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IC Insights: 先進(jìn)制程是晶圓代工的營(yíng)收關(guān)鍵
- 國際半導體市場(chǎng)研究機構IC Insights最新的報告指出，四個(gè)最大的純晶圓代工廠(chǎng)(臺積電，GlobalFoundries，聯(lián)華電子和中芯國際)的晶圓代工的平均收入預計在2018年為11億3千8百美元， 以200mm等效晶圓表示，與2017年的11億3千6百萬(wàn)美元基本持平。 其中，臺積電是四大中唯一一家在2018年將比2013年產(chǎn)生更高的每晶圓收入(9%以上)的晶圓代工廠(chǎng)，其余將是下滑的局面?！ C Insights指出，臺積電2018年平均每晶圓收入預計為1,382美元，比GlobalFoundr
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三星在工藝制程上再次取得領(lǐng)先優(yōu)勢，或奪高通驍龍855訂單
- 三星和臺積電在工藝制程上的競爭一直都異常激烈，近日其宣布采用EUV技術(shù)的7nm工藝量產(chǎn)，再次取得對臺積電的領(lǐng)先優(yōu)勢，而臺積電曾宣稱(chēng)已取得高通驍龍855訂單一事估計要黃了。 在近幾年來(lái)，三星在先進(jìn)制程工藝方面一再取得對臺積電的領(lǐng)先優(yōu)勢，14/16nmFinFET、10nm工藝均先于臺積電投產(chǎn)，也正是因為它在先進(jìn)工藝制程上所取得的領(lǐng)先優(yōu)勢這幾年它都一再取得高通高端芯片的訂單。 近日三星采用EUV技術(shù)的7nm工藝投產(chǎn)，而臺積電當下投產(chǎn)的7nm工藝并沒(méi)采用EUV技術(shù)，其預計到明
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格芯技術(shù)大會(huì )攜最新技術(shù)突出中國市場(chǎng)重要地位
- 近日，格芯2017技術(shù)大會(huì )（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海舉行，格芯盛邀數百位半導體行業(yè)領(lǐng)導者、客戶(hù)、研究專(zhuān)家與核心媒體齊聚一堂，并精心為與會(huì )者準備了公司的核心業(yè)務(wù)、市場(chǎng)推進(jìn)方向與創(chuàng )新成果，以及包括制程工藝、設計實(shí)現、IP、射頻以及生態(tài)圈的發(fā)展等方面的最新進(jìn)展，共同聚焦格芯面向5G互聯(lián)時(shí)代的技術(shù)解決方案。作為格芯的年度技術(shù)盛會(huì )，本次大會(huì )格芯分享的技術(shù)主題十分廣泛，包括FDX?設計和生態(tài)系統、IoT，5G/網(wǎng)絡(luò )和汽車(chē)解決方案智能應用，FDX?、Fi
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聯(lián)電：暫不參與先進(jìn)制程競賽 專(zhuān)注提升28和14納米競爭力
- 晶圓代工二哥聯(lián)電暫不參與先進(jìn)制程競賽，專(zhuān)注提升28納米和14納米制程的競爭力。共同總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰指出，將以追求特定領(lǐng)域的市占率進(jìn)入前兩名為目標，預估28納米對營(yíng)收貢獻可于三至四季內回到兩成水準。 聯(lián)電為晶圓雙雄之一，面臨國際半導體產(chǎn)業(yè)的激烈競爭和臺積電的領(lǐng)先優(yōu)勢，仍積極布局短、中、長(cháng)期發(fā)展策略。簡(jiǎn)山杰指出，公司策略目標為創(chuàng )造獲利和擴大市占率，決定暫時(shí)不再追求先進(jìn)制程，避免折舊攤提持續處于高峰而影響獲利目標。 簡(jiǎn)山杰認為，無(wú)論是5G或物聯(lián)網(wǎng)等，對于芯片需求仍相當巨大
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先進(jìn)制程將成晶圓代工成長(cháng)動(dòng)力來(lái)源
- 據IC Insights最新數據預估，整體來(lái)說(shuō)，2017年純晶圓代工市場(chǎng)的營(yíng)收規模將成長(cháng)7%，但成長(cháng)動(dòng)能幾乎全部來(lái)自40奈米以下先進(jìn)制程。 2017年40奈米以下先進(jìn)制程的營(yíng)收料將達到215億美元，比2016年成長(cháng)18%;40奈米以上(含)成熟制程的市場(chǎng)只會(huì )成長(cháng)不到1%，達323億美元。 雖然40奈米以上成熟制程對晶圓代工業(yè)者營(yíng)收的貢獻度達到6成，但對絕大多數晶圓代工業(yè)者而言，40奈米以上成熟制程的利潤空間已經(jīng)相當有限。 40奈米以下先進(jìn)制程才是晶圓代工業(yè)者的金雞母。 以個(gè)別廠(chǎng)商來(lái)看，臺積
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英特爾：全球制程工藝創(chuàng )新者和引領(lǐng)者
