EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
制程
制程 文章 進(jìn)入制程技術(shù)社區
芯片的先進(jìn)封裝會(huì )發(fā)展到4D？
- 電子集成技術(shù)分為三個(gè)層次，芯片上的集成，封裝內的集成，PCB板級集成，其代表技術(shù)分別為SoC，SiP和PCB（也可以稱(chēng)為SoP或者SoB）芯片上的集成主要以2D為主，晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面；同樣，PCB上的集成也是以2D為主，電子元器件平鋪安裝在PCB表面，因此，二者都屬于2D集成。而針對于封裝內的集成，情況就要復雜得多。電子集成技術(shù)分類(lèi)的兩個(gè)重要依據：1.物理結構，2.電氣連接(電氣互連)。目前先進(jìn)封裝中按照主流可分為2D封裝、2.5D封裝、3D封裝三種類(lèi)型。2D封裝012D封裝是指在基板的表
- 關(guān)鍵字： 電子集成 工藝 制程
臺積電2nm需求超所有其它制程！蘋(píng)果、NVIDIA、AMD都想要
- 5月6日消息，據報道，臺積電的2nm制程技術(shù)正在引發(fā)前所未有的市場(chǎng)需求，有望成為該公司下一個(gè)"淘金熱"。報道稱(chēng)，臺積電的2nm節點(diǎn)需求遠超以往任何制程，甚至在大規模量產(chǎn)之前就已經(jīng)展現出強勁的吸引力，有望超越目前極為成功的3nm節點(diǎn)。臺積電的2nm制程技術(shù)在成熟度上取得了快速進(jìn)展，其缺陷密度率已與3nm和5nm相當，并采用了新的環(huán)繞柵極晶體管（GAAFET）架構。此外，與3nm增強版（N3E）相比，2nm制程的速度提升了10%至15%。在市場(chǎng)需求方面，蘋(píng)果被認為是2nm制程的最大客戶(hù)，可
- 關(guān)鍵字： 臺積電 2nm 制程 蘋(píng)果 NVIDIA AMD
日本政府擬2025年成Rapidus股東，修法已通過(guò)
- 據日本共同通信社和日經(jīng)新聞報道，日本政府計劃在2025年下半年對半導體企業(yè)Rapidus出資1,000億日元，并成為其股東。這一計劃的法律基礎已經(jīng)確立，日本參議院于4月25日通過(guò)了《信息處理促進(jìn)法》等修正案，正式為相關(guān)支持鋪平道路。日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)?。ń?jīng)產(chǎn)?。┲鞴艿男畔⑻幚硗七M(jìn)機構（IPA）將新增金融業(yè)務(wù)，向民間金融機構為下一代半導體企業(yè)提供債務(wù)擔保。這一機制將使日本政府能夠通過(guò)IPA對Rapidus進(jìn)行出資，出資對象將通過(guò)公開(kāi)招募選定，預計為Rapidus。經(jīng)產(chǎn)省已在2025年度預算中預留了1,000億日元
- 關(guān)鍵字： 制程 Rapidus 晶圓代工
臺積電高歌猛進(jìn)，二線(xiàn)廠(chǎng)商業(yè)績(jì)承壓
- 作為全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)的龍頭，2024年臺積電全年合并營(yíng)收達900億美元，同比增長(cháng)30%；稅后凈利達365億美元，同比大幅增長(cháng)35.9%。毛利率達到56.1%，營(yíng)業(yè)利益率達45.7%，皆創(chuàng )歷史新高。2025年首季，臺積電的營(yíng)運表現遠超市場(chǎng)預期。據晶圓代工業(yè)內人士透露，臺積電首季毛利率達58.8%，且預計第二季毛利率有望介于57%-59%的高位區間；美元營(yíng)收有望實(shí)現環(huán)比增長(cháng)13%、同比增長(cháng)近40%。與之形成鮮明對比的是，二線(xiàn)代工廠(chǎng)首季營(yíng)運并未出現明顯回暖跡象。具體來(lái)看，聯(lián)電2025年首季合并營(yíng)收為新臺幣578
- 關(guān)鍵字： 臺積電 市場(chǎng)分析 EDA 制程
AMD拿下臺積電2nm工藝首發(fā)
- 4月15日，AMD宣布其新一代Zen 6 EPYC處理器「Venice」正式完成投片（tape out），成為業(yè)界首款采用臺積電2nm（N2）制程技術(shù)的高效能運算（HPC）處理器，預計將于明年上市。這也是AMD首次拿下臺積電最新制程工藝的首發(fā)，而以往則都是由蘋(píng)果公司的芯片首發(fā)。N2是臺積電首個(gè)依賴(lài)于全環(huán)繞柵極晶體管（Gate All Around，GAA）的工藝技術(shù)，預計與N3（3nm）相比，可將功耗降低24%至35%，或者在相同運行電壓下的性能提高15%，同時(shí)晶體管密度是N3的1.15倍，這些提升主要得
