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3d nand
3d nand 文章 進(jìn)入3d nand技術(shù)社區
存儲器廠(chǎng)商Q1虧損恐難逃
- 由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續跌，加上庫存水位過(guò)高，終端消費支出持續放緩，據外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價(jià)導致?tīng)I收及毛利率持續下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng )下歷史新高。其中，占三星營(yíng)收比重最高的半導
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存儲大廠(chǎng)展示300層NAND Flash，預計最快2024年問(wèn)世
- 近日，在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會(huì )議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠(chǎng)SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內上市，有望打破紀錄。外媒報導，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開(kāi)發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁(yè)容量、四個(gè)平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
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平面→立體，3D DRAM重定存儲器游戲規則？
- 近日，外媒《BusinessKorea》報道稱(chēng)，三星的主要半導體負責人最近在半導體會(huì )議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據稱(chēng)這將改變存儲器行業(yè)的游戲規則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結構？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來(lái)，這份偉大的成就為半導體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
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(2023.3.20)半導體周要聞-莫大康
- 半導體一周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號器件的替代開(kāi)發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎，華為總裁任正非發(fā)表了講話(huà)，部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀要。任正非表示，在美國制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號器件的替代開(kāi)發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開(kāi)發(fā)等，直到現在電路板才穩定下來(lái)，因為有了國產(chǎn)的零部件供應。任正非表示，華為現在還屬于困難時(shí)期，但在前進(jìn)的道路上并沒(méi)有停步
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均價(jià)跌幅擴大，2022年第四季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌25%
- TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查顯示，NAND Flash市場(chǎng)自2022年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng)，供應鏈積極去化庫存加以應對，此情況導致第四季NAND Flash合約價(jià)格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約23~28%。在原廠(chǎng)積極降價(jià)求量的同時(shí)，客戶(hù)為避免零部件庫存再攀高，備貨態(tài)度消極，使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長(cháng)僅5.3%，平均銷(xiāo)售單價(jià)環(huán)比減少22.8%，2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比下跌25.0%，達
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外媒：存儲大廠(chǎng)正在加速3D DRAM商業(yè)化
- 據外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會(huì )議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長(cháng)兼工藝開(kāi)發(fā)室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認為是半導體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)增長(cháng)動(dòng)力?？紤]到目前DRAM線(xiàn)寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現有
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芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”
- 國內EDA行業(yè)領(lǐng)導者芯和半導體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設計分析方面的杰出表現，近日在半導體行業(yè)國際在線(xiàn)平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱(chēng)號。? “Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設計，這一事件引起了我們極大的關(guān)注?！?D InCites創(chuàng )始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D InCi
- 關(guān)鍵字： 芯和半導體榮 3D InCites Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎
芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎”
