3d ic 文章進(jìn)入3d ic技術(shù)社區

Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設計中

存儲設備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器（1T1C）和三個(gè)晶體管、零電容器（3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術(shù)能夠實(shí)現 10ns 的讀/寫(xiě)速度和超過(guò) 450 秒的保持時(shí)間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
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3D打印高性能射頻傳感器

中國的研究人員開(kāi)發(fā)了一種開(kāi)創(chuàng )性的方法，可以為射頻傳感器構建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結構。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實(shí)現了深溝槽，同時(shí)還實(shí)現了對共振特性的精確控制并顯著(zhù)提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 RF 超結構的品質(zhì)因數（Q 因子）和頻率可調性，而且還將器件占用空間減少了多達 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領(lǐng)域的下一代應用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統光刻技術(shù)難以滿(mǎn)足對超精細、高縱橫比結構的需求。厚度控制不佳、側壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴展性。該技術(shù)
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閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實(shí)現 AI

Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng )新，該公司聲稱(chēng)該創(chuàng )新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內存）用于 AI 推理應用。當 Sandisk 于 2025 年 2 月從數據存儲公司 Western Digital 分拆出來(lái)時(shí)，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時(shí)追求新興顛覆性?xún)却婕夹g(shù)的開(kāi)發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內存技術(shù)高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱(chēng)之為 3D 矩陣內存的東西。在同
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EiceDRIVER? 650V+/-4A高壓側柵極驅動(dòng)器1ED21x7系列

英飛凌的新一代EiceDRIVER? 1ED21x7x 650V、+/-4A柵極驅動(dòng)器IC與其他產(chǎn)品相比，提供了一種更穩健、更具性?xún)r(jià)比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流和高速柵極驅動(dòng)器，可用于Si/SiC功率MOSFET和IGBT開(kāi)關(guān)，設計采用英飛凌的絕緣體上硅（SOI）技術(shù)。1ED21x7x具有出色的堅固性和抗噪能力，能夠在負瞬態(tài)電壓高達-100V時(shí)保持工作邏輯穩定?？捎糜诟邏簜然虻蛪簜裙β使茯寗?dòng)。1ED21x7x系列非常適合驅動(dòng)多個(gè)開(kāi)關(guān)并聯(lián)應用，例如輕型電動(dòng)汽車(chē)?；?ED21x7x
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新型高密度、高帶寬3D DRAM問(wèn)世

3D DRAM 將成為未來(lái)內存市場(chǎng)的重要競爭者。
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打破 BMS IC 的復雜性

電池管理系統（BMS） IC 是一個(gè)相對復雜的系統。與大多數電源管理 IC 不同，它集成了許多相互依賴(lài)的功能，這些功能必須準確、無(wú)縫、和諧地工作，才能提供功能齊全的 BMS。在任何電池供電的設備中，BMS 都是最關(guān)鍵和最敏感的組件之一，通常是最重要的。鋰離子電池雖然功能強大，但高度敏感，如果處理不當可能會(huì )帶來(lái)安全風(fēng)險。保養不當也會(huì )顯著(zhù)縮短它們的使用壽命，導致容量減少，甚至使電池無(wú)法使用。BMS IC 是負責確保電池組運行狀況、報告其狀態(tài)和保持最佳性能的關(guān)鍵元件 - 無(wú)論是獨立還是與系統處理器協(xié)作。&nb
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紫光國微2.5D/3D先進(jìn)封裝項目將擇機啟動(dòng)

日前，紫光國微在投資者互動(dòng)平臺透露，公司在無(wú)錫建設的高可靠性芯片封裝測試項目已于2024年6月產(chǎn)線(xiàn)通線(xiàn)，現正在推動(dòng)量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導入工作，2.5D/3D等先進(jìn)封裝將會(huì )根據產(chǎn)線(xiàn)運行情況擇機啟動(dòng)。據了解，無(wú)錫紫光集電高可靠性芯片封裝測試項目是紫光集團在芯片制造領(lǐng)域的重點(diǎn)布局項目，也是紫光國微在高可靠芯片領(lǐng)域的重要產(chǎn)業(yè)鏈延伸。擬建設小批量、多品種智能信息高質(zhì)量可靠性標準塑料封裝和陶瓷封裝生產(chǎn)線(xiàn)，對保障高可靠芯片的產(chǎn)業(yè)鏈穩定和安全具有重要作用。
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國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

據媒體報道，近日，研究人員發(fā)現了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過(guò)調整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內存存儲奠定了基礎。這項研究是由來(lái)自L(fǎng)am Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實(shí)驗室（PPPL）的科學(xué)家通過(guò)模擬和實(shí)驗進(jìn)行的。根據報道，前PPPL研究員、現就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現的帶電粒子是創(chuàng )建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡(jiǎn)
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李飛飛對計算機視覺(jué)的愿景：World Labs 正為機器提供 3D 空間智能

