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3d nand
3d nand 文章 進(jìn)入3d nand技術(shù)社區
NAND Flash第四季價(jià)格有望止跌回升
- 近日，三星（Samsung）為應對需求持續減弱，宣布9月起擴大減產(chǎn)幅度至50%，減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主，據TrendForce集邦咨詢(xún)調查，其他供應商預計也將跟進(jìn)擴大第四季減產(chǎn)幅度，目的加速庫存去化速度，預估第四季NAND Flash均價(jià)有望因此持平或小幅上漲，漲幅預估約0~5%。價(jià)格方面，如同年初TrendForce集邦咨詢(xún)預測，NAND Flash價(jià)格反彈會(huì )早于DRAM，由于NAND Flash供應商虧損持續擴大，銷(xiāo)售價(jià)格皆已接近生產(chǎn)成本，供應商為了維持營(yíng)運而選擇擴大減產(chǎn)，以期帶動(dòng)價(jià)
- 關(guān)鍵字： NAND Flash Wafer TrendForce
使用NAND門(mén)的基本邏輯門(mén)
- 邏輯門(mén)主要有三種類(lèi)型，即 AND 門(mén)、OR 門(mén)和 NOT 門(mén)。每種邏輯門(mén)都有自己不同的邏輯功能。因此，在這些基本邏輯門(mén)的幫助下，我們可以得到任何邏輯函數或任何布爾或其他邏輯表達式?；具壿嬮T(mén)的真值表：了解每個(gè)邏輯門(mén)的功能對熟悉轉換非常重要。1.NOT 邏輯門(mén)：這種邏輯門(mén)是數字邏輯電路中最簡(jiǎn)單的一種。該邏輯門(mén)只有兩個(gè)端子，一個(gè)用于輸入，另一個(gè)用于輸出。門(mén)的輸入是二進(jìn)制數，即只能是 1 或 0。邏輯門(mén)輸出端的輸出總是與輸入端相反，也就是說(shuō)，如果輸入端為 1，則輸出端為 0，反之亦然?？赡艹霈F的級數由 2a 計
- 關(guān)鍵字： NAND 邏輯門(mén)
NAND 原廠(chǎng)過(guò)夠了「苦日子」，有晶圓合約成功漲價(jià) 10%
- 廠(chǎng)家期待觸底后的反彈早日到來(lái)。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
采用NAND和NOR門(mén)的SR觸發(fā)器
- 在本教程中，我們將討論數字電子學(xué)中的基本電路之一--SR 觸發(fā)器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門(mén)的 SR 觸發(fā)器的基本電路、其工作原理、真值表、時(shí)鐘 SR 觸發(fā)器以及一個(gè)簡(jiǎn)單的實(shí)時(shí)應用。電路簡(jiǎn)介我們迄今為止看到的電路，即多路復用器、解復用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗發(fā)生器和校驗器等，都被稱(chēng)為組合邏輯電路。在這類(lèi)電路中，輸出只取決于輸入的當前狀態(tài)，而不取決于輸入或輸出的過(guò)去狀態(tài)。除了少量的傳播延遲外，當輸入發(fā)生變化時(shí)，組合邏輯電路的輸出立即發(fā)生變化。還有一類(lèi)電路，其輸出不僅取決于當前的輸入，還取決
- 關(guān)鍵字： NAND NOR門(mén) SR觸發(fā)器
三星明年將升級NAND核心設備供應鏈
- 據媒體報道，三星作為全球最大的NAND閃存供應商，為了提高新一代NAND閃存的競爭力，將在2024年升級其N(xiāo)AND核心設備供應鏈，各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進(jìn)行設備運行測試。?三星平澤P1工廠(chǎng)未來(lái)大部分產(chǎn)線(xiàn)將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進(jìn)的第8代V-NAND，同時(shí)正在將日本東京電子（TEL）的最新設備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線(xiàn)，此次采購的TEL設備是用于整個(gè)半導體工藝的蝕刻設備。三星的半導體產(chǎn)品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結束時(shí)，三星旗下設備解決方案部門(mén)的庫存已增至
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 閃存
3D NAND還是卷到了300層
- 近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過(guò) 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現 8 平面 3D NAND 設備以及超過(guò) 300 字線(xiàn)的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤(pán)的數據傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
- 關(guān)鍵字： V-NAND 閃存 3D NAND
基于FPGA的NAND Flash的分區續存的功能設計實(shí)現
- 傳統的控制器只能從NAND Flash存儲器的起始位置開(kāi)始存儲數據，會(huì )覆蓋上次存儲的數據，無(wú)法進(jìn)行數據的連續存儲。針對該問(wèn)題，本文設計了一種基于FPGA的簡(jiǎn)單方便的NAND Flash分區管理的方法。該方法在NAND Flash上開(kāi)辟專(zhuān)用的存儲空間，記錄最新分區信息，將剩余的NAND Flash空間劃成多個(gè)分區。本文給出了分區工作機理以及分區控制的狀態(tài)機圖，并進(jìn)行了驗證。
- 關(guān)鍵字： 202308 NAND Flash FPGA 分區 起始地址
因業(yè)務(wù)低迷，消息稱(chēng)三星計劃暫停部分工廠(chǎng) NAND 閃存生產(chǎn)
- IT之家 8 月 16 日消息，據韓國電子時(shí)報報道，為了克服低迷的存儲器市場(chǎng)狀況，三星電子計劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠(chǎng)的部分 NAND 閃存生產(chǎn)設備。業(yè)內人士透露，三星目前正在考慮停止 P1 工廠(chǎng) NAND Flash 生產(chǎn)線(xiàn)部分設備的生產(chǎn)，該生產(chǎn)區主要負責生產(chǎn) 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND，其中的設備將停產(chǎn)至少一個(gè)月。外媒表示，鑒于市場(chǎng)持續低迷，業(yè)界猜測三星的 NAND Flash 產(chǎn)量可能會(huì )減少 10% 左右，而三星在近來(lái) 4 月份發(fā)布的 2023 年第一季度財報中也正式
- 關(guān)鍵字： 三星電子 V-NAND
3D DRAM時(shí)代即將到來(lái)，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來(lái)架構
- 動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量?jì)却娴臄底蛛娮釉O備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術(shù)進(jìn)步驅動(dòng)了DRAM的微縮，隨著(zhù)技術(shù)在節點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動(dòng)存儲器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著(zhù)生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM 泛林
基于NAND門(mén)的行李安全警報
- 在乘坐火車(chē)和公共汽車(chē)的旅途中，我們會(huì )攜帶許多重要的物品，而且總是擔心有人會(huì )偷走我們的行李。因此，為了保護我們的行李，我們通常會(huì )用老辦法，借助鏈條和鎖來(lái)鎖住行李。但鎖了這么多把鎖之后，我們還是會(huì )擔心有人會(huì )割斷鎖鏈，拿走我們的貴重物品。為了克服這些恐懼，這里有一個(gè)基于 NAND 門(mén)的簡(jiǎn)易電路。在這個(gè)電路中，當有人試圖提起你的行李時(shí)，它就會(huì )發(fā)出警報，這在你乘坐公共汽車(chē)或火車(chē)時(shí)非常有用，即使在夜間也是如此，因為它還能在繼電器上產(chǎn)生聲光指示。這種電路的另一個(gè)用途是，您可以在家中使用這種電路，以便在這種報警電路的幫助
- 關(guān)鍵字： NAND 邏輯門(mén)
3d nand介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3d nand的理解，并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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