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封裝
封裝 文章 進(jìn)入封裝技術(shù)社區
中芯國際擬與新加坡公司在成都建封裝測試廠(chǎng)
- 中芯國際(0981.HK)日前宣布將與合作伙伴在四川成都成立集成電路封裝測試廠(chǎng)，業(yè)界猜測該合作伙伴可能是新加坡聯(lián)合測試與裝配中心公司(UTAC)，但雙方均不就此事置評。UTAC發(fā)言人表示，現階段不作評論，也不會(huì )猜測任何市場(chǎng)傳言。 中芯國際總裁兼首席執行長(cháng)張汝京上周在分析員電話(huà)會(huì )議沒(méi)透露合營(yíng)伙伴的名稱(chēng)，只表示， 待4月正式簽訂合作協(xié)議后，最快5月向外公布。他指出，集團將持有該座集成電路封裝測試廠(chǎng)的控股權，新廠(chǎng)房已于去年底動(dòng)工，預計今年9月遷入生
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LinearDFN和SOT-23 封裝的微功率LDO可承受高達 100V 輸入電壓
- 凌特公司（Linear Technology）推出可提供 20mA 輸出電流的高壓、微功率、低壓差穩壓器 LT3014。該器件采用范圍為 3V 至 80V 的持續輸入電壓工作，可以 350mV 的低壓差產(chǎn)生 1.22V 至 60V 的輸出電壓，非常適用于汽車(chē)、48V 電信備份電源和工業(yè)控制應用。7uA（工作時(shí)）和 1uA（關(guān)機狀態(tài)）的超低靜態(tài)電流使該器件成為要求最長(cháng)工作時(shí)間并由電池供電的存儲器“保持有效”系統的極好選擇。LT3014HV 版本可耐受持續 2ms 的 100V 輸入瞬態(tài)電壓，是電信和汽車(chē)應用
- 關(guān)鍵字： 凌特公司 封裝
DFN和SOT-23封裝的微功率LDO可承受高達100V輸入電壓
- 2005 年 4 月 5 日凌特公司（Linear Technology）推出可提供 20mA 輸出電流的高壓、微功率、低壓差穩壓器 LT3014。該器件采用范圍為 3V 至 80V 的持續輸入電壓工作，可以 350mV 的低壓差產(chǎn)生 1.22V 至 60V 的輸出電壓，非常適用于汽車(chē)、48V 電信備份電源和工業(yè)控制應用。7uA（工作時(shí)）和 1uA（關(guān)機狀態(tài)）的超低靜態(tài)電流使該器件成為要求最長(cháng)工作時(shí)間并由電池供電的存儲器“保持有效”系統的極好選擇。LT3014HV 版本可耐受持續 2ms
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采用ThinSOT封裝的超低功率10kHz至1MHz硅振蕩器
- 凌特公司（Linear Technology）推出在 100kHz 時(shí)具有 18uA 超低工作電流的 LTC6906 可編程硅振蕩器。LTC6906 是便攜式設備的理想時(shí)鐘芯片，其占板面積僅為 LTC6906 ThinSOTTM 封裝和一個(gè)電阻所占面積。這些振蕩器無(wú)需旁路電容，可以編程至介于 10kHz 至 1MHz 之間的任何頻率。與晶體和陶瓷諧振器不同，LTC6906 不受加速、沖擊和震動(dòng)問(wèn)題的困擾。其時(shí)鐘啟動(dòng)時(shí)間僅為 200us，非常適用于時(shí)鐘速度可能降低或甚至關(guān)斷時(shí)鐘以節省功率的便攜式設備。LTC
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采用ThinSOT封裝的超低功率10kHz 至1MHz硅振蕩器
- 凌特公司（Linear Technology）推出在 100kHz 時(shí)具有 18uA 超低工作電流的 LTC6906 可編程硅振蕩器。LTC6906 是便攜式設備的理想時(shí)鐘芯片，其占板面積僅為 LTC6906 ThinSOTTM 封裝和一個(gè)電阻所占面積。這些振蕩器無(wú)需旁路電容，可以編程至介于 10kHz 至 1MHz 之間的任何頻率。 與晶體和陶瓷諧振器不同，LTC6906 不受加速、沖擊和震動(dòng)問(wèn)題的困擾。其時(shí)鐘啟動(dòng)時(shí)間僅為 200us，非常適用于時(shí)鐘速度可能降低或甚至關(guān)斷時(shí)鐘以節省功率的便攜式
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鋁碳化硅為電子封裝提供熱管理解決方案
- 2004年10月B版簡(jiǎn)介利用最先進(jìn)的材料設計低成本的高度可靠的微波電子、微電子、光電子和功率半導體系統是不現實(shí)的。為了保證此類(lèi)設備的可靠性，需要電子封裝和襯底熱管理解決方案，因此工程師需要既能夠提供熱管理特性，同時(shí)又能夠在更小型的設計中達到最優(yōu)功率密度的材料。要低成本生產(chǎn)此類(lèi)材料需要滿(mǎn)足封裝設計功能要求的健壯成型工藝。鋁碳化硅(AlSiC)金屬基體復合材料為電子封裝提供了高度可靠且成本經(jīng)濟的熱管理解決方案。它可提供高熱傳導率(~200 W/mK)以及可調的低熱膨脹系數(CTE)。對于需要減輕重量以及需要耐
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Casio和瑞薩半導體器件封裝技術(shù)進(jìn)行合作
