晶圓雙雄再掀12寸廠(chǎng)投資潮　業(yè)界擔憂(yōu)恐造成產(chǎn)能過(guò)剩

　　繼臺積電提高2010年資本支出達48億美元，晶圓專(zhuān)工大廠(chǎng)聯(lián)電3日亦宣布，提高2010年資本支出達12億~15億美元，其中約有94%將用于擴充12寸先進(jìn)制程產(chǎn)能。聯(lián)電執行長(cháng)孫世偉表示，聯(lián)電65納米成長(cháng)會(huì )非常迅速，45/40納米世代占營(yíng)收比重將增加，同時(shí)良率已很穩健。值得注意的是，臺積電、聯(lián)電紛上看2010年晶圓代工產(chǎn)業(yè)將成長(cháng)3成，樂(lè )觀(guān)預期公司可望同步跟著(zhù)成長(cháng)，并加碼資本支出，透露在兩大龍頭廠(chǎng)帶領(lǐng)下，將再度掀起12寸廠(chǎng)投資熱潮。

　　孫世偉表示，對于2010年展望非常樂(lè )觀(guān)，預估半導體產(chǎn)業(yè)可望成長(cháng)13~15%，晶圓專(zhuān)工產(chǎn)業(yè)成長(cháng)率可達25~28%，對于聯(lián)電2010年營(yíng)運將有非常樂(lè )觀(guān)預期，為因應客戶(hù)對于產(chǎn)能及高階技術(shù)強勁需求，將提高2010年資本支出至12億~15億美元。半導體業(yè)者認為，聯(lián)電 2010年可望跟著(zhù)晶圓代工產(chǎn)業(yè)成長(cháng)腳步，同步成長(cháng)3成，與臺積電預估2010年成長(cháng)幅度相當。

　　事實(shí)上，臺積電日前公布2010年資本支出達48億美元，較2009年約暴增7成，聯(lián)電3日預估2010年資本支出12億~15億美元，亦較業(yè)界所估10億美元為高，半導體業(yè)者認為，臺積電、聯(lián)電紛積極擴產(chǎn)，借以搶攻市占率。聯(lián)電則表示，將會(huì )在市占率與股東權益報酬率之間，取得最佳平衡。

　　針對2010年資本支出，孫世偉強調，主要用于建置高階制程產(chǎn)能，包括南科Fab 12A廠(chǎng)45/40納米制程產(chǎn)能，以及持續導入28納米技術(shù)研發(fā)及試產(chǎn)設備，以及新加坡Fab 12i廠(chǎng)大幅擴充65/55納米制程產(chǎn)能等。此外，聯(lián)電Fab 12A廠(chǎng)第3期無(wú)塵室相關(guān)設施與機臺裝置時(shí)程，將同步加速就緒，并進(jìn)行彈性擴充。

　　不過(guò)，業(yè)界擔憂(yōu)晶圓雙雄紛加大投資力道，恐造成產(chǎn)能過(guò)剩，孫世偉對此表示，聯(lián)電經(jīng)過(guò)整體評估，投資12億~15億美元風(fēng)險已相對較低，由于先進(jìn)制程投資甚鉅，摩爾定律可能演進(jìn)趨緩，因此，針對投資力道與時(shí)機點(diǎn)，聯(lián)電確實(shí)已相當謹慎。此外，全球經(jīng)濟復蘇步調的持續性，以及美國、大陸相繼考慮調控措施，對后續景氣造成效應，仍有待觀(guān)察。

　　此外，聯(lián)電表示，2009年第4季65納米制程比重已占整體營(yíng)收約17%，2010年比重將持續成長(cháng)，同時(shí) 45/40納米世代在上半年將可見(jiàn)到約達個(gè)位數營(yíng)收比重貢獻。聯(lián)電自行研發(fā)的高效能40納米邏輯制程，目前已有超過(guò)10家客戶(hù)，涵蓋高階消費性電子、通訊、手機與硬碟各應用領(lǐng)域，較65納米還提前1季通過(guò)全生產(chǎn)驗證，且良率已穩定到可晶圓計價(jià)出貨。