3d ic 文章進(jìn)入3d ic技術(shù)社區

imec首度展示晶背供電邏輯IC布線(xiàn)方案推動(dòng)2D/3D IC升級

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規模集成電路技術(shù)研討會(huì )（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線(xiàn)方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過(guò)這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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2021-2022年度（第五屆）中國 IC 獨角獸榜單出爐

集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟社會(huì )發(fā)展和保障國家安全的戰略性、基礎性和先導性產(chǎn)業(yè)，是世界主要國家和地區搶占工業(yè)經(jīng)濟制高點(diǎn)的必爭領(lǐng)域。為了進(jìn)一步鼓勵我國具有市場(chǎng)競爭實(shí)力和投資價(jià)值的集成電路企業(yè)健康快速發(fā)展，進(jìn)一步總結企業(yè)發(fā)展的成功模式，挖掘我國集成電路領(lǐng)域的優(yōu)秀創(chuàng )新企業(yè)，對優(yōu)秀企業(yè)進(jìn)行系統化估值，提升企業(yè)的國際和國內影響力。在連續成功舉辦四屆遴選活動(dòng)的基礎上，由賽迪顧問(wèn)股份有限公司、北京芯合匯科技有限公司聯(lián)合主辦的2021-2022（第五屆）中國IC獨角獸遴選活動(dòng)歷時(shí)兩個(gè)月，收到企業(yè)自薦及機構推薦
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英飛凌推出全球首款符合ISO26262標準的高分辨率車(chē)用3D圖像傳感器

3D深度傳感器在汽車(chē)座艙監控系統中發(fā)揮著(zhù)著(zhù)舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng )新的汽車(chē)智能座艙，支持新服務(wù)的無(wú)縫接入，并提高被動(dòng)安全。它們對于滿(mǎn)足監管規定和NCAP安全評級要求，以及實(shí)現自動(dòng)駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專(zhuān)注3D ToF（飛行時(shí)間）系統領(lǐng)域的湃安德（pmd）合作，開(kāi)發(fā)出了第二代車(chē)用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標準，具有更高的分辨率。
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英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開(kāi)發(fā)3D深度傳感技術(shù)，賦能尖端工業(yè)和醫療應用

增強現實(shí)（AR）應用將從根本上改變人類(lèi)的生活和工作方式。預計今年下半年，AR領(lǐng)域的開(kāi)拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設備Magic Leap 2。Magic Leap 2專(zhuān)為企業(yè)級應用而設計，將成為市場(chǎng)上最具沉浸感的企業(yè)級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設計，擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強大的計算能力，能夠讓操作人員更高效地開(kāi)展工作，幫助公司優(yōu)化復雜的流程，并支持員工進(jìn)行無(wú)縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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不畏亂流半導體市場(chǎng)逆風(fēng)揚

隨著(zhù)全球通膨疑慮升高及能源成本飆升，加上大陸因疫情實(shí)施封控，以及俄烏戰爭懸而未決，經(jīng)濟逆風(fēng)對今年全球經(jīng)濟成長(cháng)將造成挑戰，但包括Gartner及IC Insights等市調機構仍預估，今年全球半導體市場(chǎng)仍會(huì )較去年成長(cháng)一成以上。IC Insights表示，今年全球半導體總銷(xiāo)售額仍可年增11％，與今年初預測相同，但外在變化造成的不確定性，導致芯片銷(xiāo)售成長(cháng)幅度或有消長(cháng)。其中，微處理器及功率分離式組件銷(xiāo)售將高于先前預期，包括嵌入式處理器及手機應用處理器成長(cháng)強勁，功率組件價(jià)格續漲且成長(cháng)幅度增加，至于CMOS影像傳感器
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎？

5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著(zhù)“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠(chǎng)商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據公開(kāi)資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問(wèn)題之前，我
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NVIDIA透過(guò)人工智能將2D平面照片轉變?yōu)?D立體場(chǎng)景

當人們在75年前使用寶麗來(lái) (Polaroid ) 相機拍攝出世界上第一張實(shí)時(shí)成像照片時(shí)，便是一項以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫(huà)面的創(chuàng )舉。時(shí)至今日，人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉過(guò)來(lái)，亦即在幾秒鐘內將一組靜態(tài)影像變成數字 3D 場(chǎng)景。 NVIDIA Research 透過(guò)人工智能，在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場(chǎng)景這項稱(chēng)為逆向渲染 (inverse rendering) 的過(guò)程，利用 AI 來(lái)預估光線(xiàn)在真實(shí)世界中的表現，讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
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適用于 TMAG5170 SPI 總線(xiàn)接口、高精度線(xiàn)性 3D 霍爾效應傳感器的評估模塊

TMAG5170UEVM 是一個(gè)易于使用的平臺，用于評估 TMAG5170 的主要特性和性能。此評估模塊 (EVM) 包含圖形用戶(hù)界面 (GUI)，用于讀取和寫(xiě)入寄存器以及查看和保存測量結果。還包括一個(gè) 3D 打印旋轉和推送模塊，用于通過(guò)單個(gè)器件測試角度測量和按鈕的常用功能。特性· GUI 支持讀取和寫(xiě)入器件寄存器以及查看和保存測量結果· 3D 打印旋轉和推送模塊· 可分離式 EVM 適用于定制用例· 方便通過(guò)常見(jiàn)的 micro-USB 連接器充電
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2022年傳感器和致動(dòng)器成長(cháng)15% 離散組件將回復正常水平

