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碳化硅發(fā)展勢頭旺，英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET

王? 瑩? （《電子產(chǎn)品世界》編輯）近期，多家公司發(fā)布了碳化硅（SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導體材料之一，碳化硅具備哪些優(yōu)勢，現在的發(fā)展程度如何？不久前，碳化硅的先驅英飛凌科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ，值此機會(huì )，電子產(chǎn)品世界訪(fǎng)問(wèn)了英飛凌電源與傳感系統事業(yè)部大中華區開(kāi)關(guān)電源應用高級市場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生。碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系碳化硅MOSFET是一種新器件，使一些以前硅材料很難被應用的電源轉換結構，例如電流連續模式
關(guān)鍵字： 202004 碳化硅 CoolSiC? MOSFET

ROHM的SiC功率元器件被應用于UAES的電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應用于中國汽車(chē)行業(yè)一級綜合性供應商——聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“UAES公司”）的電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器（On Board Charger，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“OBC”）。UAES公司預計將于2020年10月起向汽車(chē)制造商供應該款OBC。與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能
關(guān)鍵字： OBC SiC MOSFET

工業(yè)電機用功率半導體的動(dòng)向

Steven?Shackell? （安森美半導體?工業(yè)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理）摘? 要：電動(dòng)工具用電機正從有刷直流(BDC)轉向無(wú)刷直流(BLDC)電機；工業(yè)電機需要更高能效的電機，同時(shí) 需要強固和高質(zhì)量。安森美以領(lǐng)先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應對這些轉變帶來(lái)的商機。關(guān)鍵詞：電機；電動(dòng)工具；MOSFET；工業(yè)；IGBT；IPM安森美半導體提供全面的電機產(chǎn)品系列，尤其是功率半導體方面。安森美半導體因來(lái)自所有電機類(lèi)型的商機感到興奮，并非?？春脽o(wú)刷直流電機(BLDC)應用（例如電動(dòng)工具），
關(guān)鍵字： 202003 電機電動(dòng)工具 MOSFET 工業(yè) IGBT IPM

英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應用帶來(lái)最佳可靠性和性能水平

近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進(jìn)一步擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿(mǎn)足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽(yáng)能系統、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅動(dòng)以及電動(dòng)汽車(chē)充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著(zhù)新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部高壓轉換業(yè)務(wù)高級總監St
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儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率而設計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。
關(guān)鍵字：儒卓力威世N-Channel MOSFET 封裝

安世半導體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品

奈梅亨，2020年2月19日：安世半導體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專(zhuān)家，今日宣布推出有史以來(lái)最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內公認的低壓、低RDS(on)的領(lǐng)先器件，它樹(shù)立了25 V、0.57 m?的新標準。該市場(chǎng)領(lǐng)先的性能利用安世半導體獨特的NextPowerS3技術(shù)實(shí)現，并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數。?很多應用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
關(guān)鍵字：安世半導體 MOSFET RDS(on)

Vishay推出高效80 V MOSFET，導通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數達到同類(lèi)產(chǎn)品最佳水平

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的——SiR680ADP，它是80 V TrenchFET? 第四代n溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP專(zhuān)門(mén)用來(lái)提高功率轉換拓撲結構和開(kāi)關(guān)電路的效率，從而節省能源，其導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中MOSFET的重要優(yōu)值系數（FOM）為129 mW*nC，達到同類(lèi)產(chǎn)品最佳水平。
關(guān)鍵字： SiR680ADP MOSFET Vishay

Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型熱增強型PowerPAK?1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專(zhuān)門(mén)用于提高電池管理系統、直插式和無(wú)線(xiàn)充電器、DC/DC轉換器以及電源的功率密度和效率。日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封裝導通電阻最低的60
關(guān)鍵字： MOSFET N溝道

Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專(zhuān)業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應管(GaN)市場(chǎng)。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開(kāi)關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場(chǎng)，包括電動(dòng)汽車(chē)、數據中心、電信設備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
關(guān)鍵字： Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件

