臺積研發(fā)費用400億創(chuàng )歷史新高

　　晶圓代工龍頭臺積電年度技術(shù)論壇在新竹登場(chǎng)，為維持技術(shù)領(lǐng)先地位，內部確定今年研發(fā)費用占年度營(yíng)收比重8%，業(yè)界推算研發(fā)費用上看400億元，創(chuàng )下歷史新高，年增逾18%，全力防堵競爭對手三星和英特爾滲透晶圓代工市場(chǎng)。

　　根據行政院主計總處的統計，民國99年時(shí)，我國研發(fā)經(jīng)費約占GDP約2.9%，較98年度的2.94%下滑，政府希望提升至3%。由此可見(jiàn)臺積電的研發(fā)費用比重之高。

　　臺積電年度技術(shù)論壇今天展開(kāi)，董事長(cháng)張忠謀不會(huì )出席，但在年報中確定今年研發(fā)費用將繼續提升，讓客戶(hù)對臺積電在技術(shù)競爭力更具信心。

　　今年是臺積電連續第4年研發(fā)費用年增兩位數，根據最新的臺積電年報，今年研發(fā)費用占總營(yíng)收比約8%，比去年7.9%微幅增加，法人預估今年臺積電在28納米需求大幅帶動(dòng)下，年營(yíng)收可挑戰5,000億元歷史新高，換算今年研發(fā)費用將上看400億元。

　　臺積電日前法說(shuō)已大幅提高資本支出，從60億美元拉升到80億至85億美元，調升幅度最高來(lái)到41.6%，主要用以28納米的擴增與20納米提前導入。去年臺積電研發(fā)費用首度突破10億美元，年增近15%，今年研發(fā)費用來(lái)到400億元，等于年成長(cháng)率上看18%以上。

　　臺積電研發(fā)費用將用于下一世代先進(jìn)制程的開(kāi)發(fā)，其中20納米預計今年底生產(chǎn)，3D-IC將預計民國101年至102年量產(chǎn)，14納米則預計民國103年量產(chǎn)。ICInsights曾統計，臺積電2010年因為研發(fā)費用年增44%，來(lái)到9.45億美元，首度擠入全球第十大研發(fā)費用之半導體廠(chǎng)，在高研發(fā)支出政策持續執行下，臺積電將穩居全球半導體研發(fā)支出金額最高的前十大業(yè)者。