臺積電20納米 提前一季投片

　　可程序邏輯閘陣列(FPGA)大廠(chǎng)賽靈思(Xilinx)9日宣布，已經(jīng)開(kāi)始在臺積電投片業(yè)界首款20納米可編程邏輯元件(PLD)，以及業(yè)界首款20納米全編程(AllProgrammable)元件。業(yè)界指出，賽靈思宣布進(jìn)入20納米世代，代表臺積電20納米已提前一季進(jìn)入投片階段。

　　臺積電20納米已經(jīng)研發(fā)完成，正在積極建置20納米生產(chǎn)線(xiàn)，包括竹科超大型晶圓廠(chǎng)(GigaFab)Fab12第6期，以及南科Fab14第5期及第6期。臺積電原本預計今年第4季才會(huì )開(kāi)始投片，明年首季進(jìn)入量產(chǎn)階段，但賽靈思提前在第3季宣布20納米芯片開(kāi)始投片，代表臺積電20納米投產(chǎn)進(jìn)度已較原本規畫(huà)提前一季進(jìn)行。

　　賽靈思宣布，20納米PLD芯片及全編程元件已經(jīng)開(kāi)始在臺積電投片，同時(shí)，賽靈思亦著(zhù)手建置業(yè)界第一個(gè)特殊應用芯片(ASIC)等級可編程架構UltraScale，將由28納米快速轉進(jìn)20納米世代。同時(shí)，最新開(kāi)發(fā)的UltraScale架構可將20納米平面制程，擴展至16納米及更先進(jìn)的鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)技術(shù)，并可從單芯片進(jìn)展到3DIC。

　　業(yè)界人士認為，在賽靈思的協(xié)力合作下，臺積電今年底應該可開(kāi)始進(jìn)行16納米試產(chǎn)，成功將20納米微縮至16納米的時(shí)間提前一年，亦即2015年就會(huì )如期進(jìn)入16納米FinFET量產(chǎn)，臺積電與英特爾間技術(shù)時(shí)間差距，將因此縮短到1年，如此一來(lái)就不必再怕英特爾搶單。