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芯翼信息科技完成近5億元B輪融資

  • 近日,物聯(lián)網(wǎng)智能終端系統SoC芯片提供商芯翼信息科技(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):芯翼信息科技或公司)完成近5億元B輪融資,資金主要用于加強芯片產(chǎn)品研發(fā)、完善生產(chǎn)制造供應鏈、擴充核心團隊等。本輪投資由招銀國際、中金甲子聯(lián)合領(lǐng)投,招商局資本、寧水集團、亞昌投資等跟投,另外老股東峰瑞資本、晨道資本、華睿資本等持續加注。芯翼信息科技成立于2017年,是一家專(zhuān)注于物聯(lián)網(wǎng)智能終端系統SoC芯片研發(fā)的高新技術(shù)企業(yè),產(chǎn)品涵蓋通訊、主控計算、傳感器、電源管理、安全等專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域。公司創(chuàng )始人及核心研發(fā)團隊來(lái)自于美國博通、邁凌、瑞
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Silicon Labs在全球率先推出安全Sub-GHz片上系統,無(wú)線(xiàn)傳輸距離超過(guò)1英里,電池壽命超過(guò)10年

英特爾推進(jìn)全新架構,面向數據中心、HPC-AI和客戶(hù)端計算

  •   英特爾推出兩大x86 CPU內核、兩大數據中心SoC、兩款獨立GPU,以及變革性的客戶(hù)端多核性能混合架構  本文作者:Raja M.Koduri英特爾公司高級副總裁兼加速計算系統和圖形事業(yè)部總經(jīng)理  架構是硬件和軟件的“煉金術(shù)”。它融合特定計算引擎所需的先進(jìn)晶體管,通過(guò)領(lǐng)先的封裝技術(shù)將它們連接,集成高帶寬和低功耗緩存,在封裝中為混合計算集群配備高容量、高帶寬內存和低時(shí)延、可擴展互連,并確保所有軟件無(wú)縫地加速。披露面向新產(chǎn)品的架構創(chuàng )新,是英特爾架構師在每年架構日上的期許,今年舉辦的第三屆英特爾架構日令人
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基于逐次最鄰近插值的動(dòng)力電池電壓模擬方法*

  • 動(dòng)力電池模擬系統是新能源汽車(chē)測試平臺等工業(yè)領(lǐng)域的重要裝備,而電池模型是該系統能否精確模擬電池特性的關(guān)鍵環(huán)節。為兼顧數據容量和給定電壓的精確性,提出逐次最鄰近插值算法應用于電池模型數據查表,該方法根據動(dòng)力電池在電池電荷狀態(tài)(State of Charge,SOC)初始段、平穩段和末尾段的輸出特性,建立了三個(gè)不同分辨率的模型子表,并借鑒最鄰近插值算法的計算量小和容易實(shí)現的優(yōu)點(diǎn),采用對模型表逐次迭代分區,進(jìn)而逼近實(shí)際SOC和采樣電流對應的電池模型給定電壓值,達到細化電池模型表分辨率效果。討論了迭代次數選擇對算法
  • 關(guān)鍵字: 查表  最鄰近插值算法  動(dòng)力電池  SOC  給定電壓  202102  

2nm工藝要上線(xiàn)?臺積電工廠(chǎng)環(huán)評被卡

  • 芯研所消息,臺積電的2nm芯片工藝計劃上線(xiàn),但是由于環(huán)評專(zhuān)案小組的初審,建廠(chǎng)計劃未能放行,還需要等8月31日之前補正后再審核。在全球先進(jìn)工藝量產(chǎn)上,臺積電一枝獨秀,5nm、3nm工藝已經(jīng)領(lǐng)先,再下一代工藝就是2nm了,會(huì )啟用全新GAA晶體管,技術(shù)升級很大,光是工廠(chǎng)建設就要200億美元。臺積電不過(guò)臺積電的2nm工廠(chǎng)建設計劃現在遇到了阻力。消息稱(chēng),新竹科學(xué)園區擬展開(kāi)寶山用地第二期擴建計劃,環(huán)保部門(mén)于25日下午召開(kāi)環(huán)評專(zhuān)案小組第三次初審會(huì )議,水、電以及廢棄物清理等議題受到關(guān)注,專(zhuān)案小組歷經(jīng)逾三小時(shí)審議后,最終仍
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可穿戴設備SoC的動(dòng)向與Nordic解決方案