- 關(guān)鍵字： AMD N2 制程 臺積電
英特爾宣布 18A 工藝節點(diǎn)已進(jìn)入風(fēng)險生產(chǎn)
- 英特爾的代工服務(wù)高級副總裁 Kevin O'Buckley 在 2025 年愿景大會(huì )上宣布了公司 18A 工藝節點(diǎn)的進(jìn)展。?在 2025 年愿景會(huì )議上，英特爾今天宣布已進(jìn)入其 18A 工藝節點(diǎn)的風(fēng)險生產(chǎn)，這是一個(gè)關(guān)鍵的生產(chǎn)里程碑，標志著(zhù)該節點(diǎn)現在處于小批量測試制造運行的早期階段。英特爾的代工服務(wù)高級副總裁 Kevin O'Buckley 宣布了這一消息，因為英特爾即將完全完成其“四年五個(gè)節點(diǎn)”（5N4Y） 計劃，該計劃最初由前首席執行官帕特·基辛格 （Pat Gelsinger）
- 關(guān)鍵字： 英特爾 18A 制程
中科院成功研發(fā)全固態(tài)DUV光源技術(shù)！
- 3月24日消息，中國科學(xué)院（CAS）研究人員成功研發(fā)突破性的固態(tài)深紫外（DUV）激光，能發(fā)射 193 納米的相干光（Coherent Light），與當前被廣泛采用的DUV曝光技術(shù)的光源波長(cháng)一致。相關(guān)論壇已經(jīng)于本月初被披露在了國際光電工程學(xué)會(huì )（SPIE）的官網(wǎng)上。目前，全球主要的DUV光刻機制造商如ASML、Canon和Nikon，均采用氟化氬（ArF）準分子激光技術(shù)。這種技術(shù)通過(guò)氬（Ar）和氟（F）氣體混合物在高壓電場(chǎng)下生成不穩定分子，釋放出193納米波長(cháng)的光子。這些光子以短脈沖、高能量形式發(fā)射，輸出功
- 關(guān)鍵字： 制程 DUV光刻機
2納米制程競爭 臺積電穩步向前或芒刺在背？
- 在半導體制程技術(shù)的競賽中，2納米制程成為各大廠(chǎng)商爭奪的下一個(gè)重要里程碑。 臺積電（TSMC）正在積極研發(fā)2納米制程，于2024年開(kāi)始試產(chǎn)，并計劃于2025年實(shí)現量產(chǎn)。 臺積電將在2納米節點(diǎn)引入GAA（環(huán)繞柵極）納米片晶體管技術(shù)，這是從傳統的FinFET轉向新一代晶體管架構的重大轉變。 臺積電也計劃興建2納米晶圓廠(chǎng)，以滿(mǎn)足未來(lái)的生產(chǎn)需求。臺積電在制程技術(shù)上一直保持領(lǐng)先，擁有穩定的制造流程和廣泛的客戶(hù)基礎。 與蘋(píng)果、AMD、高通等大客戶(hù)的緊密合作，使其在市場(chǎng)上具有強大的影響力。 且需面對來(lái)自三星和英特爾在GA
- 關(guān)鍵字： 2納米 制程 臺積電
計劃上半年流片，英特爾18A制程準備就緒
- 近日，英特爾宣布，其18A制程節點(diǎn)（1.8納米）已經(jīng)準備就緒，并計劃在今年上半年開(kāi)始設計定案。該制程將導入多項先進(jìn)半導體技術(shù)。18A制程相較于英特爾3nm制程，可將芯片密度提升30%，并提高每瓦性能約15%。英特爾計劃將18A制程應用于即將推出的Panther Lake筆電處理器與Clearwater Forest服務(wù)器CPU，這兩款產(chǎn)品預計將于年底前上市。18A制程的一大突破是PowerVia背面供電技術(shù)。該技術(shù)透過(guò)將粗間距金屬層與凸塊移至芯片背面，并采用納米級硅穿孔（through-silicon
- 關(guān)鍵字： 英特爾 18A 制程
16/14nm也受限 但擋不住中國崛起！光刻機采購金額首次大幅下降
- 2月13日消息，雖然受到美國制裁，但中國一直是以光刻機為主的晶圓/芯片制造設備的最大采購國，而根據半導體研究機構TechInsights的最新報告，2025年中國半導體廠(chǎng)商的采購將首次出現大幅下降。報告稱(chēng)，2024年，中國對半導體制造設備的采購額為410億美元，而在2025年預計會(huì )降至380億美元，降幅超過(guò)7％。TechInsights認為，這一方面是美國的出口管制政策越發(fā)收緊，另一方面是中國半導體本身不斷取得突破，同時(shí)芯片供應超過(guò)了需求。30億美元的下降很大，不過(guò)380億美元的采購規模，仍然讓中國穩居世
- 關(guān)鍵字： 12nm 芯片代工 芯片制造 制程
求變！三星將全面整頓封裝供應鏈：材料設備采購規則全改
