安森美半導體推出微型封裝電壓抑制器件

安森美半導體（ON Semiconductor）推出全新高性能、微型封裝的靜電放電（ESD）保護二極管系列，專(zhuān)為便攜式產(chǎn)品和電池供電應用中電壓敏感元件提供單線(xiàn)保護而設計。

新系列中的五個(gè)ESD5Z器件包括ESD5Z2.5T1（2.5 V）, ESD5Z3.3T1（3.3 V）, ESD5Z5.0T1 （5.0 V）, ESD5Z6.0T1（6.0 V）和ESD5Z7.0T1（7.0 V）。這些器件為鉗制快速上升的ESD脈沖而設計，防止對板上的電壓敏感元件造成損壞。30 kV的輸入波形（符合 IEC61000-4-2 標準）將在幾納秒鐘內被ESD5Z 系列器件鉗制到7V以下 。這些器件尺寸小，便于放置在ESD 可進(jìn)入系統的輸入/輸出端口附近，因此可在瞬態(tài)電壓耦合到板上其它部分之前將其抑制。在關(guān)閉狀態(tài)下，這些ESD5Z器件的泄漏電流僅為5 納安（nA）之低，因此是極重要的節電應用的理想選擇 。這些器件也適用于保護電壓敏感元件，防止電源線(xiàn)上的負載開(kāi)關(guān)產(chǎn)生瞬流，并且可以在8 x 20 微秒（µsec）的脈沖波形內耗散200 W。

ESD5Z 器件采用超小的SOD-523 封裝，尺寸僅為1.6 mm x 0.8 mm x 0.7 mm，是手機、PDA和MP3播放器的理想選擇，板面積對這些便攜產(chǎn)品來(lái)說(shuō)是極為珍貴的，但ESD卻經(jīng)常發(fā)生，所以設計人員考慮到板面積或板布局的因素，不可使用多線(xiàn)保護器件。因此ESD5Z系列為設計者提供了單線(xiàn)保護的最大靈活性。

ESD5Z 系列的性能在多個(gè)方面優(yōu)于常用的多層變阻器（MLV），同時(shí)還保持了尺寸小的優(yōu)勢。器件的最大鉗制電壓小于MLV的一半，為敏感的集成電路提供了優(yōu)異的保護。ESD5Z 二極管中關(guān)閉狀態(tài)的泄漏電平為5 nA，電池使用壽命比更高泄漏電平的MLV更具優(yōu)勢。ESD5Z 二極管除了能夠多次承受ESD 沖擊，還可保持其電氣特性。

安森美半導體小信號部總經(jīng)理Mamoon Rashid說(shuō)：“因為便攜式應用的集成電路越來(lái)越小，越來(lái)越密集，所以對ESD電壓也越來(lái)越敏感。安森美半導體將繼續在這個(gè)極具挑戰的應用領(lǐng)域內開(kāi)發(fā)高性能的ESD電壓抑制解決方案?！?

封裝和價(jià)格
ESD5Z2.5T1, ESD5Z3.3T1, ESD5Z5.0T1, ESD5Z6.0T1和ESD5Z7.0T1 系列采用SOD-523封裝，每10,000件的批量單價(jià)為0.038美元。