  • 1? ?可穿戴設備SoC的動(dòng)向Nordic Semiconductor看到市場(chǎng)對公司無(wú)線(xiàn)藍牙5 (BLE) 系統級芯片(SoC)產(chǎn)品的需求激增,尤其是在可穿戴運動(dòng)產(chǎn)品領(lǐng)域。隨著(zhù)消費者對于產(chǎn)品功能和電池使用壽命越來(lái)越挑剔,使用具有充足的處理能力的高功效SoC 變得越來(lái)越重要。此外,還有一種趨勢是增加更多的醫療級傳感器來(lái)測量血氧飽和度(SPO2)、血壓、心電圖(EKG)等,這對SoC 提出了更高的處理性能要求。具有超低功耗LTE-M 和NB-IoT 網(wǎng)絡(luò )的蜂窩物聯(lián)網(wǎng)的推出,開(kāi)始推動(dòng)可穿戴設
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輕松有趣地提高安全性:SoC組件協(xié)助人們保持健康

  • 我們需要透過(guò)智慧的預防措施來(lái)恢復正常生活。當人們必須估量并遵守1.5至2公尺的強制社交距離,很難想象購物、學(xué)習或工作如何變得輕松起來(lái)。在忘記保持安全社交距離時(shí)略帶驚恐地跳開(kāi),這已經(jīng)見(jiàn)怪不怪。盡管存在著(zhù)所有的預防措施,我們仍要盡快恢復常態(tài)的生活:企業(yè)需要再次提高產(chǎn)量,商店迫切需要營(yíng)業(yè),兒童和青少年需要上學(xué),以及安排各項休閑活動(dòng)。但我們還缺乏一個(gè)有效、通用和能快速實(shí)施這個(gè)衛生理念的方法。為此,政府發(fā)起了圍繞「距離/衛生/日常戴口罩」的運動(dòng),目前該運動(dòng)為遏制新的感染提供了行動(dòng)綱要,例如受惠于現代科技,企業(yè)和公共
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歐盟半導體“不再幼稚”:10年內產(chǎn)能翻倍、搞定2nm工藝

  • 半導體技術(shù)的重要性已經(jīng)無(wú)需多提,現在美國、中國、日本、韓國等國家和地區都在大力投資先進(jìn)半導體工藝,不希望自己被卡脖子,歐盟現在也清醒了,希望搞定2nm工藝。據報道,歐盟市場(chǎng)專(zhuān)員蒂埃里·布雷頓(Thierry Breton)日前在采訪(fǎng)中表示,歐盟需要恢復以前的市場(chǎng)份額,以滿(mǎn)足行業(yè)的需求。他還提到,多年來(lái)歐盟在半導體制造業(yè)中的份額下降了,因為該地區過(guò)于幼稚、過(guò)于相信全球化。歐盟委員會(huì )制定的計劃中,希望2030年將芯片產(chǎn)量翻倍,市場(chǎng)份額提升到20%,為此歐盟正在爭取歐洲地區先進(jìn)芯片制造商的支持,目前至少有22個(gè)
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里程碑!IBM宣布造出全球首顆2nm EUV芯片

  • 藍色巨人出手就是王炸?! ?月6日消息,IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導體芯片?! 『诵闹笜朔矫?,IBM稱(chēng)該2nm芯片的晶體管密度(MTr/mm2,每平方毫米多少百萬(wàn)顆晶體管)為333.33,幾乎是臺積電5nm的兩倍,也比外界預估臺積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高?! ?nm晶圓近照  換言之,在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內,就能容納500億顆晶體管?! ⊥瑫r(shí),IBM表示,在同樣的電力消耗下,其性能比當前7nm高出45%,輸出同樣性能則減少75%的功耗?!   ?shí)際上,I
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臺積電最新進(jìn)展:2nm正在開(kāi)發(fā) 3nm和4nm將在明年面世

  • 全球最大的晶圓代工廠(chǎng),擁有近500個(gè)客戶(hù),這就是他們的獨特之處。一方面,公司幾乎可以為提出任何需求的所有客戶(hù)提供服務(wù);另一方面,就容量和技術(shù)而言,他們必須領(lǐng)先于其他任何人;就產(chǎn)能而言,臺積電(TSMC)是不接受任何挑戰,而且未來(lái)幾年也不會(huì )臺積電今年300億美元的資本預算中,約有80%將用于擴展先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)能,例如3nm,4nm / 5nm和6nm / 7nm。分析師認為,到今年年底,先進(jìn)節點(diǎn)上的大部分資金將用于將臺積電的N5產(chǎn)能擴大,擴大后的產(chǎn)能將提到至每月110,000?120,000個(gè)晶圓啟動(dòng)(WSP
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全球沖刺2nm,臺積電和中芯國際卻發(fā)展成熟工藝,這是為何?

