預估可逾20%，至2025年占比有機會(huì )逾三成。2024年HBM
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專(zhuān)利，準備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和天線(xiàn)調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著(zhù)新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長(cháng)，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題，將裝置中
- 關(guān)鍵字： 5G 聯(lián)電 RFSOI 3D IC
聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶(hù)采用，預計今年量產(chǎn)
- 近日，晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電舉行法說(shuō)會(huì )，公布2024年第一季財報，合并營(yíng)收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長(cháng)0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(cháng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營(yíng)運效率提升，仍維持相對穩健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下，特殊制程占總營(yíng)收
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SK海力士計劃在清州M15X工廠(chǎng)新建DRAM生產(chǎn)基地
- 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，4月24日，SK海力士宣布，為應對AI半導體需求的急劇增長(cháng)，計劃擴大AI基礎設施核心組件HBM等下一代DRAM的生產(chǎn)能力。SK海力士表示，若理事會(huì )批準該計劃，三星電子將在忠北清州M15X工廠(chǎng)建立新的DRAM生產(chǎn)基地，并投資5.3萬(wàn)億韓元用于建設新工廠(chǎng)。該工廠(chǎng)計劃于4月底開(kāi)始建設，目標是在2025年11月完工，并進(jìn)行早期批量生產(chǎn)。隨著(zhù)設備投資的逐步增加，新生產(chǎn)基地的長(cháng)期總投資將超過(guò)20萬(wàn)億韓元。（圖源：SK海力士官網(wǎng)）SK海力士總經(jīng)理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱(chēng)，M15X將成
- 關(guān)鍵字： SK海力士 AI DRAM
如何減少光學(xué)器件的數據延遲
- 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
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Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進(jìn)的點(diǎn)云
- Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對我們3D視覺(jué)相機的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們全新的Omni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長(cháng)的工作距離，速度更快，點(diǎn)云質(zhì)量更好，特別是在透明物體上。升級要點(diǎn)· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進(jìn)的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級。Omni v2顯著(zhù)減少了與成像透明物體相關(guān)的點(diǎn)云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點(diǎn)云。當在高端GPU上運行時(shí)，我們推薦的預設和配置的捕獲時(shí)間從490毫秒減少到約315毫秒。
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存儲大廠(chǎng)技術(shù)之爭愈演愈烈
- AI、大數據等應用催生海量存儲數據需求，也對存儲技術(shù)提出了更高要求，這一背景下，存儲大廠(chǎng)技術(shù)競爭愈演愈烈。閃存方面，大廠(chǎng)聚焦層數突破。近期，韓媒報道，三星電子預計將于本月晚些時(shí)候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存，即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續使用雙閃存堆棧的結構，層數將達到290層。另?yè)I(yè)界預測，三星未來(lái)第十代V-NAND層數有望達到430層，屆時(shí)三星將換用三堆棧結構。而更遙遠的未來(lái)，三星、鎧俠兩家廠(chǎng)商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計劃2030年
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美光：預計臺灣地區地震對本季度 DRAM 內存供應造成中等個(gè)位數百分比影響
- IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美國證券交易委員會(huì ) SEC 遞交 8-K 重大事項公告，預計本月初的臺灣地區地震對其二季度 DRAM 內存供應造成“中等個(gè)位數百分比”的影響。美光在臺灣地區設有桃園和臺中兩座生產(chǎn)據點(diǎn)。根據 TrendForce 集邦咨詢(xún)此前報告，地震導致當時(shí)桃園產(chǎn)線(xiàn)上超六成的晶圓報廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無(wú)恙，設施、基建和生產(chǎn)工具未遭受永久性損害，長(cháng)期 DRAM 內存供應能力也沒(méi)有遇到影響。直至公告發(fā)稿時(shí)，美光尚未在震后全面恢復 DRAM 生產(chǎn)，但得
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3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計時(shí)
- 在 AI 服務(wù)器中，內存帶寬問(wèn)題越來(lái)越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統計算效率的提升。眼下，HBM 內存很火，它相對于傳統 DRAM，數據傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著(zhù) AI 應用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問(wèn)題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無(wú)期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內存芯片廠(chǎng)商，以及全球知名半導體科研機構都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠了。據首爾半導體行業(yè)
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3D NAND，1000層競爭加速！
- 據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應用物理學(xué)會(huì )春季會(huì )議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應用幾乎無(wú)處不在。而隨著(zhù)云計算、大數據以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠(chǎng)商之間的競爭便主要集中在芯
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加注西安工廠(chǎng) 美光期待引領(lǐng)創(chuàng )芯長(cháng)安
- 怎么證明企業(yè)對某個(gè)市場(chǎng)的未來(lái)充滿(mǎn)信心？頻繁來(lái)華喊口號還是推定制芯片？一邊提升銷(xiāo)售預期一邊減少研發(fā)團隊？或者是縮減產(chǎn)能加大宣傳力度？商業(yè)行為還真是要靠真金白銀才能體現誠意，對中國市場(chǎng)最有信心的表示當然是加大中國市場(chǎng)的投資力度。 3月27日，美光科技舉辦了新廠(chǎng)房動(dòng)工奠基儀式，宣告2023年6月公布的美光西安工廠(chǎng)價(jià)值43億元人民幣的擴建工程正式破土動(dòng)工，該項目是2020年以來(lái)國外半導體企業(yè)在國內最大的工廠(chǎng)投資建設工程。據悉，這個(gè)項目除了加建新廠(chǎng)房，還會(huì )引入全新產(chǎn)線(xiàn)，制造更廣泛的產(chǎn)品解決方案，例如移動(dòng)DRAM、N
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三星否認將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱(chēng)現有 TC-NCF 方案效果良好
- IT之家 3 月 14 日消息，據韓媒 NEWSIS 報道，三星電子否認了近日路透社的說(shuō)法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個(gè)流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過(guò)回流焊一次性粘合，然后同時(shí)用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱(chēng)熱壓非導電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著(zhù) HBM
- 關(guān)鍵字： 三星 MR-RUF DRAM HBM
又一存儲大廠(chǎng)DRAM考慮采用MUF技術(shù)
- 韓國媒體 TheElec報道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術(shù)。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲器的MUF 技術(shù)，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據悉，MUF 是一種在半導體上打上數千個(gè)微小的孔，然后將上下層半導體連接的硅穿孔 (TSV) 技術(shù)后，注入到半導體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個(gè)半導體牢固地固定并連接起來(lái)。而經(jīng)過(guò)測試后獲得的結論，MUF 不適用于高頻寬存儲器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
- 關(guān)鍵字： 存儲 DRAM MUF技術(shù)
3d x-dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3d x-dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3d x-dram的理解，并與今后在此搜索3d x-dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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