- 智能互聯(lián)時(shí)代，數據洪流洶涌而生，對計算力的需求前所未有。英特爾始終以領(lǐng)先的制程工藝提供不斷躍升的計算力，并將晶體管密度作為引領(lǐng)制程工藝發(fā)展的首要準則。英特爾以突破性技術(shù)和持續創(chuàng )新不斷打破摩爾定律失效“魔咒”，過(guò)去15年里在業(yè)界廣泛應用的主要制程工藝創(chuàng )新都由英特爾推動(dòng)，并始終擁有至少三年的領(lǐng)先優(yōu)勢?！ 【w管密度： 衡量制程工藝領(lǐng)先性的首要準則 目前一些競爭友商公司的制程節點(diǎn)名稱(chēng)并不準確，無(wú)法正確體現這個(gè)制程位于摩爾定律曲線(xiàn)的哪個(gè)位置。摩爾定律是指每一代制程工藝的晶體管密度加倍，縱觀(guān)發(fā)展史，業(yè)界在命
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Entegris攜最新產(chǎn)品亮相Semicon Taiwan，提供整合解決方案應對未來(lái)制造挑戰
- 隨著(zhù)先進(jìn)制程的不斷推進(jìn)，從14nm、10nm到將來(lái)的7nm、3nm，在生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的微粒也越來(lái)越小，怎樣去找到這些極微小的微粒將是未來(lái)半導體制造商面臨的一個(gè)非常大的挑戰。近日，領(lǐng)先特殊材料供應商Entegris參加了在Semicon Taiwan，同時(shí)發(fā)布了幾款全新產(chǎn)品，其全球銷(xiāo)售副總裁謝俊安也與臺灣媒體進(jìn)行了交流?！ ≈x俊安首先介紹了Entegris的三個(gè)主要事業(yè)部，分別為電子材料部分，主要提供尖端氣體、沉積的解決方案以及一些化學(xué)清洗類(lèi)產(chǎn)品;第二個(gè)是微污染控制，主要的產(chǎn)品為用于水、氣體以
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臺積電先進(jìn)制程持續投資，引領(lǐng)國外設備材料商紛紛靠攏
- 即將步入創(chuàng )業(yè)第30個(gè)年頭的晶圓代工龍頭臺積電，持續不斷在先進(jìn)制程5納米及3納米等投資，也吸引全球半導體設備商來(lái)臺搶食相關(guān)大餅。才剛進(jìn)入9月，陸續有材料大廠(chǎng)默克(Merck)、設備廠(chǎng)美商科林研發(fā)(LamResearch)、先進(jìn)半導體微污染控制設備商美商英特格(Entegris)等企業(yè)陸續來(lái)臺設點(diǎn)，或發(fā)表新產(chǎn)品。顯示由臺積電帶動(dòng)的國內半導體產(chǎn)業(yè)投資潮，已經(jīng)引起全球相關(guān)廠(chǎng)商關(guān)注。 根據臺積電共同執行長(cháng)魏哲家日前在第2季法人說(shuō)明會(huì )報告，臺積電在7納米制程的發(fā)展，2017年4月已通過(guò)客戶(hù)認證，良率比預期高
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臺積電通吃中低端制程商機
- 晶圓代工龍頭臺積電昨日表示，第2季營(yíng)運能否達到財測目標，新臺幣兌美元匯率將是唯一因素。意味著(zhù)6月?tīng)I收將持續揚升，且以美元計價(jià)，仍可達標。法人指出，臺積電第3季迎接強勁拉貨潮，預期五大產(chǎn)品訂單同增，單季營(yíng)運有望創(chuàng )歷史新高。 臺積電ADR上周五受美科技股重挫拖累，同步收黑，收盤(pán)跌幅2.82%。但法人指出，臺積電即將在26日除息，每股發(fā)放現金股利7元，外資長(cháng)期持有臺積即是看好其穩定股利，再加上新臺幣維持相對強勢，更重要的是營(yíng)運進(jìn)入旺季，因此即使費城半導體指數重挫，沖擊不致過(guò)大。 臺積電表示，不對
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美國科研人員實(shí)現1nm 制程工藝
- Intel、TSMC及三星三大半導體工廠(chǎng)今年將量產(chǎn)10nm工藝,他們中進(jìn)度快的甚至準備在明年上馬7nm工藝,2020年前后則要推出5nm工藝。但是隨著(zhù)制程工藝的升級,半導體工藝也越來(lái)越逼近極限了,制造難度越來(lái)越大,5nm之后的工藝到現在為止都沒(méi)有明確的結論,晶體管材料、工藝都需要更新。在這一點(diǎn)上,美國又走在了前列,美國布魯克海文國家實(shí)驗室的科研人員日前宣布實(shí)現了1nm工藝制造。 來(lái)自EETimes的報道稱(chēng)，美國能源部(DOE)下屬的布魯克海文國家實(shí)驗室的科研人員日前宣布創(chuàng )造了新的世界記錄，他們成
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【E問(wèn)E答】半導體新制程節點(diǎn)定位命名誰(shuí)說(shuō)的算數？
- 半導體制程節點(diǎn)名稱(chēng)出現前所未有的“增生”情況，產(chǎn)業(yè)界需要一種優(yōu)良的公用性能基準，才能對不同業(yè)者的半導體制程技術(shù)進(jìn)行比較。 這段時(shí)間以來(lái)，晶圓代工業(yè)者紛紛將他們自己的最新制程節點(diǎn)以自己想要的市場(chǎng)定位來(lái)命名，并非依據任何透明化的性能基準，而現在該是時(shí)候阻止這種“欺騙”行為。 英特爾(Intel)最近提出了一種簡(jiǎn)單、但在某種程度上有點(diǎn)“自私自利”的電晶體密度量測標準，其他晶圓代工競爭對手則以“震耳欲聾的沉默&rd
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