  • 前兩天,臺媒報道稱(chēng)臺積電將投資187億人民幣在南京廠(chǎng)建置月產(chǎn)4萬(wàn)片的28nm產(chǎn)能,據悉,該計劃將于不久后正式啟動(dòng),新產(chǎn)能預計在2022年下半年開(kāi)始逐步產(chǎn)出,并于2023年實(shí)現月產(chǎn)4萬(wàn)片的目標。當臺積電傳來(lái)擴增28nm產(chǎn)能的消息時(shí),大部分人對此感到非常驚訝,在更多人眼中,臺積電作為全球工藝最先進(jìn)的芯片制造商,在全球都在沖刺2nm工藝的時(shí)候,它也應該大力投資3nm、2nm,甚至是更加先進(jìn)的工藝,而卻不曾想臺積電居然選擇斥巨資投資28nm這樣成熟的工藝。事實(shí)上,投資28nm工藝只是臺積電的計劃之一,而其從始至終
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臺積電2nm工藝進(jìn)入研發(fā)階段:升級GAA晶體管、改進(jìn)EUV效率

  • 做為全球最大最先進(jìn)的晶圓代工廠(chǎng),臺積電在7nm、5nm節點(diǎn)上領(lǐng)先三星等對手,明年面還會(huì )量產(chǎn)3nm工藝,接下來(lái)則是2nm工藝。臺積電計劃未來(lái)三年投資1000億美元,其中先進(jìn)工藝花費的資金最多,2nm工藝也是前所未有的新工藝,臺積電去年稱(chēng)2nm工藝取得了重大進(jìn)展,進(jìn)度比預期的要好。實(shí)際上臺積電的2nm工藝沒(méi)有宣傳的那么夸張,此前只是技術(shù)探索階段,尋找到了可行的技術(shù)路徑?,F在2nm工藝才算是進(jìn)入了研發(fā)階段,重點(diǎn)轉向了測試載具設計、光罩制作及硅試產(chǎn)等方向。根據臺積電的說(shuō)法,2nm工藝節點(diǎn)上,他們也會(huì )放棄FinFE
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臺積電和蘋(píng)果合作致力2nm工藝開(kāi)發(fā),傳聞3nm芯片訂單勢頭強勁

  • 近期臺積電(TSMC)和蘋(píng)果更緊密和高效的合作,使得研發(fā)上取得了多項突破?! ∧壳笆謾C開(kāi)始大量使用基于5nm工藝制造的芯片,即將推出的A15 Bionic預計將使用更先進(jìn)的N5P節點(diǎn)工藝制造,預計蘋(píng)果將在2021年占據臺積電80%的5nm產(chǎn)能。不過(guò)臺積電很快將向3nm工藝推進(jìn),并且進(jìn)一步到2nm工藝,這都只是時(shí)間問(wèn)題?!   ccftech報道,為了更好地達成這些目標,臺積電和蘋(píng)果已聯(lián)手推動(dòng)芯片的開(kāi)發(fā)工作,將硅片發(fā)展推向極限。臺積電和蘋(píng)果都為了同一個(gè)目標而努力,不過(guò)受益者可能不只是蘋(píng)果,還有英特爾。臺
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加快早期設計探索和驗證,縮短上市時(shí)間

  • 芯片級驗證的挑戰鑒于先進(jìn)工藝設計的規模和復雜性,而且各方為 搶先將產(chǎn)品推向市場(chǎng)而不斷競爭,片上系統 (SoC) 設計團隊沒(méi)有時(shí)間等到所有芯片模塊都全 部完成后才開(kāi)始組裝芯片。因此,SoC 設計人員 通常會(huì )在模塊開(kāi)發(fā)的同時(shí)開(kāi)始芯片集成工作,以 便在設計周期的早期捕獲并糾正任何布線(xiàn)違規, 從而幫助縮短至關(guān)重要的上市時(shí)間。錯誤在早期 階段更容易修復,而且對版圖沒(méi)有重大影響,設 計人員在此階段消除錯誤,可以減少實(shí)現流片所 需的設計規則檢查 (DRC) 迭代次數(圖 1)。但是,早期階段芯片級物理驗證面臨許多挑 戰
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利用更高效的 LVS 調試提高生產(chǎn)率

  • 簡(jiǎn)介版圖與電路圖比較 (LVS) 驗證是片上系統 (SOC) 設計周期中集成電路 (IC) 驗證必不可少的組 成部分,但鑒于當今高密度且層次化的版圖、不斷提高的電路復雜性以及錯綜復雜的晶圓 代工廠(chǎng)規則,運行 LVS 可能是一項耗時(shí)且資源密集的工作。全芯片 LVS 運行不僅會(huì )將設計版 圖與電路圖網(wǎng)表進(jìn)行比較,而且通常還包含會(huì )增加 LVS 運行時(shí)間的其他驗證,例如電氣規則 檢查 (ERC) 和短路隔離。根據設計的復雜性,調試這些設計的 LVS 結果可能同樣具挑戰性且耗時(shí),進(jìn)而影響總周轉時(shí) 間 (TAT) 和計
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2nm soc介紹

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