臺封裝大廠(chǎng)決戰制程

　　臺系一線(xiàn)封測廠(chǎng)不僅致力于銅制程競賽，亦兼顧高階封裝技術(shù)，由于電子產(chǎn)品大吹輕薄風(fēng)，功能益趨多元復雜，半導體高階制程備受青睞，使得高密度封裝技術(shù)包括晶圓級封裝(WLP)、層迭式封裝(PoP)、多芯片封裝(MCP)等，成為日月光、硅品、力成等業(yè)者大舉著(zhù)墨重點(diǎn)。

　　隨著(zhù)芯片尺寸更輕薄短小，制程走向細微化，10層以上封裝載板需求益趨增加，帶動(dòng)高密度封裝技術(shù)備受矚目，包括晶圓級封裝、層迭式封裝及多芯片封裝等，成為一線(xiàn)大廠(chǎng)著(zhù)墨焦點(diǎn)。其中，日月光投入研發(fā)不遺余力，初估研發(fā)費用相當于全球前4大封測廠(chǎng)加總金額的一半。日月光表示，若不投資研發(fā)，一旦產(chǎn)業(yè)或制程發(fā)生大幅變動(dòng)，公司技術(shù)將無(wú)法反映績(jì)效，日月光將高階制程視為2011年搶市利器之一，成為支撐獲利成長(cháng)動(dòng)能。

　　硅品董事長(cháng)林文伯亦針對技術(shù)發(fā)展指出，目前包括低成本芯片尺寸覆晶封裝(LowcostFCCSP)及晶圓級封裝均已開(kāi)始量產(chǎn)，層迭式封裝亦進(jìn)入試產(chǎn)階段，另外，硅品也開(kāi)始著(zhù)手研發(fā)28奈米覆晶封裝(FCBGA)、硅穿孔(TSV)、微型凸塊(MircoBump)。至于擴散型(Fanout)晶圓級封裝，已具有制程能力，但因需與英飛凌(Infineon)簽約，權利金成本較高，加上只有1~2個(gè)!裝置采用，因而不急著(zhù)跨入。

　　力成近來(lái)積極轉進(jìn)邏輯IC封裝業(yè)務(wù)，同時(shí)與爾必達(Elpida)、聯(lián)電策略聯(lián)盟，合作開(kāi)發(fā)硅穿孔技術(shù)。另外，力成在多芯片封裝、系統級封裝(SiP)、四方平面無(wú)引腳封裝(QFN)比重亦愈來(lái)愈高，并預計2011年第1季開(kāi)始在湖口總部隔壁建構3DIC封測廠(chǎng)，為2012年后新技術(shù)發(fā)展預作準備。

　　封測業(yè)者表示，一線(xiàn)大廠(chǎng)之間的競爭已不局限在銅打線(xiàn)封裝制程，高階技術(shù)能力亦不容忽視，盡管銅制程具有降低成本、提高毛利率效益，但以長(cháng)期發(fā)展而言，高階制程能力仍是封測廠(chǎng)長(cháng)遠獲利來(lái)源關(guān)鍵，因此，各家業(yè)者仍將高階技術(shù)視為2011年獲利成長(cháng)動(dòng)能之一。

　　此外=一線(xiàn)封裝廠(chǎng)力拼制程競賽，并將戰線(xiàn)向下延伸，中小型封裝廠(chǎng)亦被迫加速制程轉換，近期包括超豐、典范等皆感受到一線(xiàn)大廠(chǎng)來(lái)勢洶洶，其中，超豐已著(zhù)手進(jìn)行銅制程轉換，機臺數已達100多臺，新廠(chǎng)房三、四樓已全數設置銅制程生產(chǎn)線(xiàn)，2011年首季全面上線(xiàn)，現約有6~7家客戶(hù)導入量產(chǎn)，20家客戶(hù)在認證階段。至于典范目前亦擁有100臺銅打線(xiàn)機臺，預計2011年第1季底增至400臺。