臺積電2nm工藝進(jìn)入研發(fā)階段：升級GAA晶體管、改進(jìn)EUV效率

做為全球最大最先進(jìn)的晶圓代工廠(chǎng)，臺積電在7nm、5nm節點(diǎn)上領(lǐng)先三星等對手，明年面還會(huì )量產(chǎn)3nm工藝，接下來(lái)則是2nm工藝。

臺積電計劃未來(lái)三年投資1000億美元，其中先進(jìn)工藝花費的資金最多，2nm工藝也是前所未有的新工藝，臺積電去年稱(chēng)2nm工藝取得了重大進(jìn)展，進(jìn)度比預期的要好。

實(shí)際上臺積電的2nm工藝沒(méi)有宣傳的那么夸張，此前只是技術(shù)探索階段，尋找到了可行的技術(shù)路徑。

現在2nm工藝才算是進(jìn)入了研發(fā)階段，重點(diǎn)轉向了測試載具設計、光罩制作及硅試產(chǎn)等方向。

根據臺積電的說(shuō)法，2nm工藝節點(diǎn)上，他們也會(huì )放棄FinFET晶體管結構，轉向GAA環(huán)繞柵極結構，此前三星更為激進(jìn)，在3nm節點(diǎn)就會(huì )棄用GAA晶體管，不過(guò)這兩家的GAA晶體管結構也不會(huì )一樣，孰優(yōu)孰劣還沒(méi)定論。

在2nm節點(diǎn)，光刻工藝更加重要，EUV光刻是少不了的，但此前的EUV工藝還存在不少問(wèn)題，臺積電的2nm節點(diǎn)也會(huì )重點(diǎn)改進(jìn)EUV工藝，提高光刻中的質(zhì)量及效率。

至于量產(chǎn)時(shí)間，臺積電的2nm工廠(chǎng)現在還在起步階段，此前消息稱(chēng)是2023年試產(chǎn)2nm工藝，2024年量產(chǎn)。