- Casio Computer Co., Ltd. 和瑞薩科技公司簽署協(xié)議，Casio授權瑞薩科技使用其晶園片級封裝 (WLP) 半導體器件封裝技術(shù)。 這個(gè)協(xié)議標志著(zhù)Casio首次授權其它日本半導體器件制造商使用其WLP技術(shù)。 協(xié)議的要點(diǎn)如下： 1. Casio將在不斷發(fā)展的基礎上向瑞薩科技提供其WLP技術(shù)。瑞薩科技將在其半導體器件制造過(guò)程中積極使用WLP。 2.瑞薩科技被授權使用WLP制造和銷(xiāo)售芯片級封裝 (CSP)*1產(chǎn)品，瑞薩科技可以自行制造也可以通過(guò)其子公司進(jìn)行制造。
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Casio和瑞薩科技在半導體器件封裝技術(shù)方面進(jìn)行合作
- — 努力推動(dòng)WLP (晶圓片級封裝) 技術(shù)的標準化 — 東京，2005年1月18日— Casio Computer Co., Ltd. 和瑞薩科技公司簽署協(xié)議，Casio授權瑞薩科技使用其晶園片級封裝 (WLP) 半導體器件封裝技術(shù)。 這個(gè)協(xié)議標志著(zhù)Casio首次授權其它日本半導體器件制造商使用其WLP技術(shù)。 協(xié)議的要點(diǎn)如下： 1. Casio將在不斷發(fā)展的基礎上向瑞薩科技提供其WLP技術(shù)。瑞薩科技將在其半導體器件制造過(guò)程中積極使用WLP。 2.瑞薩科技被授權使用WLP制造和銷(xiāo)售芯片級封
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Microchip提供符合RoHS標準的無(wú)鉛封裝產(chǎn)品
- Microchip推出兼具錫鉛焊鍍材料價(jià)格優(yōu)勢及向前、向后兼容功能的新型環(huán)保封裝 全球領(lǐng)先的單片機和模擬半導體供應商——Microchip Technology（美國微芯科技公司）近日宣布，該公司所有的產(chǎn)品自 2005年1月起將采用符合環(huán)保要求的無(wú)鉛焊鍍封裝，以符合即將在全球范圍內實(shí)施的政府法規和行業(yè)標準。Microchip將采用霧錫（Matte tin）作為新的焊鍍材料，確保所有的無(wú)鉛產(chǎn)品都能向后兼容于行業(yè)標準和錫/鉛焊接工藝，并向前兼容用于采用錫/銀/銅等專(zhuān)業(yè)無(wú)鉛錫膏的高溫無(wú)鉛工藝。 歐盟
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Microchip提供符合RoHS標準的無(wú)鉛封裝產(chǎn)品
- 單片機和模擬半導體供應商——Microchip Technology（美國微芯科技公司）近日宣布，該公司所有的產(chǎn)品自 2005年1月起將采用符合環(huán)保要求的無(wú)鉛焊鍍封裝，以符合即將在全球范圍內實(shí)施的政府法規和行業(yè)標準。Microchip將采用霧錫（Matte tin）作為新的焊鍍材料，確保所有的無(wú)鉛產(chǎn)品都能向后兼容于行業(yè)標準和錫/鉛焊接工藝，并向前兼容用于采用錫/銀/銅等專(zhuān)業(yè)無(wú)鉛錫膏的高溫無(wú)鉛工藝。歐盟將從2006年7月1月起實(shí)施“有害物質(zhì)限制（RoHS）”法令，對所有在歐盟成員國內生產(chǎn)和銷(xiāo)售的電子設備的含
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飛兆半導體宣布推出采用SO-8封裝的80伏N溝道MOSFET器件FDS3572
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封裝的80 伏 N溝道MOSFET器件FDS3572，具備綜合的性能優(yōu)勢，能同時(shí)為DC/DC轉換器的初級和次級同步整流開(kāi)關(guān)電源設計提供優(yōu)異的整體系統效率。FDS3572提供7.5 nC Miller電荷 (Qgd)，比相同RDS(on) 級別的產(chǎn)品低38％。該器件的低Miller電荷加上低RDS(on) (16毫歐) 特性，其品質(zhì)因數Figure of Merit (FOM = RDS(on) x Qgd ) 為120
- 關(guān)鍵字： 飛兆半導體 封裝
適用功率MOSFET封裝的選擇
- 2004年8月A版 隨著(zhù)個(gè)人計算機、服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò )及電信系統等很多最終設備的功率水平和功率密度的要求持續不斷提高，對組成電源管理系統的元部件的性能提出了越來(lái)越高的要求。直到最近，硅技術(shù)一直是提高電源管理系統性能的最重要因素。然而，過(guò)去數年中硅技術(shù)的改進(jìn)已經(jīng)將MOSFET的RDS(on)和功率半導體的發(fā)熱量降低到了相當低的水平，以至封裝限制了器件性能的提高。隨著(zhù)系統電流要求成指數性增加，市場(chǎng)上已經(jīng)出現了多種先進(jìn)的功率MOSFET封裝。流行的封裝形式包括：DPAK、SO-8、CopperStrap SO-
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封裝介紹
程序 封裝 (encapsulation)
隱藏對象的屬性和實(shí)現細節，僅對外公開(kāi)接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪(fǎng)問(wèn)級別.
封裝 (encapsulation)
封裝就是將抽象得到的數據和行為(或功能)相結合，形成一個(gè)有機的整體，也就是將數據與操作數據的源代碼進(jìn)行有機的結合，形成“類(lèi)”，其中數據和函數都是類(lèi)的成員。
封裝的目的是增強安全性和簡(jiǎn)化編程，使用者不必了解具體的 [ 查看詳細 ]
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