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3d ic 文章 進(jìn)入3d ic技術(shù)社區
3D DRAM時(shí)代即將到來(lái)，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來(lái)架構
- 動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量?jì)却娴臄底蛛娮釉O備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術(shù)進(jìn)步驅動(dòng)了DRAM的微縮，隨著(zhù)技術(shù)在節點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動(dòng)存儲器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著(zhù)生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案
- 中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會(huì )展中心舉辦的 2023中國（上海）機器視覺(jué)展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進(jìn)的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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愛(ài)芯元智CEO仇肖莘出席2023 IC NANSHA
- 中國 上海 2023年6月20日——6月17日-18日，以“南芯聲 聚勢未來(lái)”為主題的2023中國·南沙國際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇（IC NANSHA）成功舉辦。開(kāi)幕式上，愛(ài)芯元智創(chuàng )始人、董事長(cháng)兼CEO仇肖莘博士受邀發(fā)表《普惠智能的星辰大?！分黝}演講，向與會(huì )嘉賓分享了對邊緣側、端側人工智能的看沙法，并解讀愛(ài)芯元智2.0時(shí)代戰略規劃和業(yè)務(wù)布局。 聚焦感知與計算，布局智慧城市、智能駕駛、AIoT三大賽道 IC NANSHA是為響應大灣區國家戰略而搭建的集成電路產(chǎn)業(yè)論壇。2022年6月，國務(wù)院正式
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格力1.5億元參設創(chuàng )投基金，重點(diǎn)投資孵化IC等產(chǎn)業(yè)
- 珠海市招商署消息顯示，5月6日，珠海賽納永盈一期創(chuàng )投基金成立暨項目簽約儀式舉行。據悉，珠海賽納永盈一期創(chuàng )投基金由珠海賽納科技有限公司聯(lián)合格力集團、正方集團共同組建，計劃規模8億元，重點(diǎn)投資孵化激光打印、3D打印、打印耗材、集成電路及上下游相關(guān)產(chǎn)業(yè)。格力集團消息稱(chēng)，格力集團旗下格力金投出資1.5億元并參與管理。儀式上，賽納科技、格力集團、正方集團三方簽約代表簽署“珠海賽納永盈一期創(chuàng )投基金”協(xié)議，基金擬投資企業(yè)珠海諾威達電機有限公司、廣州市小篆科技有限公司分別和賽納科技簽署項目落地協(xié)議。
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3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)
- 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數展示最新的技術(shù)儲備，雙方正在努力實(shí)現 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過(guò) 300 條字線(xiàn)的 3D NAND IC。根據其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過(guò) 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數據還合作開(kāi)發(fā)具有超過(guò) 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗性的 3D NAND IC，通過(guò)金屬誘導側向
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基于RT3607HP的 Intel CPU IMVP 8/9 Vcore 電源方案
- 1. CPU Vcore 簡(jiǎn)介:VCORE轉換器（調節器）是在臺式個(gè)人電腦、筆記本式個(gè)人電腦、服務(wù)器、工業(yè)電腦等計算類(lèi)設備中為CPU（中央處理器）內核或GPU（圖形處理器）內核供電的器件，與普通的POL（負載點(diǎn)）調節器相比，它們要滿(mǎn)足完全不同的需要：CPU/GPU都表現為變化超快的負載，需要以極高的精度實(shí)現動(dòng)態(tài)電壓定位 (Dynamic Voltage Positioning) ，需要滿(mǎn)足一定的負載線(xiàn)要求，需要在不同的節能狀態(tài)之間轉換，需要提供不同的參數測量和監控。在VCORE轉換器與CPU之間通常以串列
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什么是混合信號 IC 設計？
- 在之前的文章中，我們討論了需要具有高輸入阻抗的放大器才能成功地從壓電傳感元件中提取加速度信息。對于一些壓電加速度計，放大器內置在傳感器外殼中?，F代 IC 通常由來(lái)自各個(gè)領(lǐng)域的元素組成。還有各種片上系統 (SoC) 和系統級封裝 (SiP) 技術(shù)，包括單個(gè) IC 上的每個(gè) IC 設計域，或包含各種半導體工藝和子 IC 的封裝。本簡(jiǎn)介概述了典型混合信號 IC 設計流程中的步驟。在本文中，我們系列文章中短的一篇，我們將給出混合信號 IC 設計流程的視圖——同時(shí)具有模擬和數字電路的 IC 設計流程。數據轉換器——
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德州儀器推出業(yè)內先進(jìn)的獨立式有源 EMI 濾波器 IC，支持高密度電源設計
- 中國上海（2023 年 3 月 28 日）– 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）今日宣布推出業(yè)內先進(jìn)的獨立式有源電磁干擾 (EMI) 濾波器集成電路 (IC)，能夠幫助工程師實(shí)施更小、更輕量的 EMI 濾波器，從而以更低的系統成本增強系統功能，同時(shí)滿(mǎn)足 EMI 監管標準。 隨著(zhù)電氣系統變得愈發(fā)密集，以及互連程度的提高，緩解 EMI 成為工程師的一項關(guān)鍵系統設計考慮因素。得益于德州儀器研發(fā)實(shí)驗室 Kilby Labs 針對新概念和突破性想法的創(chuàng )新開(kāi)發(fā)，新的獨立式有源 EMI 濾波器 I
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平面→立體，3D DRAM重定存儲器游戲規則？
- 近日，外媒《BusinessKorea》報道稱(chēng)，三星的主要半導體負責人最近在半導體會(huì )議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據稱(chēng)這將改變存儲器行業(yè)的游戲規則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結構？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來(lái)，這份偉大的成就為半導體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
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3d ic介紹
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