三季度DRAM和NAND閃存價(jià)格跌幅放緩

據業(yè)內消息人士稱(chēng)，DRAM 和 NAND 閃存的合同市場(chǎng)價(jià)格將在 2023 年第三季度繼續下跌，盡管降幅有所放緩。

自 2022 年初以來(lái)存儲下游需求不振引發(fā)供需錯配，廠(chǎng)商競相出貨導致存儲價(jià)格持續下探。2023 Q1 存儲產(chǎn)品價(jià)格繼續下跌，伴隨下游筆記本電腦需求回暖、AI 應用浪潮襲來(lái)與汽車(chē)市場(chǎng)景氣度上升，疊加龍頭企業(yè)減產(chǎn)停止價(jià)格跌勢，預計價(jià)格環(huán)比跌幅將持續縮小。

部分 DRAM 價(jià)格止跌

據臺媒報道，在智能手機、PC 上用于暫時(shí)儲存數據的 DRAM 價(jià)格止跌，而此可能是因為存儲大廠(chǎng)減產(chǎn)、導致市場(chǎng)庫存減少所致。2023 年 5 月份指標性產(chǎn)品 DDR4 8Gb 批發(fā)價(jià)（大宗交易價(jià)格）為每個(gè) 1.48 美元左右、同于前一個(gè)月份（2023 年 4 月）水準，結束連 12 個(gè)月下跌局面；容量較小的 4Gb 產(chǎn)品價(jià)格為每個(gè) 1.1 美元左右，同于前一個(gè)月份水準，結束連 12 個(gè)月下跌局面。

DRAM 批發(fā)價(jià)格為存儲廠(chǎng)商和客戶(hù)間每個(gè)月或每季敲定一次。

報道指出，美光、SK 海力士于 2022 年秋天表明減產(chǎn)，龍頭廠(chǎng)三星也在今年 4 月宣布減產(chǎn)，而隨著(zhù)各家廠(chǎng)商減產(chǎn)、市場(chǎng)庫存持續進(jìn)行調整。半導體商社負責人指出，需求穩健的資料中心相關(guān)庫存已呈現適當水平。美光科技此前曾表示，AI 服務(wù)器對 DRAM 和 NAND 的容量需求分別是常規服務(wù)器的 8 倍和 3 倍。

近日，有市場(chǎng)消息稱(chēng)，存儲芯片三大原廠(chǎng)擬在下季拉動(dòng) DRAM 價(jià)格上漲。業(yè)內人士表示，目前三大原廠(chǎng)都想要拉高合約價(jià)，目標漲幅 7%~8%。雖然仍有庫存以及終端需求未見(jiàn)明顯復蘇的跡象，但進(jìn)入拉扯的角力戰，至少代表產(chǎn)業(yè)落底、復蘇有望。此外，美光科技公布的 2023 財年第三財季業(yè)績(jì)超出市場(chǎng)預期，對存儲芯片板塊形成利好刺激。

日本電子情報技術(shù)產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )（JEITA）6 月 6 日發(fā)布新聞稿指出，根據 WSTS 最新公布的預測報告顯示，因智能手機、PC 需求疲弱，導致存儲需求預估將呈現大幅減少，因此 2023 年全球半導體銷(xiāo)售額預估將年減 10.3% 至 5,150.95 億美元，其中存儲銷(xiāo)售額預估將暴減 35.2% 至 840.41 億美元。

WSTS 預估，2024 年全球半導體銷(xiāo)售額將年增 11.8% 至 5,759.97 億美元，將超越 2022 年的 5,740.84 億美元，創(chuàng )下歷史新高紀錄，其中，存儲銷(xiāo)售額預估將暴增 43.2% 至 1,203.26 億美元。

6 月份 NAND 市場(chǎng)將發(fā)生轉變

據業(yè)內人士透露，三星電子已經(jīng)通知模塊客戶(hù)，將提高 NAND 晶圓的官方報價(jià)。此外，如果消費電子市場(chǎng)需求在下半年改善，NAND 晶圓合約報價(jià)有望企穩。之前三星和 SK 海力士已在尋求將 NAND 閃存價(jià)格提高 3%-5%，并表示 NAND 閃存的價(jià)格已降至可變成本以下，一些品牌 SSD 價(jià)格已接近 HDD 價(jià)格。

另?yè)?TrendForce 調查報告顯示，5 月起美、韓系廠(chǎng)商大幅減產(chǎn)后，已見(jiàn)到部分供應商開(kāi)始調高 NAND 晶圓報價(jià)，對于中國市場(chǎng)報價(jià)均已略高于 3-4 月成交價(jià)。

TrendForce 預測，NAND 閃存價(jià)格將從今年第三季度開(kāi)始上漲，預計漲幅約為 0-5%。預計 2023 年第四季度價(jià)格增長(cháng)率將進(jìn)一步擴大到 8%-13%。然而，對于固態(tài)硬盤(pán)、eMMC 和 UFS 等產(chǎn)品，仍然需要促銷(xiāo)活動(dòng)來(lái)清理庫存，目前沒(méi)有價(jià)格上漲的跡象。

相較其他買(mǎi)方，中國模組廠(chǎng)持續建立低價(jià)庫存的意愿較強，因此目前對原廠(chǎng)小幅調漲晶圓報價(jià)的接受度高，有分析師認為部分容量晶圓價(jià)格在中國市場(chǎng)將會(huì )率先止跌翻漲。若其他市場(chǎng)也出現接受價(jià)格合理調漲，原廠(chǎng)上調晶圓報價(jià)的趨勢將獲得有效支撐，使得買(mǎi)方采購策略轉趨積極，進(jìn)一步支撐后續晶圓價(jià)格上漲。

今年 6 月 7 日，SK 海力士宣布已開(kāi)始大規模生產(chǎn)其 238 層 NAND 存儲設備，有望實(shí)現高性能和高容量的固態(tài)硬盤(pán)。新芯片擁有 2400MT/s 的數據傳輸速率，可用于驅動(dòng)下一代最佳固態(tài)硬盤(pán)，高速型號將采用 PCIe5.0x4 接口，并提供 12GB/s 或更高的順序讀/寫(xiě)速度。該公司首款 238 層 3D NAND 器件是一款 512Gb(64GB) 的 3D TLC 設備，與該公司 176 層 3D NAND 節點(diǎn)上制造的可比設備相比，制造效率高出 34%。SK 海力士計劃首先在智能手機上使用這種新的 238 層內存，然后在其他產(chǎn)品組合中推廣使用。