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3d ic
3d ic 文章 進(jìn)入3d ic技術(shù)社區
3D NAND,1000層競爭加速!
- 據國外媒體Xtech Nikkei報道,日本存儲芯片巨頭鎧俠(Kioxia)首席技術(shù)官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應用物理學(xué)會(huì )春季會(huì )議上宣布,該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知,在所有的電子產(chǎn)品中,NAND閃存應用幾乎無(wú)處不在。而隨著(zhù)云計算、大數據以及AI人工智能的發(fā)展,以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術(shù)后,NAND廠(chǎng)商之間的競爭便主要集中在芯
- 關(guān)鍵字: 3D NAND 集邦咨詢(xún)
千億美元蛋糕!3D DRAM分食之戰悄然開(kāi)局
- 從目前公開(kāi)的DRAM(內存)技術(shù)來(lái)看,業(yè)界認為,3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一,是未來(lái)內存市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工?如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)?大廠(chǎng)布局情況?如何理解3D DRAM?DRAM(內存)單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成,其中,晶體管負責傳輸電流,使信息(位)能夠被寫(xiě)入或讀取,電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量?jì)却娴臄底蛛娮釉O備。DRAM開(kāi)發(fā)主要通過(guò)減小電路線(xiàn)寬來(lái)提高集成度
- 關(guān)鍵字: 3D DRAM 存儲
模擬: 對于采用雙向自動(dòng)檢測IC TXB0104在電平轉換端口傳輸中組態(tài)的分析
- AbstractTXB0104是應用在A(yíng)M3352(Sitara MCU/MPU等)和EMMC (嵌入式多媒體存儲卡)芯片之間通信的雙向自動(dòng)檢測電平轉換芯片。當系統的軟件資源配置不足,需要電平轉換芯片自己識別信號傳輸方向的時(shí)候,需要注意外部硬件設計,不然可能會(huì )出現掛載時(shí)好時(shí)壞的失效情況。問(wèn)題背景:EMMC與AM3352掛載失敗,定位為T(mén)XB0104工作異常。實(shí)測中發(fā)現如圖中線(xiàn)路所示:1.只有D0通道無(wú)信號,因為將D0數據線(xiàn)由主芯片(AM3352)側飛線(xiàn)到EMMC,D0開(kāi)始傳輸數據信號,eMMC掛載正常
- 關(guān)鍵字: 自動(dòng)檢測 IC TXB0104 電平 轉換端口
Allegro MicroSystems推出雙極輸出Power-Thru IC,擴展隔離柵極驅動(dòng)器產(chǎn)品組合
- 美國新罕布什爾州曼徹斯特?- ?運動(dòng)控制和節能系統傳感技術(shù)和功率半導體解決方案的全球領(lǐng)導廠(chǎng)商Allegro MicroSystems(納斯達克股票代碼:ALGM)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)Allegro)宣布推出高壓電源產(chǎn)品組合中的第二款產(chǎn)品。Allegro 的?AHV85111?隔離柵極驅動(dòng)器?IC 增加了重要的安全功能,同時(shí)簡(jiǎn)化了電動(dòng)汽車(chē)和清潔能源應用(包括?OBC/DC-DC、太陽(yáng)能逆變器和數據中心電源)中大功率能源轉換系統的設計。Allegro 副總裁兼
- 關(guān)鍵字: Allegro Power-Thru IC 隔離柵極驅動(dòng)器
300層之后,3D NAND的技術(shù)路線(xiàn)圖
- 開(kāi)發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無(wú)止境的山峰。
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Microchip發(fā)布最新款TrustAnchor安全IC,充分滿(mǎn)足更高的汽車(chē)安全認證要求
- 2023年11月16日消息,隨著(zhù)汽車(chē)的互聯(lián)性不斷提高、技術(shù)日益先進(jìn),對加強安全措施的需求也隨之增加。各國政府和汽車(chē)OEM最新的網(wǎng)絡(luò )安全規范開(kāi)始包含更大的密鑰尺寸和愛(ài)德華曲線(xiàn)ed25519算法標準(Edwards Curve ed25519)。為此,Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)近日推出最新的信任錨點(diǎn)安全IC(Trust Anchor Security IC) TA101,可滿(mǎn)足復雜的汽車(chē)和嵌入式安全用例。TA101 支持高達 ECC P521、SHA512、R
- 關(guān)鍵字: Microchip TrustAnchor IC 汽車(chē)安全認證
面向配件生態(tài)系統和一次性用品應用的高性?xún)r(jià)比 安全身份驗證解決方案
- Microchip Technology Inc.安全及計算產(chǎn)品部市場(chǎng)經(jīng)理Xavier Bignalet如果您對單個(gè)配件的身份驗證、規范化電子配件生態(tài)系統的構建或一次性用品的假冒偽劣處理感興趣,歡迎閱讀本篇博文。我們將介紹最新推出的高性?xún)r(jià)比安全身份驗證IC??纯此鼈兲峁┝四男┌踩匦詠?lái)幫助您實(shí)現反威脅模型。面向一次性用品和配件生態(tài)系統的成本優(yōu)化型安全身份驗證 IC不知您是否有注意到,其實(shí)我們每天都在經(jīng)歷著(zhù)各種安全身份驗證過(guò)程。例如,當您發(fā)送電子郵件、將手機插入充電器或打印文檔時(shí),后臺都有在進(jìn)行身份驗證。本