- 12月25日消息，據媒體報道，三星正計劃對其先進(jìn)半導體封裝供應鏈進(jìn)行全面整頓，以加強技術(shù)競爭力。這一舉措將從材料、零部件到設備進(jìn)行全面的“從零檢討”，預計將對國內外半導體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)重大影響。報道稱(chēng)，三星已經(jīng)開(kāi)始審查現有供應鏈，并計劃建立一個(gè)新的供應鏈體系，優(yōu)先關(guān)注設備，并以性能為首要要求，不考慮現有業(yè)務(wù)關(guān)系或合作。三星甚至正在考慮退回已采購的設備，并重新評估其性能和適用性，目標是推動(dòng)供應鏈多元化，包括更換現有的供應鏈。三星過(guò)去一直執行“聯(lián)合開(kāi)發(fā)計劃”與單一供應商合作開(kāi)發(fā)下一代產(chǎn)品，然而，由于半導體技術(shù)日益復
- 關(guān)鍵字： 三星 制程 封裝
臺積電2nm制程設計平臺準備就緒，預計明年末開(kāi)始量產(chǎn)
- 在歐洲開(kāi)放創(chuàng )新平臺（OIP）論壇上，臺積電表示電子設計自動(dòng)化（EDA）工具和第三方IP模塊已為性能增強型N2P/N2X制程技術(shù)做好準備。目前，Cadence和Synopsys的所有主要工具以及Siemens EDA和Ansys的仿真和電遷移工具，都已經(jīng)通過(guò)N2P工藝開(kāi)發(fā)套件（PDK）版本0.9的認證，該版本PDK被認為足夠成熟。這意味著(zhù)各種芯片設計廠(chǎng)商現在可以基于臺積電第二代2nm制程節點(diǎn)開(kāi)發(fā)芯片。據悉，臺積電計劃在2025年末開(kāi)始大規模量產(chǎn)N2工藝，同時(shí)A16工藝計劃在2026年末開(kāi)始投產(chǎn)。臺積電N2系
- 關(guān)鍵字： 臺積電 2nm 制程 設計平臺
三星“緊跟”臺積電：對中國大陸暫停提供7nm及以下制程的芯片
- 據外媒報道，美國商務(wù)部已向臺積電發(fā)函，對7nm及以下制程的芯片實(shí)施更為嚴格的出口管控措施，特別是針對人工智能（AI）和圖形處理器（GPU）領(lǐng)域。對此臺積電計劃提高與客戶(hù)洽談與投片的審核標準，擴大產(chǎn)品審查范圍 —— 同時(shí)，已通知中國大陸的部分芯片設計公司，從即日起暫停向它們提供7nm或以下制程的芯片。臺積電回應稱(chēng)，對于傳言不予置評。從最新的傳聞來(lái)看，雖然美國目前尚未正式出臺相關(guān)的限制細則，但三星似乎也受到了來(lái)自美國商務(wù)部的壓力，不得不采取與臺積電類(lèi)似的舉措。有消息稱(chēng)，三星與臺積電近日向他所投資的企業(yè)發(fā)送郵件
- 關(guān)鍵字： 三星 臺積電 7nm 制程 芯片
TrendForce：預計 2025 年成熟制程產(chǎn)能將年增 6%，國內代工廠(chǎng)貢獻最大
- 10 月 24 日消息，根據 TrendForce 集邦咨詢(xún)最新調查，受?chē)a(chǎn)化浪潮影響，2025 年國內晶圓代工廠(chǎng)將成為成熟制程增量主力，預估 2025 年全球前十大成熟制程代工廠(chǎng)的產(chǎn)能將提升 6%，但價(jià)格走勢將受壓制。TrendForce 集邦咨詢(xún)表示，目前先進(jìn)制程與成熟制程需求呈現兩極化，5/4nm、3nm 因 AI 服務(wù)器、PC / 筆電 HPC 芯片和智能手機新品主芯片推動(dòng)，2024 年產(chǎn)能利用率滿(mǎn)載至 2024 年底。28nm (含) 以上成熟制程僅溫和復蘇，今年下半年平均產(chǎn)能利用率較上半年增加
- 關(guān)鍵字： 晶圓代工 制程 市場(chǎng)分析
iPhone17 Pro系列將采用2nm制程芯片，臺積電加快試產(chǎn)但有挑戰
- 市場(chǎng)消息傳出，臺積電正在提前試產(chǎn)2nm芯片，預期將在明年iPhone17上首度亮相，但也面臨一些挑戰。兩位消息人士透露，臺積電去年12月已向蘋(píng)果和NVIDIA在內的最大客戶(hù)展示首款「N2」原型的制程測試結果；2nm制造設備已于第二季開(kāi)始進(jìn)駐寶山廠(chǎng)并進(jìn)行安裝、于第三季試產(chǎn)，比市場(chǎng)預期的第四季還早。市場(chǎng)解讀，臺積電在量產(chǎn)前加快速度是為了確保良率穩定。有報導稱(chēng)，蘋(píng)果可能已預留臺積電所有2nm產(chǎn)能，和首次用于iPhone 15 Pro 的3nm芯片一樣。雖然臺積電能制造芯片，但需要其他供應商協(xié)助，2nm更是凸顯出
- 關(guān)鍵字： iPhone17 Pro 2nm 制程 臺積電
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473