飛兆半導體宣布推出采用SO-8封裝的80伏N溝道MOSFET器件FDS3572

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封裝的80 伏 N溝道MOSFET器件FDS3572，具備綜合的性能優(yōu)勢，能同時(shí)為DC/DC轉換器的初級和次級同步整流開(kāi)關(guān)電源設計提供優(yōu)異的整體系統效率。FDS3572提供7.5 nC Miller電荷 (Qgd)，比相同RDS(on) 級別的產(chǎn)品低38％。該器件的低Miller電荷加上低RDS(on) (16毫歐) 特性，其品質(zhì)因數Figure of Merit (FOM = RDS(on) x Qgd ) 為120， 比最接近的競爭產(chǎn)品低33％ 之多。FDS3572還具有最佳的總門(mén)電荷 (在VGS = 10 V為31 nC)，有助降低損秏；低QRR (70 nC)，可降低反向恢復損耗；以及高雪崩性能 (EAS = 515 mJ)，以提高耐用性能。這些產(chǎn)品特性再配合小體積的封裝，使得FDS3572成為今日要求嚴格的電源設計的理想選擇。

FDS3572開(kāi)關(guān)特別適用于預穩壓的高密度隔離全橋或半橋DC/DC轉換器電路應用，也是初級應用的理想器件，包括低壓電信電源、DC/DC轉換器、網(wǎng)絡(luò )和數據通信電源、服務(wù)器及采用最新總線(xiàn)轉換器拓撲且支持中間母線(xiàn)結構 (IBA) 的調壓模塊 (VRM)。在這些應用中，頻率通常高達250 KHz，而FDS3572極低的Miller電荷可實(shí)現快速切換，從而減少動(dòng)態(tài)損耗；至于其超低門(mén)電荷則可通過(guò)減少驅動(dòng)器/PWM控制IC的功耗來(lái)提高系統效率。

這種先進(jìn)的器件還可用于同步整流器，以替代DC/DC轉換器次邊的傳統高壓Schottky整流器，輸出電壓為5V至52V。典型的產(chǎn)品應用包括網(wǎng)絡(luò )和數據通信DC/DC轉換器及筆記本電腦的外部AC/DC適配器。FDS3572的低RDS(on) 特性可將傳導損耗控制在允許范圍內，并提高筆記本電腦AC/DC適配器的功率密度。功率密度的增強非常重要，因為隨著(zhù)更多多媒體功能集成于便攜產(chǎn)品平臺上，處理器的功率需求將越來(lái)越高。同步整流應用也可得益于FDS3572的高雪崩性能及小尺寸封裝。

飛兆半導體技術(shù)市務(wù)經(jīng)理David Grey稱(chēng)：“現今的DC/DC轉換器設計者總想在預定的散熱限制范圍內，在越來(lái)越小的空間中盡量提高功率。FDS3572便可滿(mǎn)足他們對效率、性能及小尺寸封裝的要求，并且能實(shí)現極佳的裸片至封裝的利用率?！?/p>

FDS3572的推出是飛兆半導體落實(shí)其業(yè)務(wù)承諾的又一例證，提供能滿(mǎn)足現今市場(chǎng)趨勢和需求的產(chǎn)品。飛兆半導體針對DC/DC轉換器應用的其它產(chǎn)品還包括光隔離放大器(FOD27XX系列)、快速恢復二極管及PWM控制器等。而這種無(wú)鉛產(chǎn)品能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020D標準要求，并符合將于2005年生效的歐盟標準。

價(jià)格:FDS3572器件每個(gè)1.18美元 (訂購1,000個(gè))
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