封裝文章進(jìn)入封裝技術(shù)社區

高效照相閃光燈電容充電器采用 ThinSOT 封裝

凌特公司（Linear Technology）宣布推出高效快速照相閃光燈電容充電器 LT3468。LT3468 是一個(gè)獨立的解決方案，用于照相閃光燈電容充電，所需線(xiàn)路板面積最小，無(wú)需軟件開(kāi)發(fā)。LT3468 能迅速有效地給高壓（一般為 320 V）照相閃光燈電容充電。這個(gè)器件既可用于數字相機，也可用于膠片相機，采用限流回掃拓撲結構。它可用 3.6V 電池在 4.6 秒內將一個(gè) 100uF 電容充到 320V。LT3468 具有受控的 1.4A 峰值電流，與標準回掃變壓器配合使用，能以高于 80% 的效率對任
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采用纖巧 ThinSOT 封裝的四路電源監視器在 VCC 低至 500mV 時(shí)仍保證復位

凌特公司（Linear Technology）宣布推出采用纖巧 6 引線(xiàn) ThinSOT™（SOT-23）封裝的四路電源監視器 LTC2903-1，它在 VCC 低至 500mV 時(shí)仍保證提供有效的 RESET# 信號。與傳統電源監視器的 1V 電平相比，用低至 500mV 的電源電壓保持 RESET# 輸出為低可降低觸發(fā)外部邏輯電路或低電壓處理器的風(fēng)險。LTC2903-1 以嚴格的 ±1.5% 電壓門(mén)限準確度提供 10% 欠壓監視，這樣的準確度能保證可靠的復位操作而不會(huì )出現假觸發(fā)。LTC29
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東芝為功率半導體設備提供無(wú)鉛封裝

Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) 今日在公布其借助無(wú)鉛封裝提供對環(huán)境友好的產(chǎn)品的計劃時(shí)宣布，該公司眾多功率半導體的很多類(lèi)型都將采用無(wú)鉛封裝或無(wú)鉛涂層進(jìn)行生產(chǎn)。由東芝公司 (Toshiba Corp.) 生產(chǎn)的各種系列的功率設備中包含高功率的 IGBT 模塊和采用壓力包裝 (pressure packs) 的產(chǎn)品以及各種中等功率的設備（包括 MOSFET、雙極晶體管、肖特基勢壘二極管、智能型功率模塊、硅控整流器與三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)以及其他多
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采用 ThinSOT 封裝的降壓型 DC/DC 控制器電流消耗僅為 16uA

凌特公司（Linear Technology）推出一個(gè)采用 ThinSOTTM（SOT-23）封裝的降壓型 DC/DC 控制器 LTC3801。該產(chǎn)品專(zhuān)為延長(cháng)電池使用壽命而設計，可將待機電流消耗降至僅為 16uA。LTC3801 在正常工作、輕負載時(shí)的突發(fā)模式（Burst Mode
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采用 2mm x 2mm DFN 封裝的 900mA 全集成鋰離子電池線(xiàn)性充電器不會(huì )過(guò)熱

凌特公司（Linear Technology）推出 LTC4059 微型單節鋰離子電池線(xiàn)性充電器，它無(wú)需使用 3 個(gè)分立功率組件，在不使系統溫度過(guò)高的情況下提高充電速度，并檢測和報告充電電流值。此外，該產(chǎn)品采用最小的封裝，但卻沒(méi)有影響熱性能。整個(gè)解決方案僅需要兩個(gè)分立組件（輸入電容器與充電電流設置電阻器），而且只占用 2.5mm x 2.7mm 面積。LTC4059 的 2mm x 2mm DFN 封裝占位面積比 SOT-23 封裝的一半還小，提供 600C/W 的更低熱阻以改善散熱功能。通過(guò)正確的 PC
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具軟啟動(dòng)功能、采用 ThinSOT 封裝的高壓 1.3MHz 升壓型 DC/DC 轉換器

