NAND 原廠(chǎng)過(guò)夠了「苦日子」，有晶圓合約成功漲價(jià) 10%

近期，受晶圓合約價(jià)格成功上漲的推動(dòng)，NAND Flash 芯片現貨市場(chǎng)部分產(chǎn)品的詢(xún)價(jià)活躍度有所上升。TrendForce 報告稱(chēng)，這一增長(cháng)主要源于 8 月底 NAND Flash 供應商與中國主要模塊制造商之間的談判。這些談判促成了一份新的晶圓合同，成功地將 512Gb 晶圓的價(jià)格提高了約 10%。

其他供應商也提高了同類(lèi)產(chǎn)品的價(jià)格，這表明供應商情緒發(fā)生了轉變：他們現在不太愿意以較低的價(jià)格完成交易。這一變化促成了晶圓現貨市場(chǎng)的短期飆升。然而，這種采購激增是否得到實(shí)際終端用戶(hù)需求的支持仍不確定，因為這些訂單是對供應方定價(jià)調整的反應。

供應商對定價(jià)保持堅挺，并尋求通過(guò)減產(chǎn)加速觸底反彈

從 2022 年第 2 季度開(kāi)始，鎧俠和美光率先減產(chǎn)，2023 年第 2 季度三星緊隨其后。然而，這些削減的效果要到 2023 年下半年才能完全實(shí)現。TrendForce 報道稱(chēng)，三星最初將產(chǎn)量削減了 25%，預計到 2023 年第 4 季度這一數字將增至 35%。這表明市場(chǎng)持續存在供應過(guò)剩壓力。如果沒(méi)有供應商的積極干預，即使需求在 2023 年下半年略有復蘇，NAND Flash 相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格的觸底反彈也將面臨挑戰。因此，目前各大 NAND Flash 供應商都在積極減產(chǎn)來(lái)控制供應，以阻止價(jià)格進(jìn)一步下跌，防止價(jià)格再創(chuàng )新低。

隨著(zhù)近期 NAND Flash 晶圓價(jià)格的上漲，金士頓、群聯(lián)等模組廠(chǎng)商的成本壓力加大。作為回應，這些公司越來(lái)越多地宣布打算提高最終產(chǎn)品的價(jià)格，特別是在 SSD 領(lǐng)域。最近，這些供應商已恢復官方交易定價(jià)，不再允許客戶(hù)協(xié)商更低的價(jià)格。

首先是大型科技公司和傳統企業(yè)原始設備制造商 (OEM) 對企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán) (SSD) 的需求增加。這些企業(yè)對數據存儲的要求越來(lái)越高，因此采用更多的企業(yè)級 SSD 來(lái)滿(mǎn)足大規模數據處理和存儲的需求。其次，SSD 在 PC 和游戲機中的普及也是推動(dòng)市場(chǎng)增長(cháng)的因素之一。隨著(zhù)人們對快速啟動(dòng)和高效數據讀寫(xiě)的需求增加，SSD 在個(gè)人電腦和游戲機中的應用越來(lái)越廣泛。智能手機和其他移動(dòng)設備存儲容量的增加也是推動(dòng)市場(chǎng)增長(cháng)的因素之一。隨著(zhù)用戶(hù)在手機中存儲大量照片、視頻和應用程序的需求增加，手機制造商需要提供更大容量的存儲解決方案，這將推動(dòng) NAND Flash 市場(chǎng)的增長(cháng)。

TrendForce 認為，由于供應商繼續掌握晶圓及相關(guān) NAND Flash 產(chǎn)品價(jià)格的決定權，短期市場(chǎng)價(jià)格波動(dòng)在意料之中。韓國供應商可能會(huì )在第四季度進(jìn)一步削減 NAND Flash 產(chǎn)量，以穩定價(jià)格。然而，與實(shí)際的最終用戶(hù)需求相比，買(mǎi)家對未來(lái)的需求前景仍然保持謹慎甚至悲觀(guān)。因此，即使采購成本增加，也不太可能刺激訂單量激增。因此，當前硅片現貨市場(chǎng)價(jià)格上漲趨勢的可持續性仍值得觀(guān)察。

6 月?lián)娮訒r(shí)報報道，消息人士透露，三星計劃提高 NAND 晶圓價(jià)格。此外，如果消費電子市場(chǎng)需求在下半年改善，NAND 晶圓合約報價(jià)或將回升。

之前三星和 SK 海力士已在尋求將 NAND 閃存價(jià)格提高 3%-5%，并表示 NAND 閃存的價(jià)格已降至可變成本以下，一些品牌 SSD 價(jià)格已接近 HDD 價(jià)格。

另?yè)?TrendForce 本周調查報告顯示，5 月起美、韓系廠(chǎng)商大幅減產(chǎn)后，已見(jiàn)到部分供應商開(kāi)始調高 NAND 晶圓報價(jià)，對于中國市場(chǎng)報價(jià)均已略高于 3-4 月成交價(jià)。

因此，該機構預估 6 月模組廠(chǎng)啟動(dòng)備貨下，主流容量 512Gb NAND 閃存晶圓有望止跌并小幅反彈，結束自 2022 年 5 月以來(lái)的猛烈跌勢，預期今年第三季起將轉為上漲，漲幅約 0-5%，第四季漲幅將再擴大至 8%-13%。臺積電先進(jìn)制程擬明年漲價(jià) 3%-6%

據臺媒報道，IC 設計廠(chǎng)商表示，臺積電計劃從明年 1 月起將調漲先進(jìn)制程的報價(jià)，漲幅達 3%-6%。

IC 設計廠(chǎng)商稱(chēng)，按照制程、訂單規模與合作緊密程度，眾廠(chǎng)漲幅不一，目前臺積電已陸續與與蘋(píng)果、聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達、高通及博通等多家客戶(hù)進(jìn)行溝通漲價(jià)事宜。對于臺積電逆勢漲價(jià)的原因，廠(chǎng)商表示，主要是因為價(jià)格一旦下調就回不去，此外臺積電面對海外擴產(chǎn)成本、電費上漲等多方面壓力。

展望 2024 年，TrendForce 另一篇研報表示，預期 2024 年存儲器原廠(chǎng)對于 DRAM 與 NAND Flash 的減產(chǎn)策略仍將延續，尤其以虧損嚴重的 NAND Flash 更為明確。預估 2024 上半年，消費電子市場(chǎng)需求能見(jiàn)度仍不明朗，通用型服務(wù)器的資本支出仍受到 AI 服務(wù)器排擠、顯得相對需求疲弱，有鑒于 2023 年基期已低，加上部分存儲器產(chǎn)品價(jià)格已來(lái)到相對低點(diǎn)，預估 DRAM 及 NAND Flash 需求位元同比增幅分別有 13.0% 及 16.0%。