三星否認自家 HBM 內存芯片未通過(guò)英偉達測試，“正改善質(zhì)量”

5 月 27 日消息，此前有消息稱(chēng)三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過(guò)英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題而受到影響。

不過(guò)據韓媒Business Korea 報道，三星電子發(fā)布聲明否認了相關(guān)報道，該公司聲稱(chēng)他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測試過(guò)程”，同時(shí)強調“他們正與其他商業(yè)伙伴持續合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。

三星最近開(kāi)始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 HBM3E上，三星并未像競爭對手SK海力士、美光那樣采用1b nm制程DRAM裸片，而是仍使用1a nm顆粒，在能耗方面處于劣勢。加上本次出現的相關(guān)負面輿論，這導致一些分析師懷疑三星“是否有能力從 SK海力士處迅速奪回市場(chǎng)份額”。