功率MOSFET的參數那么多，實(shí)際應用中該怎么選？

功率 MOSFET也有兩年多時(shí)間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應用選型方面的文章不是很多。在此，根據學(xué)到的理論知識和實(shí)際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
關(guān)鍵字： MOSFET 功率MOSFET

SiC MOSFET在汽車(chē)和電源應用中優(yōu)勢顯著(zhù)

商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問(wèn)世以來(lái)，MOSFET和IGBT一直是開(kāi)關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動(dòng)等電路設計。不過(guò)，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會(huì )到因成功反而受其害的含義。隨著(zhù)產(chǎn)品整體性能的改善，特別是導通電阻和開(kāi)關(guān)損耗的大幅降低，這些半導體開(kāi)關(guān)的應用范圍越來(lái)越廣。結果，市場(chǎng)對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來(lái)越高，對性能的要求越來(lái)越高。盡管主要的半導體研發(fā)機構和廠(chǎng)商下大力氣滿(mǎn)足市場(chǎng)要求，進(jìn)一步改進(jìn)MOSFET/ IGBT產(chǎn)品，但在某些時(shí)候，收益遞減
關(guān)鍵字： SiC MOSFET 意法半導體

減慢開(kāi)關(guān)轉換時(shí)要謹慎

開(kāi)關(guān)調節器中的快速開(kāi)關(guān)瞬變是有利的，因為這顯著(zhù)降低了開(kāi)關(guān)模式電源中的開(kāi)關(guān)損耗。尤其是在高開(kāi)關(guān)頻率時(shí)，可以大幅提高開(kāi)關(guān)調節器的效率。但是，快速開(kāi)關(guān)轉換也會(huì )帶來(lái)一些負面影響。開(kāi)關(guān)轉換頻率在20 MHz和200 MHz之間時(shí)，干擾會(huì )急劇增加。這就使得開(kāi)關(guān)模式電源開(kāi)發(fā)人員必須在高頻率范圍內，在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。此外，ADI公司提出了創(chuàng )新的Silent Switcher?技術(shù)，即使是極快的開(kāi)關(guān)邊沿，也可能產(chǎn)生最小電磁輻射。圖1.對開(kāi)關(guān)模式電源進(jìn)行開(kāi)關(guān)轉換，在開(kāi)關(guān)節點(diǎn)處施加輸入電壓。圖1顯示了快速
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ROHM開(kāi)發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開(kāi)發(fā)出6款溝槽柵結構※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器及電動(dòng)汽車(chē)的充電站等。此次新開(kāi)發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開(kāi)關(guān)性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開(kāi)關(guān)損耗可降低約35％，非常有助于進(jìn)一步降低各種設備的功耗。另外，羅姆也已開(kāi)始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT304
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中歐“大咖”齊聚深圳，共話(huà)第三代半導體發(fā)展

最近，由深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )、坪山區人民政府、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟指導，青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院主辦，深圳基本半導體、深圳中歐創(chuàng )新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來(lái)自中國和歐洲的專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會(huì )，圍繞第三代半導體技術(shù)創(chuàng )新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國際合作進(jìn)行深入探討與交流，加速第三代半導體材料國產(chǎn)化替代進(jìn)程，助力國產(chǎn)半導體開(kāi)辟一片新天地。深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )黨組書(shū)記林祥、深圳市坪山區科技創(chuàng )新局局長(cháng)黃鳴出席論
關(guān)鍵字：碳化硅二極管 MOSFET

Diodes公司推出微型車(chē)用 MOSFET，可提供更高的功率密度

Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出額定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及額定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ，兩者均為符合車(chē)用規范的 MOSFET，采用 DFN2020 封裝。這兩款微型 MOSFET 僅占較大封裝 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 區域，可在直流對直流 (DC-DC) 轉換器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎蓋下」的汽車(chē)應用之中，提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 時(shí)的 RDS(ON) 標
關(guān)鍵字： MOSFET 汽車(chē)