斯坦福大學(xué)教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏(yíng)得了自己的地位。她在深度學(xué)習革命中發(fā)揮了重要作用，多年來(lái)努力創(chuàng )建 ImageNet 數據集和競賽，挑戰 AI 系統識別 1000 個(gè)類(lèi)別的物體和動(dòng)物。2012 年，一個(gè)名為 AlexNet 的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )在 AI 研究界引起了震動(dòng)，它的性能遠遠超過(guò)了所有其他類(lèi)型的模型，并贏(yíng)得了 ImageNet 比賽。從那時(shí)起，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )開(kāi)始騰飛，由互聯(lián)網(wǎng)上現在提供的大量免費訓練數據和提供前所未有的計算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
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谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型可一鍵生成超逼真3D互動(dòng)世界

12月5日消息，美國當地時(shí)間周三，谷歌旗下人工智能研究機構DeepMind推出了一款新模型，能夠創(chuàng )造出“無(wú)窮無(wú)盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2，是DeepMind在今年早些時(shí)候推出的Genie模型的升級版。僅憑一張圖片和一段文字描述，例如“一個(gè)可愛(ài)的機器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能構建出一個(gè)交互式的實(shí)時(shí)場(chǎng)景。在這方面，它與李飛飛創(chuàng )立的World Labs以及以色列新興企業(yè)Decart所開(kāi)發(fā)的模型有著(zhù)異曲同工之妙。DeepMind宣稱(chēng)，Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
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Teledyne推出用于在線(xiàn)3D測量和檢測的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具

Teledyne DALSA推出在線(xiàn)3D機器視覺(jué)應用開(kāi)發(fā)的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用，可簡(jiǎn)化生產(chǎn)線(xiàn)上的3D測量和檢測任務(wù)。Z-Trak 3D Apps Studio能夠處理具有不同表面類(lèi)型、尺寸和幾何特征的物體的3D掃描，是電動(dòng)汽車(chē)（電動(dòng)汽車(chē)電池、電機定子等）、汽車(chē)、電子、半導體、包裝、物流、金屬制造、木材等眾多行業(yè)工廠(chǎng)自動(dòng)化應用的理想之選。Z-Trak 3D Apps Studio具有簡(jiǎn)化的工具，用于
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三星大幅減少未來(lái)生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量

據韓媒報道，稱(chēng)三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。報道稱(chēng)，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過(guò)精確控制涂布機的轉速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個(gè)層，從而提高工藝效率，但同時(shí)也有均勻性問(wèn)題。東進(jìn)半導體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商，為三星第7代（11微米）和第
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官宣了！IC China 2024將于11月18日在北京舉行

11月1日下午，第二十一屆中國國際半導體博覽會(huì )（IC China 2024）新聞發(fā)布會(huì )在北京舉行。中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )副理事長(cháng)兼秘書(shū)長(cháng)張立、中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )執行秘書(shū)長(cháng)王俊杰、北京賽迪出版傳媒有限公司總經(jīng)理宋波出席會(huì )議，分別介紹IC China 2024的舉辦意義、籌備情況、特色亮點(diǎn)，并回答記者提問(wèn)。發(fā)布會(huì )由中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )專(zhuān)職副理事長(cháng)兼書(shū)記劉源超主持。發(fā)布會(huì )披露，IC China 2024由中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )主辦，北京賽迪出版傳媒有限公司承辦，將于11月18日—20日在北京國家會(huì )議中心舉辦。自2003年
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臺積電OIP推3D IC設計新標準

臺積電OIP（開(kāi)放創(chuàng )新平臺）于美西當地時(shí)間25日展開(kāi)，除表?yè)P包括力旺、M31在內之業(yè)者外，更計劃推出3Dblox新標準，進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統創(chuàng )新，并提高EDA工具的通用性。臺積電設計構建管理處負責人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構中的物理挑戰，幫助共同客戶(hù)利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實(shí)現優(yōu)化的設計。臺積電OIP生態(tài)系統論壇今年由北美站起跑，與設計合作伙伴及客戶(hù)共同探討如何通過(guò)更深層次的合作，推動(dòng)AI芯片設計的創(chuàng )新。 Dan Kochpa
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倒計時(shí)5天！ICDIA-IC Show & AEIF 2024 蓄勢待發(fā)

（一）會(huì )議概況2024中國集成電路設計創(chuàng )新大會(huì )暨第四屆IC應用展（ICDIA-IC Show）和第十一屆汽車(chē)電子創(chuàng )新大會(huì )（AEIF）暨汽車(chē)電子應用展將于9月25-27日在無(wú)錫同期召開(kāi)，兩會(huì )共設2場(chǎng)高峰論壇、8場(chǎng)專(zhuān)題分會(huì )（含1場(chǎng)供需對接+1場(chǎng)強芯發(fā)布），150場(chǎng)報告，6000+平米展區展示，200+展商展示IC創(chuàng )新成果與整機應用，200+行業(yè)大咖，500+企業(yè)高管，5000+行業(yè)嘉賓參會(huì )。會(huì )議看點(diǎn)1、第十屆汽車(chē)電子創(chuàng )新大會(huì )（AEIF）概況2024 AEIF技術(shù)展覽規模將全面升級，聚焦大模型與AI算力、汽車(chē)電
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