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TDK發(fā)布適用于汽車(chē)和工業(yè)應用場(chǎng)景的全新ASIL C級雜散場(chǎng)穩健型3D HAL傳感器
- ●? ?HAL 3930-4100(單芯片)和 HAR 3930-4100(雙芯片)是兩款精確的霍爾效應位置傳感器,具備穩健的雜散場(chǎng)補償能力,并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級,可以集成到汽車(chē)安全相關(guān)系統中,最高可達 ASIL D 級●? ?目標汽車(chē)應用場(chǎng)景包括轉向角位置檢測、變速器位置檢測、換檔器位置檢測、底盤(pán)位置檢測、油門(mén)和制動(dòng)踏板位置檢測**TDK株式會(huì )社利用適用于汽車(chē)和工業(yè)應用場(chǎng)景的新型
- 關(guān)鍵字: TDK ASIL C 3D HAL傳感器
恩智浦全新電池管理系統IC發(fā)布,全生命周期提升電池組性能及安全性!
- 恩智浦新一代電池管理系統IC的電芯測量精度低至0.8 mV,并且其全生命周期為考量的設計穩健性,可增強電池管理系統的性能,充分挖掘電動(dòng)汽車(chē)鋰離子電池和儲能系統的可用容量并提高安全性。恩智浦半導體推出了下一代電池控制器IC,旨在優(yōu)化電池管理系統(BMS)的性能和安全性。恩智浦的MC33774 18通道模擬前端器件可在寬溫度范圍內提供低至0.8 mV的電芯測量精度和出色的電芯均衡力,支持功能安全等級ASIL-D,適合用于與安全密切相關(guān)的高壓鋰離子電池中,以充分挖掘可用容量。鋰離子電池因單位體積和重量的能量密度
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TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器
- ●? ?全新霍爾效應傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數字 SENT 協(xié)議?!? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標準的開(kāi)發(fā)水平,以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車(chē)和工業(yè)應用場(chǎng)景提供支持。TDK 株式會(huì )社近日宣布,其 Micronas 直接角霍爾效應傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員,現推出面向汽車(chē)和工業(yè)應用場(chǎng)景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線(xiàn)檢測的
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3D ToF相機于物流倉儲自動(dòng)化的應用優(yōu)勢
- 3D ToF智能相機能藉助飛時(shí)測距(Time of Flight;ToF)技術(shù),在物流倉儲現場(chǎng)精準判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料,確保人員、貨物與無(wú)人搬運車(chē)移動(dòng)順暢,加速物流倉儲行業(yè)自動(dòng)化。2020年全球疫情爆發(fā),隔離政策改變人們的消費模式與型態(tài),導致電商與物流倉儲業(yè)出現爆炸性成長(cháng);于此同時(shí),人員移動(dòng)的管制,也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問(wèn)題,加速物流倉儲行業(yè)自動(dòng)化的進(jìn)程,進(jìn)而大量導入無(wú)人搬運車(chē)AGV(Automated Guided Vehicle)/AMR(Autonomous Mobile
- 關(guān)鍵字: 3D ToF 相機 物流倉儲 自動(dòng)化 臺達
3D NAND還是卷到了300層
- 近日,三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存,據爆料,這款閃存將采用雙層堆棧架構,并超過(guò) 300 層。同樣在 8 月,SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存,并計劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在 5 月份,據歐洲電子新聞網(wǎng)報道,西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現 8 平面 3D NAND 設備以及超過(guò) 300 字線(xiàn)的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知,固態(tài)硬盤(pán)的數據傳輸速度雖然很快,但售價(jià)和容量還
- 關(guān)鍵字: V-NAND 閃存 3D NAND
3d ic介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3d ic!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對3d ic的理解,并與今后在此搜索3d ic的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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