臺積電2017追上英特爾 不只是放狠話(huà)

　　臺積電共同營(yíng)運長(cháng)蔣尚義昨(22)日表示，臺積電由20納米跨入16納米制程微縮時(shí)間確定縮短1年，即2015年將提前量產(chǎn)3D晶體管架構的16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程。為了滿(mǎn)足客戶(hù)需求，臺積電已決定加快研發(fā)腳步，“希望10納米世代就能全面趕上英特爾”，時(shí)間點(diǎn)就落在2017年。

　　臺積電董事長(cháng)張忠謀在日前法說(shuō)會(huì )中宣布，今年資本支出拉高至95~100億美元，且16納米FinFET制程要提前一年量產(chǎn)。主掌臺積電技術(shù)研發(fā)的蔣尚義昨天則說(shuō)明，加快16納米量產(chǎn)，是因為客戶(hù)對此有強烈需求。

　　蔣尚義表示，臺積電明年開(kāi)始進(jìn)入20納米單芯片(SoC)制程量產(chǎn)，16納米FinFET制程理論上應該是20納米量產(chǎn)的2年后才會(huì )導入，不過(guò)，這只是特例而非常態(tài)，主要是英特爾已成為臺積電的間接競爭對手。

　　蔣尚義表示，過(guò)去英特爾要生產(chǎn)處理器，所以半導體制程一直是最先進(jìn)的，但現在英特爾搶進(jìn)行動(dòng)裝置市場(chǎng)，臺積電很多客戶(hù)都開(kāi)始要跟英特爾競爭，也因此，客戶(hù)要臺積電加快研發(fā)速度，臺積電當然從善如流，加快制程的微縮時(shí)程，才不會(huì )讓客戶(hù)失去競爭力。

　　根據臺積電目前規劃，2014年開(kāi)始導入20納米SoC制程量產(chǎn)，2015年導入16納米FinFET制程量產(chǎn)，但后續的10納米量產(chǎn)時(shí)間，仍將在16納米量產(chǎn)之后2年才會(huì )導入，也就是2017年臺積電將進(jìn)入10納米世代，且可望首度采用先進(jìn)的極紫外光(EUV)微影技術(shù)。

　　蔣尚義表示，為了滿(mǎn)足客戶(hù)對先進(jìn)制程的需求，臺積電已集結了開(kāi)放創(chuàng )新平臺(OIP)中的各供應商，投入龐大資源加速制程推進(jìn)速度，“希望10納米世代就能全面趕上英特爾”。

　　英特爾的制程推進(jìn)仍依循摩爾定律，2014年14納米將進(jìn)入量產(chǎn)階段，2016年后則導入10納米量產(chǎn)，由此來(lái)看，若臺積電能在2015年以10納米量產(chǎn)投片，的確已追趕上英特爾。

　　臺積電及英特爾均參加了微影設備大廠(chǎng)艾司摩爾(ASML)的“客戶(hù)聯(lián)合投資專(zhuān)案”，共同開(kāi)發(fā)EUV微影技術(shù)，近期研發(fā)上已有所突破。ASML指出，EUV光源功率已提升到55W，每小時(shí)可處理43片晶圓，10納米世代可望開(kāi)始導入EUV技術(shù)。