臺積電、Intel、三星狂買(mǎi)ASML EUV光刻機
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臺積電在北美技術(shù)論壇上公布了新的制程路線(xiàn)圖，定于2025年量產(chǎn)2nm工藝，其采用Nanosheet（納米片電晶體）的微觀(guān)結構，取代FinFET。期間，臺積電甚至規劃了5種3nm制程，包括N3、N3E、N3P、N3S和N3X，要在2025年前將成熟和專(zhuān)業(yè)化制程的產(chǎn)能提高50%，包括興建更多的晶圓廠(chǎng)。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202206/435317.htm顯然，作為產(chǎn)能提升以及興建晶圓廠(chǎng)的關(guān)鍵核心設備，EUV光刻機少不了要采購一大批。臺積電表示，計劃在2024年引入ASML的新一代EUV極紫外光刻機。
此前，Intel曾說(shuō)自己是第一個(gè)訂購ASML下一代EUV光刻機的廠(chǎng)商，計劃2025年前使用上。三星這邊也是不甘示弱，本周副會(huì )長(cháng)李在镕親赴荷蘭會(huì )見(jiàn)ASML高層，據說(shuō)至少爭取到了18臺（ASML今年預計出貨51臺EUV）。資料顯示，荷蘭ASML正在研發(fā)新款光刻機High-NA EXE:5200（0.55NA），所謂High-NA也就是高數值孔徑，2nm之后的節點(diǎn)都得依賴(lài)它實(shí)現。這款光刻機價(jià)值高達4億美元（約合26億元人民幣），雙層巴士大、重超200噸。
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