IC Insights日前發(fā)布報告指出，由于COVID-19造成的隔離和短缺因素，使得2021年全球光電組件產(chǎn)品、傳感器和致動(dòng)器，以及離散組件 (O-S-D)的銷(xiāo)售額，均出現創(chuàng )紀錄的成長(cháng)。但CMOS影像傳感器卻因美中對抗和某些系統因素，沒(méi)有相對應的結果。根據IC Insights一月半導體產(chǎn)業(yè)報告，2021年OSD總收入首次突破1000億美元，與2020年的883億美元相比，增加18%至1042億美元，當時(shí)三個(gè)市場(chǎng)的總銷(xiāo)售額成長(cháng)不到3 %。報告顯示，OSD總銷(xiāo)售額占2021年全球6139億美元半導體市場(chǎng)
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摩爾定律如何繼續延續：3D堆疊技術(shù)或許是答案

按照摩爾定律進(jìn)一步縮減晶體管特征尺寸的難度越來(lái)越大，半導體工藝下一步發(fā)展走到了十字路口。在逼近物理極限的情況下，新工藝研發(fā)的難度以及人力和資金的投入，也是呈指數級攀升，因此，業(yè)界開(kāi)始向更多方向進(jìn)行探索。
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雙目立體賦能3D機器視覺(jué)，銀牛攜芯片模組登陸中國市場(chǎng)

1? ?幾種3D深度感知技術(shù)比較3D深度感知主要有3個(gè)技術(shù)方向：雙目立體，結構光，飛行時(shí)間（ToF），結構光起步比較早，但是技術(shù)的局限性較大，而雙目立體的發(fā)展速度較快，勢頭迅猛。從物理原理上，雙目立體和結構光二者都用了三角測距，但是雙目立體是依靠自然的紅外反射在攝像頭上產(chǎn)生特征點(diǎn)，來(lái)計算對象物深度的數據。結構光需要有一個(gè)發(fā)射光的發(fā)射源，帶編碼的光到了對象物體再反射回來(lái)來(lái)計算這個(gè)深度。結構光的弱點(diǎn)是在室外時(shí)，結構光發(fā)射帶編碼的光經(jīng)常受到環(huán)境的干擾；而雙目立體不容易受到室外光的干擾，因此室
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IC PARK 年度盛事圓滿(mǎn)收官！業(yè)界翹楚云端論劍，引爆中國“芯”思潮

12月10日，第五屆“芯動(dòng)北京”中關(guān)村IC產(chǎn)業(yè)論壇、“華為杯”第四屆中國研究生創(chuàng )“芯”大賽決賽開(kāi)幕式以線(xiàn)上云會(huì )議的方式召開(kāi)。今年是“十四五”規劃開(kāi)局之年，本次會(huì )議在北京市委書(shū)記蔡奇提出的“舉全市之力做大做強集成電路產(chǎn)業(yè)”指示精神的背景下，高度聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，邀請了來(lái)自國內外“政產(chǎn)學(xué)研用”領(lǐng)域嘉賓齊聚一堂，圍繞創(chuàng )“芯”機、育“芯”才等主題進(jìn)行深入交流，探討當前形勢下我國集成電路產(chǎn)業(yè)如何應對挑戰，共繪集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展新藍圖。北京市委常委、副市長(cháng)殷勇，中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )設計分會(huì )理事長(cháng)魏少軍，創(chuàng )“芯”大賽
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新思科技PrimeSim可靠性分析解決方案加速任務(wù)關(guān)鍵型IC設計超收斂

經(jīng)晶圓廠(chǎng)認證的全生命周期可靠性簽核有助于預防汽車(chē)、醫療和5G芯片設計中的過(guò)度設計和昂貴的后期ECO（工程變更指令）要點(diǎn)： ? 經(jīng)過(guò)驗證的技術(shù)統一工作流程在整個(gè)產(chǎn)品生命周期內提供符合ISO 26262等標準的高性能可靠性分析? 與PrimeSim? Continuum解決方案整合可無(wú)縫使用業(yè)界領(lǐng)先的仿真器進(jìn)行電遷移/IR壓降分析、MOS老化、高西格瑪Monte Carlo、模擬故障和其他可靠性分析? 與PrimeWave?設計環(huán)境整合
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多家IC設計廠(chǎng)商證實(shí)：收到臺積電漲價(jià)通知

　　原標題：多家IC設計廠(chǎng)商證實(shí)：收到臺積電漲價(jià)通知強調不影響合作關(guān)系　　8月25日，市場(chǎng)幾度傳出臺積電即將全線(xiàn)漲價(jià)，從最初的明年成熟制程上漲15%至20%、先進(jìn)制程漲幅達10%，到全面漲價(jià)20%，并從即日起生效?！　Υ?，據中央社報道，多家IC設計廠(chǎng)商證實(shí)收到臺積電漲價(jià)通知，并表示不會(huì )因而影響與臺積電的合作關(guān)系?！　C設計業(yè)者指出，臺積電包含7納米及5納米的先進(jìn)制程漲價(jià)約7%至9%，其余成熟制程代工價(jià)格漲幅約20%?！　〈送?，臺積電罕見(jiàn)未給客戶(hù)緩沖期，今天通知漲價(jià)隨即于今天生效，供應鏈也緊急尋求因應
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媒體稱(chēng)明年晶圓代工價(jià)漲定了，臺積電：不評論

　　財聯(lián)社6月24日訊，據媒體報道，IC設計業(yè)者透露，明年初晶圓代工價(jià)格已經(jīng)敲定，不僅聯(lián)電8英寸和12英寸的晶圓代工價(jià)格續漲，晶圓代工龍頭臺積電也漲價(jià)，部分8英寸和12英寸制程價(jià)格上漲一到兩成，且12英寸制程漲幅高于8英寸。臺積電發(fā)言窗口表示，不評論價(jià)格問(wèn)題。
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