EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
光刻
光刻 文章 進(jìn)入光刻技術(shù)社區
ASML官網(wǎng)顯示：支持7nm高端DUV光刻機仍可出口
- 荷蘭政府宣布了限制某些先進(jìn)半導體設備出口的新規定，這些規定將于9月1日生效。具體而言，荷蘭政府將要求先進(jìn)芯片制造設備的公司在出口之前須獲得許可證。ASML在其官網(wǎng)發(fā)表聲明稱(chēng)，該公司未來(lái)出口其先進(jìn)的浸潤式DUV光刻系統（即TWINSCAN NXT:2000i及后續浸潤式系統）時(shí)，將需要向荷蘭政府申請出口許可證。而ASML強調，該公司的EUV系統的銷(xiāo)售此前已經(jīng)受到限制。據ASML官網(wǎng)提供的信息，該公司目前在售的主流浸沒(méi)式DUV光刻機產(chǎn)品共有三款，分別是：TWINSCAN NXT:1980Di、TWINSCAN
- 關(guān)鍵字： ASML 芯片制造 DUV 光刻
事關(guān)EUV光刻技術(shù)，中國廠(chǎng)商公布新專(zhuān)利
- 近日，據國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)消息，華為技術(shù)有限公司于11月15日公布了一項于光刻技術(shù)相關(guān)的專(zhuān)利，專(zhuān)利申請號為202110524685X。集成電路制造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉移、加工和形成環(huán)節，決定著(zhù)集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內晶體管的數量，是集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。隨著(zhù)半導體工藝向7nm及以下節點(diǎn)的推進(jìn)，極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術(shù)。相關(guān)技術(shù)的EUV光刻機中采用強相干光源在進(jìn)行光刻時(shí)，相干光經(jīng)照明系統分割成的多個(gè)子光束具有固定的相位關(guān)系，當
- 關(guān)鍵字： EUV 光刻 華為
包括光刻！美國禁運6項關(guān)鍵技術(shù)
- 近日美國商務(wù)部工業(yè)安全局（BIS）宣布將六項新興技術(shù)添加到《出口管理條例》（EAR）的商務(wù)部管制清單（CCL）中。據了解，目前受到出口管制的新興技術(shù)總數已經(jīng)達到了37項。美國商務(wù)部在官網(wǎng)發(fā)布公告中寫(xiě)道：“此舉是為了支持關(guān)鍵及新興技術(shù)這一國家戰略.”“關(guān)鍵技術(shù)和新興技術(shù)國家戰略是保護美國國家安全，確保美國在軍事、情報和經(jīng)濟事務(wù)中保持技術(shù)領(lǐng)先地位的重要戰略部署?！泵绹虅?wù)部部長(cháng)Wilbur Ross說(shuō)道，并表示“美國商務(wù)部已經(jīng)對30多種新興技術(shù)的出口實(shí)施了管控，我們將繼續評估和確定未來(lái)還有哪些技術(shù)需要管控
- 關(guān)鍵字： 光刻
臺積電公布3納米光刻規劃及未來(lái)路線(xiàn)
- 臺積電昨天召開(kāi)了第一次虛擬技術(shù)研討會(huì )，公布了3納米光刻及未來(lái)路線(xiàn)計劃。過(guò)去幾年，臺積電已經(jīng)與英特爾旗鼓相當，在半導體領(lǐng)域占據了領(lǐng)導地位。在今年年初英特爾宣布推遲其7納米工藝后，臺積電正抓住機會(huì )，以行業(yè)領(lǐng)導者的身份繼續“攻城略地”。據臺積電高級副總裁米玉杰表示，該公司有計劃繼續提供有意義的節點(diǎn)改進(jìn)，直到N3及以下?？偟膩?lái)說(shuō)，7納米得到了一系列產(chǎn)品系列的支持，而不僅僅是單一的芯片類(lèi)型或類(lèi)別，它貢獻了臺積電2020年第二季度36%的收入。接下來(lái)，關(guān)于N5和N6節點(diǎn)的一些更新。根據臺積電的說(shuō)法，N6比N5的邏輯密
- 關(guān)鍵字： 臺積電 3納米 光刻
Intel/臺積電/ASML齊捧EUV光刻：捍衛摩爾定律
- 日前，中國國際半導體技術(shù)大會(huì )（CSTIC）在上海開(kāi)幕，為期19天，本次會(huì )議重點(diǎn)是探討先進(jìn)制造和封裝。其中，光刻機一哥ASML（阿斯麥）的研發(fā)副總裁Anthony Yen表示，EUV光刻工具是目前唯一能夠處理7nm和更先進(jìn)工藝的設備，EUV技術(shù)已經(jīng)被廣泛認為是突破摩爾定律瓶頸的關(guān)鍵因素之一。Yen援引統計數據顯示，截至2019年第四季度，ASML當年共售出53臺EUV NXE：3400系列EUV光刻機，使用EUV機器制造的芯片產(chǎn)量已經(jīng)達到1000萬(wàn)片。他說(shuō)，EUV已經(jīng)成為制造7nm、5nm和3nm邏輯集成電
- 關(guān)鍵字： Intel 臺積電 ASML EUV 光刻 摩爾定律
泛林集團發(fā)布應用于EUV光刻的技術(shù)突破