- 國內EDA行業(yè)領(lǐng)導者芯和半導體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設計分析方面的杰出表現，近日在半導體行業(yè)國際在線(xiàn)平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱(chēng)號。?“Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設計，這一事件引起了我們極大的關(guān)注?！?D?InCites創(chuàng )始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D
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支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng )新
- 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動(dòng)應用程序、數據中心和人工智能）的性能，就需要對架構、材料和核心制造流程進(jìn)行復雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(cháng)。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線(xiàn)太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺，包括一個(gè)或多
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不是“空中樓閣”：努比亞Pad 3D搭載全球最大Leia 3D內容生態(tài)
- 近日，努比亞宣布，將在MWC 2023上，公布全球首款由AI引擎驅動(dòng)3D平板：努比亞Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鮮技術(shù)， 這難免讓人懷疑這款努比亞Pad 3D的最大賣(mài)點(diǎn)，是否會(huì )向其他同類(lèi)產(chǎn)品一樣，淪為“空中樓閣”。而今天，努比亞打消了用戶(hù)的這一顧慮。今天，努比亞官方宣布， 努比亞Pad 3D將搭載全球最大的Leia 3D內容生態(tài)系統，包含大量運用裸眼3D技術(shù)的App，并獲得了來(lái)自多個(gè)包括Unity、UNREL等游戲引擎，以及GAMELOFT等游戲開(kāi)發(fā)商的內容支持。
- 關(guān)鍵字： 努比亞 MWC 3D 游戲引擎
西部數據宣布進(jìn)一步削減生產(chǎn)和投資，NAND 晶圓產(chǎn)量將減少至 30%
- IT之家 2 月 7 日消息，據韓媒 Business Korea 報道，在內存半導體行業(yè)持續低迷的情況下，全球 NAND 閃存市場(chǎng)第四大公司西部數據宣布將進(jìn)一步縮減設備投資和生產(chǎn)。西部數據 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績(jì)電話(huà)會(huì )議上表示，2023 財年設備投資總額將達到 23 億美元（當前約 156.17 億元人民幣）。據IT之家了解，這一數字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元（當前約 183.33 億元人民幣）下降了 14.8%，與 2022 年 8 月公布
- 關(guān)鍵字： NAND 內存 西部數據
意法半導體和鈺立微電子在 CES 2023上展出合作成果： 適用于機器視覺(jué)和機器人的3D 立體視覺(jué)攝像頭
- 雙方將通過(guò)立體攝像頭數據融合技術(shù)演示3D立體深度視覺(jué)， *AIoT 、AGV小車(chē)和工業(yè)設備依靠3D立體攝像頭跟蹤快速運動(dòng)物體參考設計利用意法半導體的高性能近紅外全局快門(mén)圖像傳感器，確保打造出最佳品質(zhì)的深度感測和*點(diǎn)云圖資訊2023年1月5日，中國----在 1 月 5 日至 8 日舉行的拉斯維加斯CES 2023 消費電子展上，服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM)，和專(zhuān)
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NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成
- 消費性固態(tài)硬盤(pán)（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過(guò)去二年作為推動(dòng)全球NAND Flash需求位成長(cháng)的要角，市調機構集邦預估，2022年消費性SSD在筆電的滲透率達92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場(chǎng)，加上總經(jīng)不佳導致消費性電子需求急凍，未來(lái)消費性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長(cháng)受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費性SSD在近期迅速跌價(jià)后，已與半年前256GB報價(jià)相近，甚至
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基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設計與實(shí)現
- 在現代電子設備中，越來(lái)越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來(lái)進(jìn)行大容量的數據存儲，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據NAND FLASH的特點(diǎn)，需要識別NAND FLASH芯片的壞塊并進(jìn)行管理。FPGA對壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進(jìn)行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設計方法，利用FPGA中RAM模塊，設計了狀態(tài)機電路，靈活地實(shí)現壞塊表的建立、儲存和管理，并且對該設計進(jìn)行測試驗證。
- 關(guān)鍵字： NAND FLASH FPGA 壞塊 壞塊檢測 202212
如何達到3D位置感測的實(shí)時(shí)控制
- 本文回顧3D霍爾效應位置傳感器的基礎知識，并描述在機器人、篡改偵測、人機接口控制和萬(wàn)向節馬達系統中的用途；以及介紹高精密度線(xiàn)性3D霍爾效應位置傳感器的范例。用于實(shí)時(shí)控制的3D位置感測在各種工業(yè)4.0應用中不斷增加，從工業(yè)機器人、自動(dòng)化系統，到掃地機器人和保全。3D霍爾效應位置傳感器是這些應用的理想選擇；它們具有高重復性和可靠性，還可以與窗戶(hù)、門(mén)和外殼搭配，進(jìn)行入侵或磁性篡改偵測。盡管如此，使用霍爾效應傳感器設計有效且安全的3D感測系統可能復雜且耗時(shí)?；魻栃獋鞲衅餍枰c足夠強大的微控制器（MCU）介接，以
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3d nand介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3d nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3d nand的理解，并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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