計劃上半年流片，英特爾18A制程準備就緒

近日，英特爾宣布，其18A制程節點(diǎn)（1.8納米）已經(jīng)準備就緒，并計劃在今年上半年開(kāi)始設計定案。

該制程將導入多項先進(jìn)半導體技術(shù)。18A制程相較于英特爾3nm制程，可將芯片密度提升30%，并提高每瓦性能約15%。英特爾計劃將18A制程應用于即將推出的Panther Lake筆電處理器與Clearwater Forest服務(wù)器CPU，這兩款產(chǎn)品預計將于年底前上市。

18A制程的一大突破是PowerVia背面供電技術(shù)。該技術(shù)透過(guò)將粗間距金屬層與凸塊移至芯片背面，并采用納米級硅穿孔（through-silicon vias，TSV），以提高供電效率。英特爾表示，這項技術(shù)可提升ISO功耗效能4%，并增加標準單元利用率5%至10%。

另一項關(guān)鍵技術(shù)是RibbonFET，這是英特爾的全柵極晶體管（GAA）設計。與傳統鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）相比，RibbonFET可更精細地控制電流流動(dòng)，并有效降低功耗與漏電，這對于高密度、小型化的芯片來(lái)說(shuō)尤為重要。

提起英特爾，外界大多會(huì )想到近年來(lái)該公司面臨重大財務(wù)壓力，英特爾在2024年的財務(wù)報告中顯示虧損了130億美元。由于英特爾連年虧損，市場(chǎng)上關(guān)于該公司可能進(jìn)行業(yè)務(wù)拆分或出售部分代工業(yè)務(wù)的猜測不斷增加。

隨著(zhù)美國政府推動(dòng)半導體本土化，英特爾18A制程的成敗，將成為美國半導體產(chǎn)業(yè)競爭力的重要指標。