SEMI：2013年全球光刻掩膜板市場(chǎng)預計可達33.5億美元規模

　　SEMI最新研究報告顯示，2011年全球半導體光刻掩膜板市場(chǎng)達到了31.2億美元規模，預估2013年這一數字可達33.5億美元。繼2010年達到高峰以后，光刻掩膜板市場(chǎng)2011年再次增長(cháng)了3%，創(chuàng )下歷史新高。而未來(lái)兩年光刻掩膜板市場(chǎng)則預計將有4%和3%的成長(cháng)。驅動(dòng)z這一市場(chǎng)成長(cháng)的關(guān)鍵主要來(lái)自于先進(jìn)技術(shù)持續進(jìn)行微縮(小于65納米)，以及亞太地區制造業(yè)的蓬勃發(fā)展。2010年，臺灣超過(guò)日本成為最大的光刻掩膜板市場(chǎng)，并預計將在未來(lái)預期內保持最大。

　　掩模制造市場(chǎng)正變得越來(lái)越資本密集型;據SEMI數據顯示，2011年是掩膜/光罩制造設備創(chuàng )紀錄的一年，比上一個(gè)歷史記錄高點(diǎn)2010年再增長(cháng)了36%達到11.1億美元。隨著(zhù)光刻掩膜板行業(yè)的資本密集度增強，專(zhuān)有光刻掩膜板(captive photomask)廠(chǎng)商的市場(chǎng)占有率也不斷擴大，與2006年的30%相比擴大到 40%。  

　　針對sub 45納米制程節點(diǎn)，透過(guò)顯影光源優(yōu)化(Source Mask Optimization，SMO)的應用將可擴展單次曝光程序，而雙重曝光(double patterning)技術(shù)也被視為重要方案。為了協(xié)助將光學(xué)光刻技術(shù)延伸至22納米節點(diǎn)尺寸，除了雙重曝光和SMO之外，芯片制造商還打算利用運算光刻 (computational lithography)的技術(shù)。定向自裝作為延伸光學(xué)光刻到10nm節點(diǎn)的一個(gè)可能的方法近日獲得了大量的關(guān)注。

　　雖然EUV的光源和光阻已有所改善，但目前EUV已被推遲至少到14nm節點(diǎn)，但一些產(chǎn)業(yè)觀(guān)察人士認為EUV可能在10nm進(jìn)入量產(chǎn)。然而，有關(guān)技術(shù)準備的擔憂(yōu)依然存在，一些芯片制造商在14nm采用并行的光刻技術(shù)路線(xiàn)圖。何時(shí)或是否EUV會(huì )被廣泛采用，還得取決于成本考慮，以及能否為此革命性技術(shù)形成新的供應鏈。

　　而對于大批量光刻掩膜板(merchant photomask)供貨商來(lái)說(shuō)，經(jīng)濟方面的不確定性因素遠比技術(shù)問(wèn)題更讓人頭痛，隨著(zhù)線(xiàn)寬必須不斷縮小的趨勢下，廠(chǎng)商面臨諸多艱巨的挑戰，更多先進(jìn)的光刻掩膜板工具和材料必須應運而生，但卻僅有部份的客戶(hù)會(huì )轉移至更小尺寸的產(chǎn)品，而且似乎對于專(zhuān)有光刻掩膜板廠(chǎng)商的依賴(lài)也日益加深，因此批發(fā)式光刻掩膜板產(chǎn)業(yè)必須在一個(gè)正在萎縮的市場(chǎng)上找到它的平衡點(diǎn)，既能進(jìn)行技術(shù)升級發(fā)展也能兼顧資本成本。

　　SEMI最近發(fā)表了《Photomask Characterization Summary》，對2011年的光刻掩膜板市場(chǎng)提供詳細的分析，并以全球七個(gè)主要地區，包括北美、日本、歐洲、臺灣、韓國、中國、以及其它地區進(jìn)行市場(chǎng)分析，該報告還囊括每一地區從2006至2013年間的相關(guān)數據。