3d ic 文章進(jìn)入3d ic技術(shù)社區

IQE 宣布與全球消費電子領(lǐng)導者達成長(cháng)期戰略協(xié)議

- 長(cháng)期批量供應協(xié)議即刻生效- 為下一代 3D 傳感應用開(kāi)發(fā) VCSEL 技術(shù)- 進(jìn)一步加強 IQE 作為 3D 傳感市場(chǎng)領(lǐng)導者的地位 IQE plc（AIM 股票代碼：IQE，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“IQE”或“集團”），全球領(lǐng)先的化合物半導體晶圓產(chǎn)品和先進(jìn)材
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西門(mén)子推軟件解決方案加快簡(jiǎn)化2.5D/3D IC可測試性設計

西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案，旨在幫助客戶(hù)加快和簡(jiǎn)化基于2.5D和3D架構的新一代集成電路（IC）關(guān)鍵可測試性設計（DFT）。隨著(zhù)市場(chǎng)對于更小巧、更節能和更高效能的IC需求日益提升，IC設計界也面臨著(zhù)嚴苛挑戰。下一代組件正傾向于采用復雜的2.5D和3D架構，以垂直（3D IC）或并排（2.5D）方式連接多個(gè)晶粒，使其能夠作為單一組件運作。但是，這種做法為芯片測試帶來(lái)巨大的挑戰，因為大部分傳統的測試方法都是基于常規的2D流程。為了解決這些挑戰，西門(mén)子推出Tess
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高手在民間世界技能大賽特別賽中國已奪8金位居第一

　　10月17日，2022年世界技能大賽特別賽韓國賽區閉幕式舉行，中國6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個(gè)優(yōu)勝獎，實(shí)現多個(gè)項目上金牌和獎牌零的突破?！　”敬翁貏e賽韓國賽區比賽于10月12日開(kāi)幕，共舉行8個(gè)項目的比賽，吸引了來(lái)自34個(gè)國家和地區的130余名選手參賽。中國選手參加其中6個(gè)項目的角逐?！　∑渲?，來(lái)自廣州市工貿技師學(xué)院的選手楊書(shū)明獲得移動(dòng)應用開(kāi)發(fā)項目金牌，成為本次大賽該新增項目首個(gè)金牌獲得者?！　?lái)自深圳技師學(xué)院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數字游戲藝術(shù)項目、云計算項目金牌，實(shí)現我國在這兩個(gè)項目上
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GaN IC縮小電機驅動(dòng)器并加快eMobility、電動(dòng)工具、機器人和無(wú)人機的上市時(shí)間

EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設計，增強了電機驅動(dòng)系統的性能、續航能力、精度和扭矩，同時(shí)簡(jiǎn)化設計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實(shí)現最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅動(dòng)逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內含柵極驅動(dòng)器功能和兩個(gè)具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達28 Apk(2
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AOI+AI+3D 檢測鐵三角成形

疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應鏈中斷和制造業(yè)缺工問(wèn)題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業(yè)快速轉型，走向更自動(dòng)化、數字化的智能化方向。因此，各產(chǎn)業(yè)對自動(dòng)光學(xué)檢測(AOI)技術(shù)的需求更為殷切。疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應鏈中斷和制造業(yè)缺工問(wèn)題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業(yè)快速轉型，走向更自動(dòng)化、數字化的智能化方向。導入自動(dòng)化及AI的過(guò)程中，傳統人力逐漸被取代，也改變產(chǎn)線(xiàn)人員配置的傳統生態(tài)，其中，可以確保產(chǎn)線(xiàn)及產(chǎn)品質(zhì)量的自動(dòng)檢測儀器不僅發(fā)揮精準有效的優(yōu)勢，還能針對缺陷或瑕疵及時(shí)修復、舍棄，降低不必要的時(shí)間成本與人力成本，快速穩定且
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西門(mén)子與聯(lián)華電子合作開(kāi)發(fā)3D IC混合鍵合流程

西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日與半導體晶圓制造大廠(chǎng)聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規劃、裝配驗證和寄生參數提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時(shí)向全球客戶(hù)提供此項新流程。通過(guò)在單個(gè)封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶(hù)可以在相同甚至更小的芯片面積上實(shí)現多個(gè)組件功能。相比于在 PCB
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西門(mén)子推出 Symphony Pro 平臺，大幅擴展混合信號 IC 驗證能力