- 近日，泛林集團發(fā)布了一項用于EUV光刻圖形化的干膜光刻膠技術(shù)。泛林集團研發(fā)的這項全新的干膜光刻膠技術(shù)，結合了泛林集團在沉積、刻蝕工藝上的領(lǐng)導地位及其與阿斯麥?(ASML) 和比利時(shí)微電子研究中心?(imec)?戰略合作的成果，它將有助于提高EUV光刻的分辨率、生產(chǎn)率和良率。泛林集團的干膜光刻膠解決方案提供了顯著(zhù)的EUV光敏性和分辨率優(yōu)勢，從而優(yōu)化了單次EUV光刻晶圓的總成本。由于領(lǐng)先的芯片制造商已開(kāi)始將EUV光刻系統應用于大規模量產(chǎn)，進(jìn)一步提升生產(chǎn)率和分辨率將幫助他們以更合理
- 關(guān)鍵字： EUV 光刻
芯片是如何被制造出來(lái)的？芯片光刻流程詳解
- 在集成電路的制造過(guò)程中，有一個(gè)重要的環(huán)節——光刻，正因為有了它，我們才能在微小的芯片上實(shí)現功能?，F代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前，1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實(shí)驗以后，開(kāi)始試圖復制一種刻蝕在油紙上的印痕(圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經(jīng)過(guò)2、3小時(shí)的日曬，透光部分的瀝青明顯變硬，而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。通過(guò)用強酸刻蝕玻璃板，Niepce在1827年制作了一個(gè)d’Amboise主教的雕板相的復制品。
- 關(guān)鍵字： 芯片，光刻
我國成功研制出的世界首臺分辨力最高紫外超分辨光刻裝備？
- 昨天關(guān)于中國成功超分辨率光刻機的新聞刷爆了朋友圈，這個(gè)新聞出來(lái)以后，輿論出現了兩個(gè)極端，一堆人說(shuō)很牛，一堆人說(shuō)吹牛。那么這兩種說(shuō)法到底誰(shuí)對誰(shuí)錯呢? 我們先看一下新聞： 由中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所主導的項目“超分辨光刻裝備研制”29日通過(guò)驗收?！ ∵@是我國成功研制出的世界首臺分辨力最高紫外超分辨光刻裝備。該光刻機由中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所研制，光刻分辨力達到22納米，結合多重曝光技術(shù)后，可用于制造10納米級別的芯片?！ ≈锌圃豪砘夹g(shù)研究所許祖彥院士等驗收組專(zhuān)家一致表示，該光刻機在365nm光源波長(cháng)
- 關(guān)鍵字： 光刻 芯片
“合肥造”光刻設備將打破國外壟斷
- 中國芯片制造業(yè)高端裝備一直以來(lái)依賴(lài)國外進(jìn)口，尤其是高端光刻設備受到西方封鎖，有錢(qián)也買(mǎi)不到，或是毫無(wú)競價(jià)權，國內進(jìn)口集成電路裝備采購每年達數十億美元。在高新區的合肥芯碁微電子裝備有限公司，正在通過(guò)自主創(chuàng )新，改變這種現況。 據介紹，合肥芯碁微電子裝備有限公司主要經(jīng)營(yíng)微電子高端裝備研發(fā)、制造、技術(shù)服務(wù)。公司技術(shù)團隊是以曾承接國家02重大科技專(zhuān)項《130—65nm制版光刻設備及產(chǎn)業(yè)化》項目核心人員為基礎，結合國內外業(yè)界精英組成，60%以上碩博士。團隊骨干均為國內首創(chuàng )激光直寫(xiě)光刻設備、激光曝光
- 關(guān)鍵字： 光刻 芯片
SEMI：2013年全球光刻掩膜板市場(chǎng)預計可達33.5億美元規模
- 技術(shù)問(wèn)題更讓人頭痛，隨著(zhù)線(xiàn)寬必須不斷縮小的趨勢下，廠(chǎng)商面臨諸多艱巨的挑戰，更多先進(jìn)的光刻掩膜板工具和材料必須應運而生，但卻僅有部份的客戶(hù)會(huì )轉移至更小尺寸的產(chǎn)品，而且似乎對于專(zhuān)有光刻掩膜板廠(chǎng)商的依賴(lài)也日益加深，因此批發(fā)式光刻掩膜板產(chǎn)業(yè)必須在一個(gè)正在萎縮的市場(chǎng)上找到它的平衡點(diǎn)，既能進(jìn)行技術(shù)升級發(fā)展也能兼顧資本成本。 SEMI最近發(fā)表了《Photomask Characterization Summary》，對2011年的光刻掩膜板市場(chǎng)提供詳細的分析，并以全球七個(gè)主要地區，包括北美、日本、歐洲、臺灣、
- 關(guān)鍵字： 光刻 掩膜板
光刻介紹
光刻 利用照相復制與化學(xué)腐蝕相結合的技術(shù)，在工件表面制取精密、微細和復雜薄層圖形的化學(xué)加工方法。光刻原理雖然在19世紀初就為人們所知，但長(cháng)期以來(lái)由于缺乏優(yōu)良的光致抗蝕劑而未得到應用。直到20世紀50年代，美國制成高分辨率和優(yōu)異抗蝕性能的柯達光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術(shù)才迅速發(fā)展起來(lái)，并開(kāi)始用在半導體工業(yè)方面。光刻是制造高級半導體器件和大規模集成電路的關(guān)鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、 [ 查看詳細 ]
光刻相關(guān)帖子
光刻資料下載
光刻專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473