臺積電2nm工藝提升不大：密度僅提升10%

日前，臺積電全面公開(kāi)了旗下的3nm及2nm工藝技術(shù)指標，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。性能及功耗看著(zhù)還不錯，但臺積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏，只提升了10%，按照摩爾定律來(lái)看的話(huà)，新一代工藝的密度提升是100%才行，實(shí)際中也能達到70-80%以上才能算新一代工藝。

臺積電沒(méi)有解釋為何2nm的密度提升如此低，很有可能跟使用的納米片電晶體管（Nanosheet）技術(shù)有關(guān)，畢竟這是新一代晶體管結構，考驗很多。

臺積電在2nm工藝上的擠牙膏，倒是給了Intel一個(gè)機會(huì )，因為后者預計在2024年就要量產(chǎn)20A工藝及改進(jìn)版的18A工藝了，同樣也是“2nm”級別的。目前兩家的2nm工藝都是PPT上的，但是臺積電這次的2nm工藝表現不盡如人意，這讓Intel勵志重回半導體工藝第一的目標有了可能。