凌特公司（Linear Technology）推出一個(gè) 1.3MHz 升壓型 DC/DC 轉換器 LT3467，它兼有 42V、1.1A 內部開(kāi)關(guān)和軟啟動(dòng)功能。LT3467 采用恒定頻率電流模式架構，在 2.4V 到 16V 輸入電壓范圍內工作，從而使它成為單節鋰離子電池、5V 或 12V 應用的理想選擇。它內部的 42V 開(kāi)關(guān)非常適合輸出高達 40V 的升壓型轉換器以及 SEPIC 和返激式設計。通過(guò)一個(gè)集成的可編程軟啟動(dòng)功能消除了大浪涌電流，而 1.3MHz 的恒定開(kāi)關(guān)頻率實(shí)現了低噪聲工作。Thin
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飛兆半導體推出采用SC75 FLMP封裝的低壓MOSFET

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P溝道MOSFET器件FDJ129P，為便攜設備電源管理帶來(lái)綜合的性能和節省空間優(yōu)勢，這些設備包括移動(dòng)電話(huà)、PDA、便攜音樂(lè )播放機、GPS接收裝置、低壓/低功率DC-DC轉換器及數碼相機等。FDJ129P在緊湊的SC75 FLMP（倒裝引腳鑄模封裝）中結合了飛兆半導體的高性能 PowerTrench
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安森美半導體為高速、硅鍺數據和時(shí)鐘管理系列推出更小型耐用的QFN封裝

安森美半導體（美國納斯達克上市代號：ONNN）宣布，其硅鍺（SiGe）Gigacomm™系列的所有集成電路現在均可提供16引腳無(wú)引線(xiàn)四方扁平（QFN）封裝，進(jìn)一步拓展了該公司在高速數據與時(shí)鐘管理元件市場(chǎng)的地位。這種封裝與其他工業(yè)等級溫度范圍內的封裝相比，節省電路板空間，同時(shí)大幅提高了熱性能。采用QFN封裝的Gigacomm™器件目前額定溫度范圍為-40° C to +85° C，尺寸為3 mm x 3 mm，比倒裝球柵陣列（FCBGA）封裝減少44%。QFN封裝采用QFN封裝的G
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安森美半導體新推SOT553和SOT563微型封裝集成瞬態(tài)電壓保護器件系列

安森美半導體（美國納斯達克上市代號：ONNN）致力于不斷推出高性能、節省空間的器件，新推出的五款保護器件在1.6 x 1.6 x 0.6 mm SOT553或SOT563單封裝內集成了多個(gè)瞬變電壓抑制（TVS）元件。這些SOT5xx封裝TVS器件不僅符合靜電放電（ESD）保護的嚴格要求，更較傳統的SC88封裝減少電路板空間達36%，降低厚度40%。它們可理想應用于重視電路板空間的便攜設備，例如手機、數字照相機、MP3播放器、掌上游戲機以及PDA。安森美半導體副總裁兼集成電源產(chǎn)品總經(jīng)理Ramesh Ramc
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安森美半導體為T(mén)VS元件和肖特基二極管系列推出低厚度SOD-123FL封裝

安森美半導體（美國納斯達克上市代號：ONNN）不斷提升產(chǎn)品性能，在其品種全面的分立元件系列中增添SOD-123FL封裝。這五十款器件[包括瞬變電壓抑制（TVS）元件與肖特基二極管]現已提供低厚度的扁平引腳封裝。今年稍后，將有更多新型封裝的器件面世。安森美半導體副總裁兼標準元件部總經(jīng)理Charlotte Diener說(shuō)：“由于SOD-123FL優(yōu)化電路板空間占用每單位內的功率耗散，該封裝是便攜與無(wú)線(xiàn)電路板設計所需之TVS元件與肖特基二極管的理想選擇，此類(lèi)設計必須符合電源管理和保護的嚴格要求?！? SO
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飛兆半導體全新8引腳邏輯器件封裝MicroPak™ 8體積比US8減小60%