· 西門(mén)子先進(jìn)的混合信號仿真平臺可加速混合信號驗證，助力提升生產(chǎn)效率多達10倍· Symphony Pro 支持 Accellera 和其他先進(jìn)的數字驗證方法學(xué)，適用于當今前沿的混合信號設計西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日推出　Symphony? Pro 平臺，基于原有的　Symphony 混合信號驗證能力，進(jìn)一步擴展功能，以全面、直觀(guān)的可視化調試集成環(huán)境支持新的Accellera 標準化驗證方法學(xué)，使得生產(chǎn)效率比傳統解決方案提升
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打造驅動(dòng)第三代功率半導體轉換器的IC生態(tài)系統

受訪(fǎng)人：亞德諾半導體　　大規模數據中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動(dòng)汽車(chē)充電站、新能源等基礎設施的廣泛部署使得功耗快速增長(cháng)，因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來(lái)，以氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān)，從而可提高能源轉換效率和密度。新型和未來(lái)的SiC/GaN功率開(kāi)關(guān)將會(huì )給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現更緊湊、更具成本效益的功率應用。好馬
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TrendForce：預計第三季度驅動(dòng) IC 價(jià)格降幅將擴大至 8%-10%

IT之家 7 月 15 日消息，TrendForce 集邦咨詢(xún)報告顯示，在供需失衡、庫存高漲的狀況下，預計第三季度驅動(dòng) IC 的價(jià)格降幅將擴大至 8%-10% 不等，且不排除將一路跌至年底。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢(xún)進(jìn)一步表示，中國面板驅動(dòng) IC 供貨商為了鞏固供貨動(dòng)能，更愿意配合面板廠(chǎng)的要求，價(jià)格降幅可達到 10%-15%。報告指出，在需求短期間難以好轉下，面板驅動(dòng) IC 價(jià)格不排除將持續下跌，且有極大可能會(huì )比預估的時(shí)間更早回到 2019 年的起漲點(diǎn)。此外，TrendFor
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無(wú)毛刺監控器IC不再只是一個(gè)概念

可靠的電壓監控器IC始終是工業(yè)界的行業(yè)需求，因為它可以提高系統可靠性，并在電壓瞬變和電源故障時(shí)提升系統性能。半導體制造商也在不斷提高電壓監控器IC的性能。監控器IC需要一個(gè)稱(chēng)為上電復位（VPOR）的最低電壓來(lái)生成明確或可靠的復位信號，而在該最低電源電壓到來(lái)之前，復位信號的狀態(tài)是不確定的。一般來(lái)說(shuō)，我們將其稱(chēng)之為復位毛刺。復位引腳主要有兩種不同的拓撲結構，即開(kāi)漏和推挽（圖1），兩種拓撲結構都使用NMOS作為下拉MOSFET。圖1. 復位拓撲的開(kāi)漏配置和推挽配置圖2. 復位電壓如何與上拉電壓（VPULLUP）
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長(cháng)江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時(shí)代存儲升級

近日，長(cháng)江存儲科技有限責任公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“長(cháng)江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(cháng)江存儲為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿(mǎn)足AIoT、機器學(xué)習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫(xiě)性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著(zhù)長(cháng)江存儲嵌入式產(chǎn)品線(xiàn)已正式覆蓋高端市場(chǎng)，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長(cháng)江存儲高級副總裁陳軼表示：“隨著(zhù)5G通信、大數據、AIoT的加速
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長(cháng)江存儲SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

這兩年，長(cháng)江存儲無(wú)論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤(pán)，都呈現火力全開(kāi)的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長(cháng)江存儲有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景，而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長(cháng)江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規格
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存儲芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠(chǎng)商只花了6年

近日，有消息稱(chēng)，國內存儲芯片大廠(chǎng)長(cháng)江存儲已向客戶(hù)交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會(huì )實(shí)現232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著(zhù)國內存儲芯片廠(chǎng)商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規模量產(chǎn)和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規模應用也要到2023年去了?？梢?jiàn)，國產(chǎn)存儲芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國芯片傳來(lái)捷報，長(cháng)江存儲取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

中國芯片傳來(lái)捷報，長(cháng)江存儲取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預計年底實(shí)現大規模量產(chǎn)交付。長(cháng)江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著(zhù)高速穩定的發(fā)展狀態(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長(cháng)江存儲直接越級跳過(guò)了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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國產(chǎn)存儲芯片又取得突破，長(cháng)江存儲192層閃存送樣，預計年底量產(chǎn)

頭一段時(shí)間，有媒體報道稱(chēng)，長(cháng)江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預計年底實(shí)現量產(chǎn)。長(cháng)江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展狀態(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠(chǎng)的差距，長(cháng)江存儲跳過(guò)了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內首款128層QLC規格的3D N
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