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出MicroPak 8 新型8引腳芯片級無(wú)引腳封裝，具備1、2和3位邏輯和開(kāi)關(guān)功能。全新的TinyLogic
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安森美半導體推出業(yè)界最廣泛的SOT553和SOT563封裝標準邏輯與分立器件系列

安森美半導體（美國納斯達克上市代號：ONNN）率先推出35個(gè)以上采用SOT553 和SOT563超小型、低厚度、無(wú)鉛有引線(xiàn)封裝的小信號、標準邏輯及二極管陣列器件。公司將會(huì )在第二季度末推出同樣封裝的另外15個(gè)新器件。安森美半導體副總裁兼標準元件部門(mén)總經(jīng)理Charlotte Diener說(shuō)：“安森美半導體發(fā)現，電路板設計人員對我們具實(shí)效的小體積封裝標準及集成標準元件的需求日益增加，這種封裝能在世界最多的領(lǐng)先電路板制造商采用的取放設備上裝配，同時(shí)可進(jìn)行目視檢驗——因為這仍是一種通用、經(jīng)濟的行業(yè)慣例。安森美半導體
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飛利浦擴展LFPAK封裝的功率MOSFET系列

優(yōu)化的LFPAK封裝MOSFET具有接近于零的封裝電阻和低熱阻，電性能極好，所需元件數量更少皇家飛利浦電子集團擴展其功率MOSFET產(chǎn)品系列，推出創(chuàng )新性的SOT669無(wú)損封裝（LFPAK）。新LFPAK器件針對DC/DC轉換器應用而設計，具有體積更小、效率更高、性能更加優(yōu)化等特點(diǎn)，可用于眾多新應用，如筆記本電腦、臺式機、服務(wù)器、高頻應用等。飛利浦的LFPAK封裝MOSFET主要特點(diǎn)有接近于零的封裝電阻和主板連接低熱阻，以增強功率功能。MOSFET還具有低封裝電感，從而提高了開(kāi)關(guān)速度，使飛利浦LFPAK
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IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機驅動(dòng)器性能

功率半導體專(zhuān)家國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak)，絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復二極管組合封裝，采用IR先進(jìn)的薄硅片工藝制造。新工藝可增強電及熱性能，有助降低傳導損耗，卻不增加開(kāi)關(guān)損耗。全新IGBT是IR專(zhuān)為電機控制而設計的iMOTION集成設計平臺系列的一部分。新器件的工作結溫高達175°C，標準工作范圍比同類(lèi)產(chǎn)品高出20%。另外，它們
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飛利浦推出SOT666/SS-Mini SMD封裝的高性能低VCesa BISS晶體管

日前，皇家飛利浦電子集團在創(chuàng )新性的低VCesa BISS晶體管產(chǎn)品系列中加入了非常重要的、性能大大提高的新成員，從而成為全球首個(gè)推出1612尺寸SOT666/SS-Mini封裝BISS晶體管的半導體廠(chǎng)商。PBSS4240V和PBSS5240V的集電極電流高達2A，具有一流的性能，并在功能增強的同時(shí)，相對其他較為著(zhù)名的SOT23 封裝1A器件還節省了41%的PCB空間。PBSS4240V和PBSS5240V還提供極低的集電極-發(fā)射極電阻（RCEsat = 190 mW），由于產(chǎn)生熱量更少，還可提高整體電路
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封裝介紹

程序　　封裝 (encapsulation) 　　隱藏對象的屬性和實(shí)現細節，僅對外公開(kāi)接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪(fǎng)問(wèn)級別. 　　封裝 (encapsulation) 　　封裝就是將抽象得到的數據和行為(或功能)相結合，形成一個(gè)有機的整體，也就是將數據與操作數據的源代碼進(jìn)行有機的結合，形成“類(lèi)”，其中數據和函數都是類(lèi)的成員。　　封裝的目的是增強安全性和簡(jiǎn)化編程，使用者不必了解具體的 [ 查看詳細 ]